公开(公告)号：CN108735253B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201710260714.X

申请日：2017-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴银珠 ,  尹弼相 ,  孔骏镇 ,  孙弘乐 ,  陈东燮

IPC: G11C7/10

Abstract: 提供了一种非易失性存储器存储系统。非易失性存储器存储系统包括多个存储器单元和存储器控制器，存储器控制器被配置为基于多个读取电压向非易失性存储器装置传输读取命令。非易失性存储器装置基于所述多个读取电压之中的第一读取电压对N个电平之中的第一电平执行第一读取操作，对所述多个存储器单元之中的响应于第一读取电压的导通单元的数量进行计数，根据导通单元的计数的数量与参考单元的数量的比较结果调整所述多个读取电压之中的将要用于对所述N个电平之中的第一电平或第二电平执行第二读取操作的第二读取电压的电平。

公开(公告)号：CN110580926A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910423205.3

申请日：2019-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴银珠 ,  金武星 ,  金暎植 ,  李墉焌 ,  李正浩

IPC: G11C13/00 ,  G11C29/42 ,  G06F11/10

Abstract: 提供了一种存储器件的误码率均衡方法。当将包括信息数据和所述信息数据的奇偶校验位的码字写入存储器单元阵列时，所述存储器件根据存储器单元的电阻分布特性选择性地执行纠错码(ECC)交织操作。在根据一个示例的ECC交织操作中，包括信息数据的ECC扇区被划分为第一ECC子扇区和第二ECC子扇区，所述第一ECC子扇区被写入具有高误码率(BER)的第一存储区域的存储器单元，并且第二ECC子扇区被写入具有低BER的第二存储区域的存储器单元。

公开(公告)号：CN103544993B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201310291074.0

申请日：2013-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴银珠 ,  金钟河 ,  孔骏镇

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C16/16 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0253 ,  G06F2212/7205 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/3445

Abstract: 一种非易失性存储器件的擦除方法包括设置擦除模式，以及根据设置的擦除模式执行正常擦除操作和快速擦除操作之一。正常擦除操作被执行以便将存储单元的阈值电压设置为低于第一擦除验证电平的擦除状态。快速擦除操作被执行以便将存储单元的阈值电压设置为低于第二擦除验证电平的伪擦除状态。第二擦除验证电平高于第一擦除验证电平。

公开(公告)号：CN106469570A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610694501.3

申请日：2016-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴银珠 ,  孔骏镇 ,  孙弘乐 ,  尹弼相

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34 ,  G06F3/06

Abstract: 一种存储设备，包括：非易失性存储器件，包括多个存储器单元，该存储器单元被划分为多个页面；以及控制器，被配置为控制非易失性存储器件。存储器件被配置为：收集要被写入到两个或更多个页面的两个或更多个写入数据分组，基于两个或更多个写入数据分组来与两个或更多个页面同时地执行公共写入操作，以及基于两个或更多个写入数据分组来与两个或更多个页面中的每个顺序地执行单独的写入操作。

公开(公告)号：CN105843553A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610073259.8

申请日：2016-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹泳再 ,  方卿镒 ,  徐圣镕 ,  吴银珠 ,  权们相 ,  申韩臣

IPC: G06F3/06

Abstract: 提供了包括能够进行重写操作的存储装置的存储系统的操作方法。该方法包括：接收一个或更多个写入请求、逻辑地址和与所述一个或更多个写入请求对应的数据；将分析接收到的一个或更多个请求、逻辑地址和数据中的至少一者的结果与阈值进行比较；基于比较的结果，利用第一更新方法或者第二更新方法写入数据。在选择了第一更新方法时，根据地址映射信息将数据写入到由与逻辑地址对应的物理地址指示的区域中。在选择了第二更新方法时，改变与逻辑地址对应的物理地址的信息，并将数据写入到由改变后的物理地址指示的区域中。

公开(公告)号：CN103226975A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310031305.4

申请日：2013-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴银珠 ,  金宰弘 ,  金钟河 ,  孔骏镇

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C11/5635 ,  G11C16/14 ,  G11C29/82

Abstract: 公开了一种存储设备、存储系统、块管理方法、编程和擦除方法。在一个实施例中，一种方法包括覆写存储m位数据的存储单元以存储n位数据，其中n小于或等于m。当存储m位数据时存储单元具有第一多个编程状态中的一个，而当存储n位数据时存储单元具有第二多个编程状态中的一个。第二多个编程状态包括不在第一多个编程状态中的至少一个编程状态。

公开(公告)号：CN111198657B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN201911104897.1

申请日：2019-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴银珠 ,  金暎植 ,  南喜铉 ,  李永根 ,  赵永进

IPC: G06F3/06 ,  G06F11/10 ,  G06F11/14 ,  G11C13/00

Abstract: 提供存储器控制器、操作存储器控制器的方法和存储器系统。所述存储器系统包括：存储器装置，包括构成多个子集的多个存储器单元；以及存储器控制器，用于控制存储器装置。存储器控制器控制存储器装置，以管理指示由存储器装置针对所述多个子集中的每个子集执行的读取操作的数量的读取计数，并且基于与所述多个子集之中的子集对应的读取计数对所述子集执行恢复操作。所述多个子集中的每个子集包括多个页。所述多个页中的每个页是在所述多个存储器单元中执行读取操作的单位。

公开(公告)号：CN118737234A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410018195.6

申请日：2024-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 昔浚荣 ,  慎钒揆 ,  吴银珠

IPC: G11C16/30 ,  G11C16/04

Abstract: 提供了非易失性存储器装置和控制非易失性存储器装置的方法。将存储器块划分为包括在垂直方向上设置的第一子块和第二子块的多个子块，其中，存储器块包括多个单元串，并且每个单元串包括在垂直方向上设置的多个存储器单元。独立地执行针对所述多个子块中的每个的正常擦除操作。执行针对第一子块的干扰验证读取操作，以确定连接到第一子块的擦除状态下的字线的存储器单元的阈值电压是否增大到高于参考电平。基于干扰验证读取操作的结果选择性地执行后擦除操作，以降低第一子块的擦除状态下的存储器单元的阈值电压。

公开(公告)号：CN118645139A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410239537.7

申请日：2024-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴银珠 ,  慎钒揆

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/10 ,  H01L27/06

Abstract: 提供了一种存储器设备，该存储器设备包括包含至少一个子块的多个存储块，其中，存储块包括第一子块和第二子块，第一子块被配置为存储包括至少一位的第一数据，第二子块被配置为独立于第一子块执行擦除操作并且存储包括至少一位的第二数据。存储器设备被配置为响应于在第二子块中对第二数据执行写入操作来对第二数据执行读取操作。存储器设备被配置为响应于在第二子块中对第二数据执行读取操作而在第一子块中对第一数据执行写入操作。

公开(公告)号：CN111312304B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN201910825088.3

申请日：2019-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴银珠

IPC: G11C7/10 ,  G11C13/00 ,  G11C11/16

Abstract: 提供了存储器设备和包括存储器设备的存储器系统。存储器设备包括：包括多个存储器单元的存储器单元阵列；以及配置为控制对存储器单元阵列的写入操作的控制逻辑。当在第一数据比较写入(DCW)模式下操作时，将数据写入数据值改变的第一存储器单元，在第一区域中，将数据写入数据值未改变的第二存储器单元，并且在第二区域中，对于数据值未改变的第二存储器单元，跳过数据写入。