公开(公告)号：CN105742358B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201510765524.4

申请日：2015-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  申铉振 ,  李载昊 ,  金海龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供了电子器件及其制造方法。该电子器件包括2D材料层以及彼此间隔开的第一电极和第二电极。2D材料层连接第一电极和第二电极。2D材料层包括多个2D纳米材料。2D纳米材料中的至少一些彼此交叠。

公开(公告)号：CN106410002B

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201610601246.3

申请日：2016-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋伣在 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  李载昊 ,  李昌锡 ,  赵连柱

IPC: H01L33/14

Abstract: 本发明涉及包括扩散阻挡层的多层结构体、包括其的器件和电子器件。所述多层结构体包括第一材料层、第二材料层、和扩散阻挡层。所述第二材料层连接至所述第一材料层。所述第二材料层与所述第一材料层隔开。所述扩散阻挡层在所述第一材料层和所述第二材料层之间。所述扩散阻挡层可包括二维(2D)材料。所述2D材料可为非基于石墨烯的材料，如具有2D晶体结构的基于金属硫属化物的材料。所述第一材料层可为半导体或绝缘体，且所述第二材料层可为导体。所述多层结构体的至少一部分可构成用于电子器件的互连。

公开(公告)号：CN110874633A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910821984.2

申请日：2019-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成浩 ,  金载兴 ,  李载昊

IPC: G06N3/063

Abstract: 一种配置为处理多位神经形态操作的神经形态设备，包括单个轴突电路、单个突触电路、单个神经元电路和控制器。单个轴突电路配置为接收n位轴突的第i位作为第一输入。单个突触电路配置为存储m位突触权重的第j位作为第二输入，并输出第一输入和第二输入之间的突触操作值。单个神经元电路配置为基于输出的突触操作值获得n位轴突和m位突触权重之间的多位神经形态操作结果的每个位值。控制器配置为分别确定对于不同时间段的每个时间段要顺序地分配给单个轴突电路和单个突触电路的第i位和第j位。

公开(公告)号：CN104659096B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201410433124.9

申请日：2014-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  卞卿溵 ,  宋俔在 ,  申铉振 ,  李珉贤 ,  柳寅敬 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种包括分离的结接触的石墨烯器件及其制造方法。石墨烯器件是其中石墨烯被用作沟道的场效应晶体管(FET)。源电极和漏电极不直接接触石墨烯沟道，通过掺杂半导体而形成的结接触分离地设置在石墨烯沟道和源电极之间以及石墨烯沟道和漏电极之间。因此，在其中电压不施加到栅电极的截止状态中，由于在石墨烯沟道和结接触之间的势垒，载流子不会移动。结果，石墨烯器件在截止状态可以具有低电流。

公开(公告)号：CN109037222A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810558824.9

申请日：2018-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  金海龙 ,  赵常玹 ,  申铉振

IPC: H01L27/11551

CPC classification number: H01L29/7887 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/54 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C13/025 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C2211/5612 ,  G11C2213/35 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687 ,  H01L27/11551

Abstract: 提供包括2维(2D)材料的非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的装置。非易失性存储器件可以包括在沟道元件与面对沟道元件的栅极电极之间的包括多个电荷存储层的存储堆叠。多个电荷存储层可以包括2D材料。层间势垒层可以进一步设置在多个电荷存储层之间。该非易失性存储器件可以由于所述多个电荷存储层而具有多位或多电平存储特性。

公开(公告)号：CN103715259B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201310221610.X

申请日：2013-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  朴晟准 ,  卞卿溵 ,  D.徐 ,  宋伣在 ,  李载昊 ,  郑现钟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/16 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管(TFET)。该TFET包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的半导体层；在半导体层上的石墨烯沟道，该石墨烯沟道朝向与第一电极相邻的第一区域延伸；在石墨烯沟道上的第二电极，该第二电极在第一区域上；覆盖石墨烯沟道的栅绝缘层；以及在栅绝缘层上的栅电极。第一电极和石墨烯沟道设置为彼此面对，半导体层设置在其间。

公开(公告)号：CN104617135A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410616370.8

申请日：2014-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  朴晟准 ,  李载昊 ,  许镇盛

IPC: H01L29/72 ,  H01L29/772 ,  H01L29/73 ,  H01L29/861 ,  H01L31/04 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18 ,  H01L21/335 ,  H01L21/328

Abstract: 本发明提供二维材料元件和半导体器件。根据示例实施方式，二维(2D)材料元件可以包括彼此化学地接合的第一2D材料和第二2D材料。第一2D材料可以包括第一金属硫属元素化物基材料。第二2D材料可以包括第二金属硫属元素化物基材料。第二2D材料可以接合至第一2D材料的侧面。2D材料元件可以具有PN结结构。2D材料元件可以包括具有不同带隙的多种2D材料。

公开(公告)号：CN103715259A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310221610.X

申请日：2013-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  朴晟准 ,  卞卿溵 ,  D.徐 ,  宋伣在 ,  李载昊 ,  郑现钟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/16 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管（TFET）。该TFET包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的半导体层；在半导体层上的石墨烯沟道，该石墨烯沟道朝向与第一电极间隔开的第一区域延伸；在石墨烯沟道上的第二电极，该第二电极在第一区域上；覆盖石墨烯沟道的栅绝缘层；以及在栅绝缘层上的栅电极。第一电极和石墨烯沟道设置为彼此面对，半导体层设置在其间。

公开(公告)号：CN102569398A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110230441.7

申请日：2011-08-12

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 郑现钟 ,  李载泓 ,  李载昊 ,  申炯澈 ,  徐顺爱 ,  李晟熏 ,  许镇盛 ,  梁喜准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。

公开(公告)号：CN1704778A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200410100306.0

申请日：2004-12-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张允根 ,  金镇汉 ,  吴成国 ,  金成珍 ,  李载昊

IPC: G02B6/16 ,  C03C25/00

CPC classification number: C03C25/64 ,  C03C13/047 ,  C03C25/607

Abstract: 公开了一种减小光纤的氢敏感性的方法。所述方法包括：氘气处理步骤，将光纤暴露于包括氘气的气体混合物以使光纤与氘气接触；以及脱气步骤，在负压条件下对氘气处理过的光纤进行脱气。