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公开(公告)号：CN108885997A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780013335.9
申请日：2017-02-10
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/312 , B05D7/24 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: B05D7/24 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于将使用了含硅组合物的半导体基板平坦地被覆的方法。本发明提供一种聚硅氧烷被覆基板的制造方法，所述聚硅氧烷被覆基板是经过下述工序制造的：第一工序，将包含第一被覆用聚硅氧烷的第一被覆用聚硅氧烷组合物涂布于高低差基板上并进行烧成，从而制成第一聚硅氧烷被覆膜，以及，第二工序，将包含第二被覆用聚硅氧烷的第二被覆用聚硅氧烷组合物涂布于第一聚硅氧烷被覆膜上并进行烧成，从而制成第二聚硅氧烷被覆膜，所述第二被覆用聚硅氧烷与第一被覆用聚硅氧烷不同，上述第二聚硅氧烷被覆膜的Iso‑dense偏差为50nm以下，上述第一被覆用聚硅氧烷包含下述水解性硅烷原料的水解缩合物，所述水解性硅烷原料以在全部硅烷中成为0～50摩尔％的比例包含每一分子具有4个水解性基团的第一水解性硅烷，上述第二被覆用聚硅氧烷以相对于Si原子为30摩尔％以下的比例包含硅烷醇基，并且重均分子量为1,000～50,000。
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公开(公告)号：CN112166379B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN201980035022.2
申请日：2019-05-21
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/02 , C08G10/00 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：碳原子数6～60的芳香族化合物(A)、与碳原子数3～60的环式羰基化合物(B)所具有的羰基的反应生成物；以及溶剂，上述反应生成物中，上述环式羰基化合物(B)的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物(A)。
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公开(公告)号：CN118974659A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380031452.3
申请日：2023-03-20
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 提供对高低差基板的埋入性和平坦化性优异，并且作为抗蚀剂下层膜的主要成分的聚合物的保存稳定性高的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成法、和使用了该组合物的半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，是包含(a)下述式(I)所示的热产酸剂；(b)含有芳香族环的聚合物；(c)碱B2；和(d)溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在式(I)中，A1为可以被取代的直链、支链或环状的、饱和或不饱和的脂肪族烃基、可以被取代的芳香族环残基，在式(一)中，B1为抗衡碱，在B1和B2中，至少一种以上碱的pKa大于吡啶的pKa。[(A1(SO3)n]n‑(B1II)n+(一)。
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公开(公告)号：CN113906077B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202080033573.8
申请日：2020-05-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/17 , C08G59/62 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供显示高的蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，可形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有下述式(A)表示的化合物的一种或二种以上、下述式(B)表示的聚合物的一种或二种以上及溶剂；(式(A)中，X表示碳原子数2～50的n价有机基，n个Y分别独立地表示具有至少1个羟基的碳原子数6～60的芳香族烃基，n表示1～4的整数)；[式(B)中，R1表示氢原子或甲基，R2表示选自下述式(B‑1)～(B‑3)中的至少一种基；(式(B‑1)～(B‑3)中，*表示与邻接的氧原子的键结部位)]。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115362216B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202180024987.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08L83/04 , C08G77/14 , C08K5/05 , C08K5/06 , C08K5/19 , C08K5/34 , C08K5/42 , C08K5/49 , C08K5/50 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于形成溶剂显影型抗蚀剂的抗蚀剂下层膜的膜形成用组合物，所述抗蚀剂下层膜能够形成良好的抗蚀剂图案。该膜形成用组合物的特征在于包含水解性硅烷化合物的水解缩合物、选自由氨基塑料交联剂及酚醛塑料交联剂组成的组中的至少1种交联剂和溶剂，且上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)表示的水解性硅烷。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) (1)。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN114503033B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202080070957.7
申请日：2020-10-01
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027 , C08G8/04 , C08G6/00
Abstract: 提供用于形成不溶于抗蚀剂溶剂、光学常数良好、可以适当调整蚀刻速率的抗蚀剂下层膜，并且对高低差基板的埋入性和平坦化性优异的组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：(A)下述式(I)所示的交联性化合物；以及(D)溶剂。[式中，n为2～6的整数，n个Z各自独立地为包含单甲酰基芳基、二甲酰基芳基、三甲酰基芳基、四甲酰基芳基、五甲酰基芳基或六甲酰基芳基的1价有机基，n个A各自独立地表示‑OCH2CH(OH)CH2O‑、或(BB)，T为可以被羰基和/或氧原子中断的n价烃基以及/或聚合物的重复单元，且T可以具有选自羟基、环氧基、酰基、乙酰基、苯甲酰基、羧基、羰基、氨基、亚氨基、氰基、偶氮基、叠氮基、硫醇基、磺基和烯丙基中的至少一个基团。]
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公开(公告)号：CN116057095A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180057444.7
申请日：2021-08-03
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G12/08
Abstract: 提供能够发挥污染装置的升华物量的减少、被覆膜的面内均匀涂布性的改善、并且对也被用于抗蚀剂下层膜的药液也显示充分的耐性等其它良好的特性的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含溶剂、以及包含下述式(1)所示的单元结构(A)的聚合物。(在式(1)中，Ar1和Ar2各自表示苯环或萘环，R1和R2各自为取代Ar1和Ar2的环上的氢原子的基团，R4选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基、和杂环基，R5选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基、和杂环基，n1和n2各自为0～3的整数。)。
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公开(公告)号：CN115362413A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180026667.7
申请日：2021-03-31
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供获得能够作为具有对作为上层而形成的抗蚀剂膜用的组合物的溶剂的耐性、对氟系气体的良好的蚀刻特性、进一步良好的光刻特性的抗蚀剂下层膜而良好地起作用的膜的组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，是包含使用包含2种以上酸性基的酸性化合物将水解性硅烷化合物水解和缩合而获得的水解缩合物、和溶剂的膜形成用组合物，上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)所示的含有氨基的硅烷。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示包含氨基的有机基，R2为与硅原子结合的基团，表示可以被取代的烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的卤代烷基、可以被取代的卤代芳基、可以被取代的卤代芳烷基、可以被取代的烷氧基烷基、可以被取代的烷氧基芳基、可以被取代的烷氧基芳烷基、或可以被取代的烯基，或表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基，R3为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a为1～2的整数，b为0～1的整数，满足a+b≤2。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
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公开(公告)号：CN113906077A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080033573.8
申请日：2020-05-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/17 , C08G59/62 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供显示高的蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，可形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有下述式(A)表示的化合物的一种或二种以上、下述式(B)表示的聚合物的一种或二种以上及溶剂；(式(A)中，X表示碳原子数2～50的n价有机基，n个Y分别独立地表示具有至少1个羟基的碳原子数6～60的芳香族烃基，n表示1～4的整数)；[式(B)中，R1表示氢原子或甲基，R2表示选自下述式(B‑1)～(B‑3)中的至少一种基；(式(B‑1)～(B‑3)中，*表示与邻接的氧原子的键结部位)]。
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