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公开(公告)号：CN101901754A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010211448.X
申请日：2010-06-25
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底与器件衬底；在支撑衬底或器件衬底的表面生长绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将支撑衬底与器件衬底键合在一起；实施键合后的退火加固。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。
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公开(公告)号：CN1271423C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200410018081.4
申请日：2004-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种一维紫外到可见光波段光子晶体的材料及制备方法，属于光电子技术领域。其特征在于以石英作衬底，利用超高真空电子束蒸发在石英衬底上交替生长SiO2、TiO2薄膜，各5～10层，设计SiO2薄膜厚度10nm～96nm，TiO2薄膜厚度10nm～96nm，从而制备出一维紫外到可见光波段光子晶体材料。超高真空电子束蒸发时的真空度10-6-10-8乇。本方法相对于分子束外延(MBE)等方法工艺简单，成本较低，并且生长速度快，实验证明光子带隙清晰，为光子晶体材料在器件上的应用提供了比较快捷的制备工艺，同时为制备更高维数的紫外到可见光波段光子晶体打下基础。本发明可以用于研发微电子光刻工艺的下两代光源，即90nm和75nm光源。
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公开(公告)号：CN1172376C
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN01139288.6
申请日：2001-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法。其特征在于它具有Si/Si1-XGeX/SiO2/Si或Si1-XGeX/SiO2/Si的Si1-XGeX-OI结构，前者Ge组分恒定，一般小于30%；后者由递变Ge组分的Si1-XGeX缓冲层和Ge组分固定的Si1-XGeX层组成一种以外延和离子注入和键合技术，并利用特定的热处理工艺实现应变异质结结构的应变反转，从而得到高性能异质结MOSFET、MODFET等器件所需要的双轴张应变Si层。先在处理后的单晶Si衬底上外延一层Si1-XGeX薄层，注入H+离子或He+离子，注入能量为10keV～1MeV，剂量为1016～1017/cm2，形成气泡空腔层，利用键合工艺将另一片衬底材料于氧化硅片键合，在300～600℃下热处理，是键合片从气泡层处裂开，最后在800～1000℃、N2或Ar气氛中退火，加强键合，具有工艺简单、重复性和均匀性好的特点，且与常规硅集成电路工艺兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1385906A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN02111828.0
申请日：2002-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料(SOI)及制备方法,属于微电子学领域。其特征在于利用氢、氦等离子注入与键合技术,形成以Si、SiC、SiGe、GaAs、InP、类金刚石等半导体薄膜材料为有源层,以SiO2、AlN、Al2O3、玻璃、石英等为绝缘埋层的新一代广义的SOI先进材料。这种结合了微电子领域的先进半导体材料与SOI技术的新型材料,在增加电路抗辐照性能、提高电路速度、降低功耗等方面具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN1383003A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02111827.2
申请日：2002-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有双绝缘埋层SOI基的二维光子晶体波导及制备方法,属于光电子技术领域。特征在于顶层硅上形成具有线缺陷的二维周期结构,介质为Si或为硅和能与Si构成折射率差大于2的介质材料;周期常数a:0.18～0.5μm,介质孔径d:0.225～0.9μm;线缺陷宽度w=1.5～3a。双绝缘埋层为SiO2/Si3N4,或SiO2/Al2O3,或SiO2/AlN,或Al2O3/AlN,或Al2O3/Si3N4,或AlN/Si3N4中的一种,双绝缘埋层厚度0.2－3μm。其制作方法是采用改进智能剥离法H+、He+离子共注入然后结合电子束光刻和深反应离子刻蚀。本波导的优势是在大角度转弯时能量损失非常小,几乎为零,从而解决了光学集成电路中由于传统波导造成的瓶颈难题,使光子晶体在制备高集成、且与传统微电子平面加工工艺相匹配的光学集成电路中具有现实意义。
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公开(公告)号：CN1359158A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN01139288.6
申请日：2001-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法。其特征在于它具有Si/SiGe/SiO2/Si或SiGe/SiO2/Si的SiGe－OI结构,前者Ge组分恒定,一般小于30%;后者由递变Ge组分的SiGe缓冲层和Ge组分固定的SiGe层组成一种以外延和离子注入和键合技术,并利用特定的热处理工艺实现应变异质结结构的应变反转,从而得到高性能异质结MOSFET、MODFET等器件所需要的双轴张应变Si层。先在处理后的单晶Si衬底上外延一层SiGe薄层,注入H+离子或He+离子,注入能量为10keV～1MeV,剂量为1016～1017/cm2,形成气泡空腔层,利用键合工艺将另一片衬底材料于氧化硅片键合,在300～600℃下热处理,是键合片从气泡层处裂开,最后在800～1000℃、N2或Ar气氛中退火,加强键合,具有工艺简单、重复性和均匀性好的特点,且与常规硅集成电路工艺兼容。
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公开(公告)号：CN100585805C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200810201039.4
申请日：2008-10-10
Applicant: 上海新傲科技有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84
Abstract: 一种绝缘体上的硅衬底的制备方法，包括如下步骤：(a)提供单晶硅衬底；(b)在单晶硅衬底表面生长掺杂单晶硅层；(c)提供支撑衬底；(d)将支撑衬底和单晶硅衬底键合在一起，形成键合后的衬底；(e)对键合后的衬底进行第一次退火；(f)腐蚀单晶硅衬底至露出掺杂单晶硅层；(g)对键合后的衬底进行第二次退火；(h)抛光腐蚀后露出的掺杂单晶硅层的表面。本发明的优点在于，利用旋转腐蚀工艺加速掺杂离子脱离表面的速度，保持腐蚀溶液的活性，从而提高腐蚀溶液对不同掺杂浓度单晶硅的腐蚀选择比，从而提高SOI衬底顶层硅厚度的均匀性。并且采用两次退火的方法，同时保证了旋转腐蚀的界面质量和键合界面的牢固程度。
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公开(公告)号：CN101369525A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810201039.4
申请日：2008-10-10
Applicant: 上海新傲科技有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84
Abstract: 一种绝缘体上的硅衬底的制备方，包括如下步骤：(a)提供单晶硅衬底；(b)在单晶硅衬底表面生长掺杂单晶硅层；(c)提供支撑衬底；(d)将支撑衬底和单晶硅衬底键合在一起，形成键合后的衬底；(e)对键合后的衬底进行第一次退火；(f)腐蚀单晶硅衬底至露出掺杂单晶硅层；(g)对键合后的衬底进行第二次退火；(h)抛光腐蚀后露出的掺杂单晶硅层的表面。本发明的优点在于，利用旋转腐蚀工艺加速掺杂离子脱离表面的速度，保持腐蚀溶液的活性，从而提高腐蚀溶液对不同掺杂浓度单晶硅的腐蚀选择比，从而提高SOI衬底顶层硅厚度的均匀性。并且采用两次退火的方法，同时保证了旋转腐蚀的界面质量和键合界面的牢固程度。
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