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发明公开
含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物和含有硅的抗蚀剂下层膜审中-实审

公开(公告)号：CN117716295A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202280051944.4

申请日：2022-07-28

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 , 武田论 , 志垣修平 , 中岛诚

IPC: G03F7/11

Abstract: 一种含有硅的抗蚀剂下层膜，其在220nm～300nm的波长区域中的光学吸收系数(k值)的最大值为0.05以上。

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