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发明公开
一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料及制备方法无效

公开(公告)号：CN1385906A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN02111828.0

申请日：2002-05-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 , 吴雁军 , 刘卫丽 , 安正华 , 林成鲁

IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/00

Abstract: 本发明涉及一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料(SOI)及制备方法,属于微电子学领域。其特征在于利用氢、氦等离子注入与键合技术,形成以Si、SiC、SiGe、GaAs、InP、类金刚石等半导体薄膜材料为有源层,以SiO2、AlN、Al2O3、玻璃、石英等为绝缘埋层的新一代广义的SOI先进材料。这种结合了微电子领域的先进半导体材料与SOI技术的新型材料,在增加电路抗辐照性能、提高电路速度、降低功耗等方面具有重要的应用前景。

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