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公开(公告)号：CN106485669A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610740690.3
申请日：2016-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06T5/00
CPC classification number: H04N19/60 , G03H1/0808 , G03H2210/30 , G03H2226/02 , G06F17/142 , H04N19/42
Abstract: 一种图像处理方法包括：通过在行方向上对具有行和列的数据执行一维(1D)快速傅立叶变换(FFT)来生成第一数据；通过在列方向上对第一数据的一部分执行1D FFT来生成第二数据；以及存储第二数据的一部分。
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公开(公告)号：CN103000220B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210324904.0
申请日：2012-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: H01L29/78684 , G11C29/12005
Abstract: 半导体器件和操作该半导体器件的方法。该半导体器件包括：电压产生器，被配置为产生测试电压；石墨烯晶体管，被配置为基于测试电压接收栅极-源极电压；以及检测器，被配置为检测栅极-源极电压是否是石墨烯晶体管的狄拉克电压，并输出施加于电压产生器的反馈信号，其指示栅极-源极电压是否是狄拉克电压。
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公开(公告)号：CN102647180B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210023601.5
申请日：2012-02-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/094
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0069 , H03K19/1733
Abstract: 逻辑电路包括至少一个可变电阻器件，该至少一个可变电阻器件被配置成，该至少一个可变电阻器件的电阻值根据至少一个选择的值而变化。该选择的值是从输入信号的电压和电流当中选择的，并且该至少一个可变电阻器件被配置成记忆该电阻值。逻辑电路被配置成通过设置记忆的电阻值来存储多电平数据。
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公开(公告)号：CN104347520A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410366642.3
申请日：2014-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/788 , G06N3/049 , G06N3/063 , G11C11/54 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C14/0063 , G11C16/0433 , G11C2213/15 , G11C2213/53 , H01L27/11521 , H01L28/00 , H01L29/408 , H01L29/42324 , H01L29/51 , H01L29/512 , H01L29/517 , H01L29/685 , H01L29/78 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/147 , H01L21/8239 , H01L27/115 , H01L29/66007
Abstract: 本发明提供了非易失性存储器晶体管和包括非易失性存储器晶体管的设备。非易失性存储器晶体管可以包括沟道元件，与沟道元件相对应的栅极电极，在沟道元件和栅极电极之间的栅极绝缘层，在栅极绝缘层和栅极电极之间的离子物质移动层，以及相对于沟道元件彼此分离的源极和漏极。根据施加到栅极电极的电压，在离子物质移动层发生离子物质的移动。阈值电压根据离子物质的移动而变化。非易失性存储器晶体管具有多电平特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101882620B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201010170126.5
申请日：2010-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C5/025 , G11C5/02 , G11C8/10 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/0028 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 一种堆叠存储器件可以包括：衬底；依次堆叠在该衬底上的多个存储器组，每个存储器组包括至少一个存储器层；多个X译码器层，该多个X译码器层中的至少一个被布置在该多个存储器组的每一交替相邻的两个存储器组之间；和与该多个X译码器层交替布置的多个Y译码器层，该多个Y译码器层中的至少一个被布置在该多个存储器组的每一交替相邻的两个存储器组之间。
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公开(公告)号：CN102280992A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110113535.6
申请日：2011-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03K17/163 , H03K17/284
Abstract: 一种电源设备，包括：开关设备，具有控制端和输出端；以及驱动电路，配置为向该控制端提供驱动电压以使得该控制端与该输出端之间的电压维持小于或等于临界电压。根据该开关设备的电流-电压特性确定该驱动电压达到目标电平所需的上升时间。而且，当该控制端与该输出端之间的电压超过该临界电压时，在该控制端与该输出端之间产生泄漏电流。
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公开(公告)号：CN101882620A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010170126.5
申请日：2010-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C5/025 , G11C5/02 , G11C8/10 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/0028 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 一种堆叠存储器件可以包括：衬底；依次堆叠在该衬底上的多个存储器组，每个存储器组包括至少一个存储器层；多个X译码器层，该多个X译码器层中的至少一个被布置在该多个存储器组的每一交替相邻的两个存储器组之间；和与该多个X译码器层交替布置的多个Y译码器层，该多个Y译码器层中的至少一个被布置在该多个存储器组的每一交替相邻的两个存储器组之间。
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公开(公告)号：CN101174470A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710089844.8
申请日：2007-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金镐正
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/28
Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列和电压控制单元。存储单元阵列包括各自包含多个单元串的多个存储块。每个单元串包括第一选择晶体管、第二选择晶体管、以及串联连接在第一选择晶体管和第二选择晶体管之间的至少一个存储单元晶体管。电压控制单元响应于与所述多个存储块相对应的多个块选择信号，将第一选择线电压和字线电压分别提供给连接到第一选择晶体管的第一选择线以及连接到存储单元晶体管的字线，并且与块选择信号无关地将第二选择线电压直接提供给连接到第二选择晶体管的第二选择线。
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