-
公开(公告)号：CN1296515C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200410018294.7
申请日：2004-05-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 一种自辉光等离子体基离子注入或者注入且沉积装置，用于材料表面改性领域。本发明包括：注入元素蒸发系统，注入元素导入系统，离化和注入或者注入且沉积系统，真空系统，注入元素蒸发系统连接到注入元素导入系统，注入元素导入系统再连接到离化和注入或者注入且沉积系统，离化和注入或者注入且沉积系统位于真空系统内部。本发明使得注入的整个过程都比较稳定且可以最大幅度降低对真空系统的污染；利用自辉光产生等离子体，不再需要额外的等离子激发装置，节约成本，利用空心阳极，大面积阴极技术形成聚焦电场，电子向阳极的聚焦，提高了辉光放电的离化率，提高了注入或者注入且沉积的效率。
-
公开(公告)号：CN1570200A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410018295.1
申请日：2004-05-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种离子注入或者注入且沉积的材料表面改性方法。用于材料表面改性领域。首先，完成对系统的预先抽真空，获得气态或者汽态的注入或者注入且沉积用的粒子，然后利用馈送管路系统，将注入或者注入且沉积用粒子的离化和注入或者注入且沉积，导入到一个离化和注入或者注入且沉积工作室的点状阳极，在离化和注入或者注入且沉积工作室中，点状阳极接电源的正极和大面积阴极或大面积阴极靶台接电源负极，两者之间构成带有电子聚焦作用的电场，当电压大于起辉电压时，阳极和阴极之间产生辉光放电，工件附近等离子体中离子被加速，电子被驱离，形成等离子体鞘层，离子通过鞘层后被加速，注入到工件内部或者沉积到工件表面，完成材料表面改性过程。
-
公开(公告)号：CN1268781C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200410018295.1
申请日：2004-05-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种离子注入或者注入且沉积的材料表面改性方法。用于材料表面改性领域。首先，完成对系统的预先抽真空，获得气态或者汽态的注入或者注入且沉积用的粒子，然后利用馈送管路系统，将注入或者注入且沉积用粒子的离化和注入或者注入且沉积，导入到一个离化和注入或者注入且沉积工作室的点状阳极，在离化和注入或者注入且沉积工作室中，点状阳极接电源的正极和大面积阴极或大面积阴极靶台接电源负极，两者之间构成带有电子聚焦作用的电场，当电压大于起辉电压时，阳极和阴极之间产生辉光放电，工件附近等离子体中离子被加速，电子被驱离，形成等离子体鞘层，离子通过鞘层后被加速，注入到工件内部或者沉积到工件表面，完成材料表面改性过程。
-
公开(公告)号：CN1570199A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410018294.7
申请日：2004-05-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 一种自辉光等离子体基离子注入或者注入且沉积装置，用于材料表面改性领域。本发明包括：注入元素蒸发系统，注入元素导入系统，离化和注入或者注入且沉积系统，真空系统，注入元素蒸发系统连接到注入元素导入系统，注入元素导入系统再连接到离化和注入或者注入且沉积系统，离化和注入或者注入且沉积系统位于真空系统内部。本发明使得注入的整个过程都比较稳定且可以最大幅度降低对真空系统的污染；利用自辉光产生等离子体，不再需要额外的等离子激发装置，节约成本，利用空心阳极，大面积阴极技术形成聚焦电场，电子向阳极的聚焦，提高了辉光放电的离化率，提高了注入或者注入且沉积的效率。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.012 seconds)
