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公开(公告)号：CN101070592B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710041967.4
申请日：2007-06-14
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及的是一种材料技术领域的铜或其合金的复合离子注入表面改性的方法。首先对铜或者铜合金表面进行研磨，并抛光至1200#-1500#，再用去离子水和有机液对样品表面进行清洗，烘干后备用；采用复合离子注入工艺，将铜或其合金放入离子注入复合镀膜设备内，实现在铜或其合金表面依次注入金属元素和非金属元素。本发明高能离子以很高的速度注入铜及其合金的表面，使其表面产生很多的点缺陷和线缺陷，这些缺陷的产生使得材料表面得到强化，提高其硬度，改善其耐磨性能；还可显著地减少铜及其合金表面的氧吸附量或在其表面形成一层致密的氧化保护膜，从而提高铜及其合金的抗氧化性能和耐腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN101265565A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810037103.X
申请日：2008-05-08
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种无推进长寿命阴极电弧源装置，属于材料表面处理技术领域。本发明包括：阴极电弧靶、阴极底座、可动屏蔽罩、支撑屏蔽罩、屏蔽罩底座、水冷阳极、触发装置。阴极电弧靶和阴极底座采用螺纹连接，支撑屏蔽罩一端通过内螺纹和屏蔽罩底座相连，另一端通过内螺纹和可动屏蔽罩连接，可动屏蔽罩与支撑屏蔽罩之间通过螺纹实现相对移动，水冷阳极和阴极电弧靶之间电绝缘，触发装置和阴极电弧靶的工作端面靠近，通过触发装置和工作端面的接触和分离来引发电弧。本发明通过对可动屏蔽罩和支撑屏蔽罩相对位置的调节，实现了对大尺寸阴极电弧靶的兼容，提高了阴极电弧靶的寿命，实施简单，成本低廉，对电弧侧烧的屏蔽效果明显。
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公开(公告)号：CN101250669A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810035820.9
申请日：2008-04-10
Applicant: 上海交通大学 , 浙江一胜特工模具股份有限公司
IPC: C22C38/30
Abstract: 本发明涉及一种材料技术领域的低钴低合金高速工具钢，其包含的组分及其质量百分数为：C 0.85－0.95，Si 0.70－1.10，Mn 0.20－0.40，P 0－0.030，S 0－0.030，Cr 3.80－4.40，Mo 1.30－2.00，W 4.80－5.60，V 1.40－1.80，Co 0.30－1.80，余量为Fe。本发明在W+1.8Mo为7％的低合金高速工具钢中加入小于2.0％Co，既保持低合金高速工具钢优点，又提高和完善其性能，能更好满足一定工况条件下使用要求。
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公开(公告)号：CN101250667A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810035537.6
申请日：2008-04-03
Applicant: 上海交通大学 , 浙江一胜特工模具股份有限公司
IPC: C22C38/24
Abstract: 本发明涉及一种材料技术领域的通用型冷作工具钢，包含的组分及其质量百分数为：C：0.90－1.10、Si：0.70－1.30、Mn：0.30－1.00、P：≤0.030、S：≤0.030、Cr：4.00－5.50、Mo：0.50－1.00、W：1.00－1.90、V：0.75－1.20，余量为Fe。本发明比目前广泛应用的铬12系、铬8系冷作模具钢具有更好的硬度、耐磨性与韧性和热硬度的匹配，综合力学性能更佳，可用于制作合金工具钢、刃具和模具，本发明提供一种高性能冷作工具钢，可供选择使用。
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公开(公告)号：CN101144770A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710044482.0
申请日：2007-08-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种测量技术领域的测量硅基体与膜基结合强度的方法。本发明方法为：在硅基底背面使用刻蚀法制作带窗口的图案，在窗口中预留部分基体作为加载的平台，基底正面的薄膜暴露在背面的窗口中，当预留下的基体受压穿透基体并带动薄膜脱离基体时，记录发生的最大法向位移，由已有的公式得出自由能释放率，以此表征膜基体系的结合强度。本发明能克服已有检测设备定性测量或样品尺寸要求高的不足，可以依靠现有设备及成熟的制样工艺，利用接触式背面穿透法较快速地定量检测复杂形状下膜基结合强度的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101070592A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710041967.4
申请日：2007-06-14
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及的是一种材料技术领域的铜及其合金的复合离子注入表面改性的方法。首先对铜或者铜合金表面进行研磨，并抛光至1200#－1500#，再用去离子水和有机液对样品表面进行清洗，烘干后备用；采用复合离子注入工艺，将铜及其合金放入离子注入复合镀膜设备内，实现在铜及其合金表面同时注入非金属元素和金属元素。本发明高能离子以很高的速度注入铜及其合金的表面，使其表面产生很多的点缺陷和线缺陷，这些缺陷的产生使得材料表面得到强化，提高其硬度，改善其耐磨性能；还可显著地减少铜及其合金表面的氧吸附量或在其表面形成一层致密的氧化保护膜，从而提高铜及其合金的抗氧化性能和耐腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN1295765C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410016771.6
申请日：2004-03-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/368 , H01L31/0296 , C01B17/00 , C01B19/04
Abstract: 一种光伏半导体薄膜镀液及其制备方法，用于液相生长半导体薄膜技术领域。镀液为：CdCl20.07-5%，NH4NO30.1-4%，KOH 1-6%，CS(NH2)20.3-15%，聚乙二醇为0.1-1%，其余为去离子水。通过添加聚乙二醇的方式，制备了均匀致密的CdS薄膜。具体制备步骤进一步描述如下：基片依次经过丙酮、去离子水超声波清洗，烘干备用；溶液配置过程为在烧杯中依次加入CdCl2、KOH、NH4NO3溶液和聚乙二醇溶液搅拌均匀，利用KOH调节镀液到合适的pH值，放置20min；待溶液稳定后，水浴加热到60-90℃，加入事先配好的硫脲溶液，混合均匀后，竖直放入基片，镀膜过程开始；沉积结束后，通过超声波清洗的方式去除薄膜表面附着的CdS颗粒。在制备过程中无需强制搅拌，所制备CdS薄膜晶粒大小均匀、附着性好、光透过率高。
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公开(公告)号：CN1804113A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610023448.0
申请日：2006-01-19
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种薄膜技术领域的调节磁控溅射反应气体分压制备Ti－Si－N膜的方法。本发明采用直流反应磁控溅射，溅射靶为Ti－Si镶嵌靶，工作气氛为氮气和氩气的混合气氛，Ti－Si镶嵌靶上Ti、Si有效溅射面积比固定，总工作气压固定，通过在0.002Pa－0.04Pa之间改变氮气分压，制备得到Ti－Si－N纳米复合膜。本发明可以简化原有的工艺方法，仅通过改变一种反应气体的气体分压就可方便地控制膜层的成分、微观组织结构和力学性能，具有较强的实用性。
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公开(公告)号：CN1206386C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN03129551.7
申请日：2003-06-26
Applicant: 上海交通大学 , 核工业西南物理研究院
IPC: C23C14/48
Abstract: 一种离子注入复合镀膜设备属于镀膜技术领域。本发明的气体离子源、金属离子源、直流磁控溅射靶源、中频脉冲磁控溅射靶源和两套直流磁过滤电弧离子镀源、六个源头共用一个真空室，并固定在复合镀膜机的外壳上，气体离子源垂直位于真空室上部的正中，金属离子源位于气体离子源的一侧，斜插于真空室上部，直流磁控溅射靶源和中频磁控溅射靶源、两个直流磁过滤电弧离子镀源则分布在二条对角线上，并位于真空室两侧偏上部位，六个源头的中心线汇聚在多用样品台工件上，真空抽气系统与真空室连接。本发明集几种材料表面改性技术于一体，一机多用，既降低了设备制造成本，又具有多功能效果，设备设计新颖，结构合理紧凑。
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公开(公告)号：CN1570199A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410018294.7
申请日：2004-05-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 一种自辉光等离子体基离子注入或者注入且沉积装置，用于材料表面改性领域。本发明包括：注入元素蒸发系统，注入元素导入系统，离化和注入或者注入且沉积系统，真空系统，注入元素蒸发系统连接到注入元素导入系统，注入元素导入系统再连接到离化和注入或者注入且沉积系统，离化和注入或者注入且沉积系统位于真空系统内部。本发明使得注入的整个过程都比较稳定且可以最大幅度降低对真空系统的污染；利用自辉光产生等离子体，不再需要额外的等离子激发装置，节约成本，利用空心阳极，大面积阴极技术形成聚焦电场，电子向阳极的聚焦，提高了辉光放电的离化率，提高了注入或者注入且沉积的效率。
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