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公开(公告)号：CN111893561A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010621637.8
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构，包括支撑层以及制备在所述支撑层上的层叠结构，所述层叠结构包括第一折射层和第二折射层，所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同，所述第一折射层和所述第二折射层相互交替设置；在此基础上，本发明还提供一种单晶硅生长炉，所述复合隔热结构设置在所述单晶硅生长炉中的热屏上；本发明提供的复合隔热结构在热辐射波长范围表现出具有良好的热反射性能，当其设置在热屏上以应用于单晶硅生长炉中时，能够提高热屏对热量的反射能力，减少硅熔体热量的耗散，起到对热场的保温作用，从而有利于提高热场的质量以提高单晶硅生长的质量和产量。
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公开(公告)号：CN111893557A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010621665.X
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种晶圆涂胶系统，包括晶圆涂胶装置、加热装置和控制装置；晶圆涂胶装置用于对晶圆进行涂胶；加热装置包括加热板，加热板表面承载涂胶后晶圆，加热板划分成若干个加热区域，每个加热区域对应设有一个监测组件，监测组件包括温度监测件和警报器；控制装置包括温度监测模块、温度判断模块和警报控制模块；温度获取模块用于获取温度监测件监测的实时温度；温度判断模块用于判断温度监测件的温度比是否大于预设温度比；警报控制模块用于当判断温度监测件的温度比大于预设温度比时，控制警报器启动；本发明能够保证加热板中各个区域的温度均匀性，避免温度不均匀影响到晶圆的烘烤质量。
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公开(公告)号：CN112599470B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202011445232.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供的一种绝缘体上硅结构的方法包括以下步骤：提供一键合结构，键合结构包括第一衬底、第二衬底和绝缘埋层，绝缘埋层位于第一衬底和第二衬底之间；从键合结构上剥离去除部分厚度的第一衬底，以得到第一薄膜；在第一温度下第一次刻蚀第一薄膜，以去除第一厚度的第一薄膜；在第二温度下第二次刻蚀第一薄膜，以平坦化处理第一薄膜，并去除第二厚度的第一薄膜，第一温度小于第二温度，第一厚度大于第二厚度，第一厚度和第二厚度为第一薄膜的总刻蚀厚度。本发明通过先在第一温度下刻蚀减薄第一薄膜，再在第二温度下平坦化处理所述第一薄膜，同时达到第一薄膜的目标厚度，使得在平坦化处理顶层硅的同时还可以提高顶层硅厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN116825472A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310769799.X
申请日：2023-06-27
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种磁控装置，包括：线圈组件；线圈组件用于套设于单晶硅设备外侧，线圈组件沿单晶硅设备的轴向可移动；线圈组件包括多个主线圈，多个主线圈沿单晶硅设备的周向排布，其中，主线圈产生的磁场沿单晶硅设备径向分量强度大于其沿单晶硅设备的轴向分量强度。如此配置，主线圈产生的磁场沿单晶硅设备的径向分量强度大于其沿单晶硅设备的轴向分量强度，使得磁场的径向分量强度得以提升，能够有效抑制熔体边缘自然对流，并灵活控制晶体中的氧、碳等杂质含量和径向均匀性；此外，线圈组件沿单晶硅设备的轴向可移动，进一步提升了磁控装置的实用性和灵活性。
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公开(公告)号：CN114188212A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111467522.9
申请日：2021-12-03
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体衬底及其形成方法，形成方法通过形成第一多晶硅薄层和第二多晶硅薄层以分次形成总的多晶硅薄层，使得其具有更低的应力，及更随机的晶粒取向和更细小的晶粒尺寸，保持高的晶界密度，提高层间的电荷捕获能力；并且通过不同沉积温度下生长的多晶硅薄层的相互作用，以及在每次恒温退火处理后均经过两种降温速率的结合，使得第一多晶硅薄层及第二多晶硅薄层与初始半导体衬底之间的收缩速率减缓，降低了半导体衬底热膨胀失配的程度，减小了多晶硅薄层与初始半导体衬底之间的拉伸程度，使得半导体衬底的翘曲度进一步的降低，从而进一步降低了多晶硅薄层在生长过程中产生的应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114005751A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111276158.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种SOI晶圆的表面处理方法，包括以下步骤：提供一SOI晶圆，SOI晶圆包括背衬底、顶层硅和绝缘埋层，绝缘埋层位于背衬底和顶层硅之间，且顶层硅的表面粗糙度大于在第一目标温度下，通过第一恒温退火工艺去除顶层硅的表面自然氧化层，第一恒温退火工艺的气氛为氩气和氢气的混合气氛；以及从第一目标温度升温至第二目标温度，并在第二目标温度下，通过第二恒温退火工艺平坦化处理顶层硅的表面，所述第二恒温退火工艺的气氛为纯氩气气氛，以优化长时间的热退火处理的气氛，其相较于现有技术具有更好的平坦化效果，具体的，本方案的SOI晶圆的顶层硅的表面粗糙度小于
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公开(公告)号：CN113281304A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110356915.6
申请日：2021-04-01
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种退火炉降温速率校准的方法，所述方法包括：在所述第一退火炉中对多个第一晶圆进行加热；将多个所述第一晶圆在所述第一退火炉中在不同的降温时间内分别降温至预设温度；测量多个第一晶圆的表面参数；建立表面参数和所述降温时间的第一对应关系；在第二退火炉中对多个第二晶圆进行加热和降温，以建立表面参数和降温时间的第二对应关系，其中第二晶圆的加热和降温的条件与所述第一晶圆的加热和降温条件相同；以所述第一对应关系为参照，调节所述第二退火炉中的降温速率，以将所述第一对应关系和所述第二对应关系中相同降温时间下的表面参数校准到同一水平。通过所述方法在高温退火过程中发现降温速率的差异，并实现降温速率的校准。
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公开(公告)号：CN113109625A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110374102.X
申请日：2021-04-07
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅片导电类型的判定方法，包括：提供待测硅片，对所述待测硅片进行第一次电阻率测试，得到第一电阻率；对所述待测硅片进行热处理；对所述待测硅片进行第二次电阻率测试，得到第二电阻率；以及，对比所述第一电阻率和所述第二电阻率，判断所述待测硅片的导电类型。本发明用于判断具有高电阻率的硅片的导电类型，且测试结果不受硅片的表面电荷的影响，操作简单，对设备的要求低，成本低廉。
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公开(公告)号：CN112582332A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011443228.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/324 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供的一种绝缘体上硅结构及其方法，所述绝缘体上硅结构的方法包括以下步骤：提供一键合结构，所述键合结构包括第一衬底、第二衬底和绝缘埋层，所述绝缘埋层位于所述第一衬底和第二衬底之间；从所述键合结构上剥离去除部分厚度的所述第一衬底，以得到绝缘体上硅结构；通过恒温退火工艺平坦化处理所述绝缘体上硅结构，所述恒温退火工艺的压强低于常压。本发明通过恒温退火工艺平坦化处理所述绝缘体上硅结构，所述恒温退火工艺的压强低于常压，可以有效减少滑移线的数量，同时不会影响顶层硅的平坦化效果。
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公开(公告)号：CN111893558A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010625055.7
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片，包括第一折射层和第二折射层，所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同，所述第一折射层和所述第二折射层相互交替形成层叠结构，所述第一折射层和与之相邻设置的第二折射层相贴合；在此基础上，本发明还提供一种单晶硅生长炉，所述薄膜隔热片设置在所述单晶硅生长炉中的热屏上；本发明提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片，在热辐射波长范围内具有良好的反射性能，当将其设置在热屏上以应用于单晶硅生长炉中时，能够提高热屏对热能的反射能力，降低熔融的硅熔体热量的耗散，提高热能利用率；并且有利于热场的保温性能，从而有利于提高热场的质量以提高单晶硅生长的质量和产量。
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