公开(公告)号：CN1560910A

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN200410016771.6

申请日：2004-03-04

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 蔡珣 ,  李文漪 ,  陈秋龙

IPC: H01L21/368 ,  H01L31/0296

Abstract: 一种光伏半导体薄膜镀液及其制备方法，用于液相生长半导体薄膜技术领域。镀液为：CdCl20.07－5％，NH4NO30.1－4％，KOH 1－6％，CS(NH2)20.3－15％，聚乙二醇为0.1－1％，其余为去离子水。通过添加聚乙二醇的方式，制备了均匀致密的CdS薄膜。具体制备步骤进一步描述如下：基片依次经过丙酮、去离子水超声波清洗，烘干备用；溶液配置过程为在烧杯中依次加入CdCl2、KOH、NH4NO3溶液和聚乙二醇溶液搅拌均匀，利用KOH调节镀液到合适的pH值，放置20min；待溶液稳定后，水浴加热到60－90℃，加入事先配好的硫脲溶液，混合均匀后，竖直放入基片，镀膜过程开始；沉积结束后，通过超声波清洗的方式去除薄膜表面附着的CdS颗粒。在制备过程中无需强制搅拌，所制备CdS薄膜晶粒大小均匀、附着性好、光透过率高。

公开(公告)号：CN1295765C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200410016771.6

申请日：2004-03-04

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 蔡珣 ,  李文漪 ,  陈秋龙

IPC: H01L21/368 ,  H01L31/0296 ,  C01B17/00 ,  C01B19/04

Abstract: 一种光伏半导体薄膜镀液及其制备方法，用于液相生长半导体薄膜技术领域。镀液为：CdCl20.07-5%，NH4NO30.1-4%，KOH 1-6%，CS(NH2)20.3-15%，聚乙二醇为0.1-1%，其余为去离子水。通过添加聚乙二醇的方式，制备了均匀致密的CdS薄膜。具体制备步骤进一步描述如下：基片依次经过丙酮、去离子水超声波清洗，烘干备用；溶液配置过程为在烧杯中依次加入CdCl2、KOH、NH4NO3溶液和聚乙二醇溶液搅拌均匀，利用KOH调节镀液到合适的pH值，放置20min；待溶液稳定后，水浴加热到60-90℃，加入事先配好的硫脲溶液，混合均匀后，竖直放入基片，镀膜过程开始；沉积结束后，通过超声波清洗的方式去除薄膜表面附着的CdS颗粒。在制备过程中无需强制搅拌，所制备CdS薄膜晶粒大小均匀、附着性好、光透过率高。