自由开放式线圈过滤器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100460556C

    公开(公告)日:2009-02-11

    申请号:CN200610117883.X

    申请日:2006-11-02

    Abstract: 一种自由开放式线圈过滤器,属于镀膜和材料表面改性技术领域。本发明包括:线圈、线圈固定以及绝缘装置、线圈支撑装置和工件罩,线圈使用紫铜软管绕制,线圈固定以及绝缘装置将线圈相邻匝固定住,线圈支撑装置从线圈的中部托住,保证线圈能稳定放置在真空炉内,工件罩位于线圈出口,线圈的相邻匝之间保持3mm到20mm的距离,线圈的供电使用直流电源或者脉冲电源,线圈相对于阳极具有+20V的电位,线圈使用直接水冷方式。本发明具有实施简单、使用灵活的优点,可广泛适用于电子、工具、装饰等表面精密制造和高质量镀膜领域。

    调节磁控溅射反应气体分压制备Ti-Si-N膜的方法

    公开(公告)号:CN1804113A

    公开(公告)日:2006-07-19

    申请号:CN200610023448.0

    申请日:2006-01-19

    Abstract: 一种薄膜技术领域的调节磁控溅射反应气体分压制备Ti-Si-N膜的方法。本发明采用直流反应磁控溅射,溅射靶为Ti-Si镶嵌靶,工作气氛为氮气和氩气的混合气氛,Ti-Si镶嵌靶上Ti、Si有效溅射面积比固定,总工作气压固定,通过在0.002Pa-0.04Pa之间改变氮气分压,制备得到Ti-Si-N纳米复合膜。本发明可以简化原有的工艺方法,仅通过改变一种反应气体的气体分压就可方便地控制膜层的成分、微观组织结构和力学性能,具有较强的实用性。

    多通道线圈过滤器离子复合镀膜装置和方法

    公开(公告)号:CN101016617A

    公开(公告)日:2007-08-15

    申请号:CN200710037887.1

    申请日:2007-03-08

    Abstract: 一种多通道线圈过滤器离子复合镀膜装置,属于镀膜和材料表面改性领域。本发明装置包括:多通道自由开放式线圈过滤器,过滤器定形以及绝缘装置、过滤器定位装置和工件罩,所述的多通道自由开放式线圈过滤器具有两个或多个引导通道以及一个混合通道,两个或多个引导通道呈对称分布,它们的入口正对两个或多个阴极电弧靶、出口正对混合通道的入口,混合通道的出口正对工件,工件位于工件罩内,过滤器定形以及绝缘装置卡在上述过滤器中线圈的相邻匝之间,过滤器定位装置将该过滤器固定在真空炉内。本发明还提供了应用上述装置进行离子复合镀膜的方法。本发明实施简单、所得膜层表面光洁、成分和结构可控,可应用于光学及高精度镀膜领域。

    自由开放式线圈过滤器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1944703A

    公开(公告)日:2007-04-11

    申请号:CN200610117883.X

    申请日:2006-11-02

    Abstract: 一种自由开放式线圈过滤器,属于镀膜和材料表面改性技术领域。本发明包括:线圈、线圈固定以及绝缘装置、线圈支撑装置和工件罩,线圈使用紫铜软管绕制,线圈固定以及绝缘装置将线圈相邻匝固定住,线圈支撑装置从线圈的中部托住,保证线圈能稳定放置在真空炉内,工件罩位于线圈出口,线圈的相邻匝之间保持3mm到20mm的距离,线圈的供电使用直流电源或者脉冲电源,线圈相对于阳极具有+20V的电位,线圈使用直接水冷方式。本发明具有实施简单、使用灵活的优点,可广泛适用于电子、工具、装饰等表面精密制造和高质量镀膜领域。

    多通道线圈过滤器离子复合镀膜装置和方法

    公开(公告)号:CN100554498C

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:CN200710037887.1

    申请日:2007-03-08

    Abstract: 一种多通道线圈过滤器离子复合镀膜装置,属于镀膜和材料表面改性领域。本发明装置包括:多通道自由开放式线圈过滤器,过滤器定形以及绝缘装置、过滤器定位装置和工件罩,所述的多通道自由开放式线圈过滤器具有两个或多个引导通道以及一个混合通道,两个或多个引导通道呈对称分布,它们的入口正对两个或多个阴极电弧靶、出口正对混合通道的入口,混合通道的出口正对工件,工件位于工件罩内,过滤器定形以及绝缘装置卡在上述过滤器中线圈的相邻匝之间,过滤器定位装置将该过滤器固定在真空炉内。本发明还提供了应用上述装置进行离子复合镀膜的方法。本发明实施简单、所得膜层表面光洁、成分和结构可控,可应用于光学及高精度镀膜领域。

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