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公开(公告)号：CN1992069B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200610162858.3
申请日：2006-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C8/08 , G11C5/025 , G11C7/18 , G11C8/10 , G11C11/4085 , G11C11/4097
Abstract: 一种具有用于使读出放大器和字线驱动器区域的面积最小化的布局的半导体存储器件。在本发明的半导体存储器件中，在读出放大器区域中布置解码驱动器。此外，在相邻的子阵列中布置用于要被从解码驱动器传送到对应的子字线驱动器的信号的布线。因而，可显著地减小字线区域的面积。此外，还在相邻的子阵列中布置传送被提供到解码驱动器的预解码信号所需的布线。因而，显著地减小可读出放大器区域的面积。由此，本发明的半导体存储器件的优点在于，显著地减小了其布局面积。
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公开(公告)号：CN100541781C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610108738.5
申请日：2006-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0262
Abstract: 一种用于静电放电(ESD)保护的可控硅整流器(SCR)包括隔离设备。该隔离设备将连接到第一阴极的主地电压线与连接到第二阴极的外围地电压线相隔离。结果，即使当在集成电路的操作期间在外围地电压线中发生噪声时，主地电压线也维持稳定的电压电平。
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公开(公告)号：CN101154445A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710100908.X
申请日：2007-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/12 , G11C16/3427 , G11C2211/5621 , G11C2211/5642
Abstract: 一种非易失性半导体存储设备，包括第一和第二子存储器阵列和被安排在第一和第二子存储器阵列之间的母线。所述第一子存储器阵列的编程操作，通过同时施加编程电压到与所述第一子存储器阵列中的存储单元相连接的奇数和偶数位线而进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1992069A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610162858.3
申请日：2006-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C8/08 , G11C5/025 , G11C7/18 , G11C8/10 , G11C11/4085 , G11C11/4097
Abstract: 一种具有用于使读出放大器和字线驱动器区域的面积最小化的布局的半导体存储器件。在本发明的半导体存储器件中，在读出放大器区域中布置解码驱动器。此外，在相邻的子阵列中布置用于要被从解码驱动器传送到对应的子字线驱动器的信号的布线。因而，可显著地减小字线区域的面积。此外，还在相邻的子阵列中布置传送被提供到解码驱动器的预解码信号所需的布线。因而，显著地减小可读出放大器区域的面积。由此，本发明的半导体存储器件的优点在于，显著地减小了其布局面积。
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公开(公告)号：CN1067773A
公开(公告)日：1993-01-06
申请号：CN91110773.8
申请日：1991-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/146 , G01R31/316 , G05F3/205
Abstract: 用于半导体器件中的一个反偏电平传感器，其中用以感测反偏电压(VBB)的感测电流(I50)被防止直接流入衬底(或反偏电压端子)。一个PMOS晶体管(50)的栅极被提供以该反偏电压，而其源极被提供以地电压，在反偏电压(VBB)低于预定电压电平时，一个泵电路(300)执行泵激操作从而增大反偏电压。反之，解除对泵电路(300)的激励，从而减小反偏电压。
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公开(公告)号：CN108735247B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201710243378.8
申请日：2017-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14
Abstract: 公开了一种驱动器电路。驱动器电路包括箝位晶体管、比较电压晶体管、放大晶体管、偏置晶体管以及充电电路。比较电压晶体管被配置为提供比较电压。放大晶体管包括连接到箝位晶体管的第一节点的放大栅极、被配置为接收比较电压的第一放大节点以及连接到箝位晶体管的栅极的第二放大节点。偏置晶体管被配置为供给偏置电压。充电电路进行以下中的至少一个：被配置为通过箝位晶体管从第一节点汲取电流以及被配置为通过箝位晶体管向第一节点供给电流。
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公开(公告)号：CN105280221B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201510394733.2
申请日：2015-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了电阻型存储器装置和操作电阻型存储器装置的方法。操作电阻型存储器装置的方法包括：响应于写命令来对存储器单元执行预读取操作；对将被执行重置写操作的一个或更多个第一存储器单元执行擦除操作，所述一个或更多个第一存储器单元是基于得自预读取操作的预读取数据与写数据的比较结果而确定的；对被擦除的所述一个或更多个第一存储器单元之中的至少一些存储器单元并且对将被执行设置写操作的一个或更多个第二存储器单元执行设置方向编程。
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公开(公告)号：CN103794247B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201310484627.4
申请日：2013-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/16 , G11C11/1673 , G11C11/1693 , G11C11/5607 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0061 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 提供了使用可变电阻材料的非易失性存储装置。第一箝位单元连接在电阻存储器单元和第一感测节点之间，向电阻存储器单元提供第一箝位偏压。第一箝位偏压随时间而变化。第一补偿单元向第一感测节点提供补偿电流。第一感测放大器，连接到第一感测节点，以感测第一感测节点的电平变化。响应于第一数据存储在电阻存储器单元中，在第一箝位偏压开始的时间点过去第一时间量之后，第一感测放大器的输出值转变到不同状态。响应于不同于第一数据的第二数据存储在电阻存储器单元中，在第一箝位偏压开始的时间点过去不同于第一时间量的第二时间量之后，第一感测放大器的输出值转变到不同状态。
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