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公开(公告)号:CN110892537A
公开(公告)日:2020-03-17
申请号:CN201880047442.8
申请日:2018-05-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor: 中田嘉信
Abstract: 一种镁系热电转换材料(11),其由镁系化合物的烧结体形成,该镁系热电转换材料(11)的特征在于,在所述烧结体的截面中,在镁系化合物粒子的晶界局部存在Si浓度高于所述镁系化合物粒子的内部的富含Si金属相(15),富含Si金属相(15)所占的面积率在2.5%以上且10%以下的范围内,面积为1μm2以上的富含Si金属相(15)的数密度在1800个/mm2以上且14000个/mm2以下的范围内。
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公开(公告)号:CN108140713A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201680056456.7
申请日:2016-09-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种热电转换模块(1),其以在一组对置的配线基板(2A、2B)之间组合有多对P型热电转换元件(3)及N型热电转换元件(4)的状态经由配线基板(2A、2B)串联连接,其中,配线基板(2A、2B)通过在陶瓷基板(30)的表面形成供热电转换元件(3、4)连接的电极部(11、12)而成,热电转换元件中,沿热膨胀系数较大的热电转换元件中的两个配线基板的对置方向的长度形成为比沿热膨胀系数较小的热电转换元件中的两个配线基板的对置方向的长度小,热膨胀系数较大的热电转换元件的两端中的至少一个与配线基板的陶瓷基板之间夹着导电性衬垫(15)。
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公开(公告)号:CN103903952B
公开(公告)日:2017-10-10
申请号:CN201310733719.1
申请日:2013-12-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01J37/32798 , C01B33/02 , H01J37/32467 , H01J37/32495 , H01J37/3255
Abstract: 本发明提供一种等离子蚀刻装置用硅部件及等离子蚀刻装置用硅部件的制造方法,所述硅部件即使配置在等离子蚀刻装置的反应室内部,也不会因等离子蚀刻而提前损耗,且能够抑制粒子的产生。本发明的等离子蚀刻装置用硅部件,其在等离子蚀刻装置的反应室内部使用,所述硅部件的特征在于,由多晶硅、准单晶硅或单晶硅中的任一种构成,含有1×1018atoms/cc以上1×1020atoms/cc以下的范围内的硼作为掺杂剂。
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公开(公告)号:CN102689001B
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201210073804.5
申请日:2012-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱材料电子化成株式会社
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种硅锭制造装置、硅锭的制造方法及硅锭、硅晶圆、太阳能电池和硅零件,所述硅锭制造装置能够制造杂质量较少且杂质量的偏差较小的硅锭,其具有载置于坩埚上的盖,在盖的平面中心附近连接有惰性气体供给构件,盖具有:载置部,载置于坩埚的侧壁上端面;檐部,从坩埚的侧壁外边向外侧突出;及开口部,沿厚度方向贯穿,檐部配置于坩埚的侧壁上端外周边的10%以上区域的外周侧且从侧壁上端外边的突出长度为50mm以上,开口部形成在距坩埚的侧壁上端内边100mm以内的区域,由开口部形成的坩埚的上端内侧区域的露出面积的合计为坩埚的整个上端内侧区域的面积的1.5%以上且10%以下。
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