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公开(公告)号:CN105843553A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201610073259.8
申请日:2016-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了包括能够进行重写操作的存储装置的存储系统的操作方法。该方法包括:接收一个或更多个写入请求、逻辑地址和与所述一个或更多个写入请求对应的数据;将分析接收到的一个或更多个请求、逻辑地址和数据中的至少一者的结果与阈值进行比较;基于比较的结果,利用第一更新方法或者第二更新方法写入数据。在选择了第一更新方法时,根据地址映射信息将数据写入到由与逻辑地址对应的物理地址指示的区域中。在选择了第二更新方法时,改变与逻辑地址对应的物理地址的信息,并将数据写入到由改变后的物理地址指示的区域中。
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公开(公告)号:CN101154189B
公开(公告)日:2011-12-14
申请号:CN200710161635.X
申请日:2007-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G06F12/0246 , G11C2211/5641
Abstract: 本发明涉及一种用于支持不同存储单元类型的非易失性存储器的映射设备和方法,更具体地说,涉及一种用于支持不同存储单元类型的非易失性存储器的映射设备和方法,所述设备和方法能够在支持不同存储单元类型的非易失性存储器中将逻辑地址映射到物理地址,其中,由单位存储单元表示的比特彼此不相同。根据本发明实施例的用于支持不同存储单元类型的非易失性存储器的映射设备包括:用户请求单元,用于让用户通过使用逻辑地址来请求预定运算;非易失性存储器,包括具有不同存储单元类型的多个存储器区域;以及映射管理单元,基于用于请求的运算的逻辑地址,从所述多个存储器区域中的一个确定将被映射到所述逻辑地址的物理地址。
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公开(公告)号:CN101145394A
公开(公告)日:2008-03-19
申请号:CN200710154079.3
申请日:2007-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C29/76 , G06F12/0246 , G11C16/04 , G11C16/10
Abstract: 提供了一种关于闪存中的连续扇区的写操作请求提供原子性的设备。所述设备包括:写数据模块:在页的主扇区中写数据,并将指示写数据的状态的状态位分配给页的备用扇区;写进展管理模块,根据写数据的进展状态在分配有状态位的备用扇区中覆写确认标记;有效性确定模块,基于覆写的确认标记来确定扇区的有效性,并提供连续扇区的信息。
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公开(公告)号:CN109473138B
公开(公告)日:2024-01-30
申请号:CN201811045287.4
申请日:2018-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储装置及其刷新方法。存储装置包括配置为通过从主机接收第一电力而操作的至少一个第一处理核心,与第一处理核心分开的第二处理核心,至少一个第一三维(3D)闪存存储器,电力模块和当不从主机供应第一电力时从电力模块被提供有第二电力的保持管理模块。保持管理模块配置为使用第二处理核心刷新第一3D闪存存储器的一部分。保持管理模块配置为以第一时段的间隔被唤醒来刷新第一3D闪存存储器的一部分。
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公开(公告)号:CN105843553B
公开(公告)日:2020-06-09
申请号:CN201610073259.8
申请日:2016-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了包括能够进行重写操作的存储装置的存储系统的操作方法。该方法包括:接收一个或更多个写入请求、逻辑地址和与所述一个或更多个写入请求对应的数据;将分析接收到的一个或更多个请求、逻辑地址和数据中的至少一者的结果与阈值进行比较;基于比较的结果,利用第一更新方法或者第二更新方法写入数据。在选择了第一更新方法时,根据地址映射信息将数据写入到由与逻辑地址对应的物理地址指示的区域中。在选择了第二更新方法时,改变与逻辑地址对应的物理地址的信息,并将数据写入到由改变后的物理地址指示的区域中。
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公开(公告)号:CN101154190A
公开(公告)日:2008-04-02
申请号:CN200710161640.0
申请日:2007-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7201 , G06F2212/7204 , G11C11/56 , G11C2211/5641
Abstract: 本发明涉及一种支持不同单元类型的非易失性存储器的映射信息管理设备和方法,更具体地讲,涉及一种能够考虑支持不同单元类型的非易失性存储器中的每种单元类型的物理特性来管理映射信息的支持不同单元类型的非易失性存储器的映射信息管理设备和方法,在所述不同类型的非易失性存储器中的一个单元表示的比特互不相同。支持不同单元类型的非易失性存储器的映射信息管理设备包括:用户请求单元,用于使用户通过使用逻辑地址来请求预定操作;非易失性存储器,包括具有不同单元类型的多个存储区域;和映射信息管理单元,将映射信息存储到第一存储区域中,其中,所述映射信息是关于写入所述多个存储区域的第二存储区域的用户数据的信息。
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公开(公告)号:CN101149705A
公开(公告)日:2008-03-26
申请号:CN200710153429.4
申请日:2007-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/08
CPC classification number: G06F12/0246
Abstract: 提供了一种用于在闪存中重构映射信息的设备和方法。所述设备包括:扇区管理模块,确保物理单元中的记录映射信息的映射扇区,和确定用户数据是否被一直记录到位于预定位置的扇区;和映射信息记录模块,根据确定的结果将映射信息记录在映射扇区中。这里,映射信息包括存储用户数据的物理扇区和与所述物理扇区相应的逻辑扇区的关系。
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公开(公告)号:CN109473138A
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201811045287.4
申请日:2018-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储装置及其刷新方法。存储装置包括配置为通过从主机接收第一电力而操作的至少一个第一处理核心,与第一处理核心分开的第二处理核心,至少一个第一三维(3D)闪存存储器,电力模块和当不从主机供应第一电力时从电力模块被提供有第二电力的保持管理模块。保持管理模块配置为使用第二处理核心刷新第一3D闪存存储器的一部分。保持管理模块配置为以第一时段的间隔被唤醒来刷新第一3D闪存存储器的一部分。
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公开(公告)号:CN101154190B
公开(公告)日:2011-06-29
申请号:CN200710161640.0
申请日:2007-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7201 , G06F2212/7204 , G11C11/56 , G11C2211/5641
Abstract: 本发明涉及一种支持不同单元类型的非易失性存储器的映射信息管理设备和方法,更具体地讲,涉及一种能够考虑支持不同单元类型的非易失性存储器中的每种单元类型的物理特性来管理映射信息的支持不同单元类型的非易失性存储器的映射信息管理设备和方法,在所述不同类型的非易失性存储器中的一个单元表示的比特互不相同。支持不同单元类型的非易失性存储器的映射信息管理设备包括:用户请求单元,用于使用户通过使用逻辑地址来请求预定操作;非易失性存储器,包括具有不同单元类型的多个存储区域;和映射信息管理单元,将映射信息存储到第一存储区域中,其中,所述映射信息是关于写入所述多个存储区域的第二存储区域的用户数据的信息。
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公开(公告)号:CN101154189A
公开(公告)日:2008-04-02
申请号:CN200710161635.X
申请日:2007-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G06F12/0246 , G11C2211/5641
Abstract: 本发明涉及一种用于支持不同存储单元类型的非易失性存储器的映射设备和方法,更具体地说,涉及一种用于支持不同存储单元类型的非易失性存储器的映射设备和方法,所述设备和方法能够在支持不同存储单元类型的非易失性存储器中将逻辑地址映射到物理地址,其中,由单位存储单元表示的比特彼此不相同。根据本发明实施例的用于支持不同存储单元类型的非易失性存储器的映射设备包括:用户请求单元,用于让用户通过使用逻辑地址来请求预定运算;非易失性存储器,包括具有不同存储单元类型的多个存储器区域;以及映射管理单元,基于用于请求的运算的逻辑地址,从所述多个存储器区域中的一个确定将被映射到所述逻辑地址的物理地址。
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