-
公开(公告)号：CN1901764A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610106276.3
申请日：2006-07-17
Applicant: K.C.科技股份有限公司 , 郭成在
Abstract: 本发明涉及一种清洗设备的柱状加热装置及柱状加热器的防突出方法，该清洗设备的柱状加热装置包含通过接通电源而产生热量的柱状加热器、用于防止露出柱状加热器的套管，所述柱状加热器与套管之间设置至少一个或两个以上空气排出口。如上所述的本发明通过在柱状加热器与套管之间设置空气排出口，使得当该柱状加热器与套管之间残留湿气并且该湿气被气化而增加压力时也能消除该气化的空气压力，从而防止柱状加热器的突出现象并防止柱状加热器突出而引起的热传递效率的降低。
-
公开(公告)号：CN1737071A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510087181.7
申请日：2005-07-27
Applicant: K.C.科技股份有限公司 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明是有关于一种抛光浆料及其制备方法和抛光基板的方法。具体的说，是一种用于抛光半导体晶片的化学机械抛光浆料。更具体的说，本发明提供了这种浆料的制备方法及其抛光基板的方法，此种浆料对≥256兆 D－RAM的超高集成半导体硅片(其厚度≤0.13μm)的浅槽隔离CMP生产工艺中做阻隔膜的氮化物层具有较高的选择性，并且减少了抛光表面的微观划痕现象的发生。
-
公开(公告)号：CN1696236A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510069987.3
申请日：2005-05-11
Applicant: K.C.科技股份有限公司 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明阐述了一种抛光浆料及其制备方法。具体的说，本发明涉及一种用于化学机械抛光(以下简称‘CMP’)的浆料，这种抛光浆料应用于STI(浅槽隔离)技术中的CMP时，对氧化层与氮化层的抛光速率具有高的选择性。这种选择性对超高集成半导体硅片(超高集成半导体硅片对于256兆字节或更高的D－RAM时有一定的设计标准，如设计标准为0.13μm或更小)的生产至关重要。本发明包括一种对抛光粒子进行预处理的方法和设备、分散设备及其操作方法、化学添加剂的用量及加入方法和中转样本装置。本发明可生产高性能纳米级二氧化铈浆料，其对于≤0.13μm的超高度集成半导体的CMP很重要，尤其是STI制程。
-
公开(公告)号：CN104241167B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410260488.1
申请日：2014-06-12
Applicant: K.C.科技股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67046 , A46B13/001 , B08B1/04
Abstract: 本发明公开了一种基板清洗装置及方法与基板清洗用清洗刷组件，作为一种伴随着与旋转的清洗刷相接触而清洗基板的表面的方法，该方法包括：基板清洗步骤，所述清洗刷的部分区域突出，仅所述清洗刷的突出区域与所述基板相接触，从而去除残留在所述基板的表面上的异物，根据本发明提供的基板清洗装置及方法，清洗刷的部分区域以沿径向突出的状态通过与基板的表面的相接触来进行清洗，通过突出区域的清洗刷以更高的摩擦力擦拭异物，来确保彻底去除残留在基板上的异物。
-
公开(公告)号：CN102806518B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210175402.6
申请日：2012-05-30
Applicant: K.C.科技股份有限公司
Inventor： 孙准晧
IPC: B24B37/27
CPC classification number: B24B37/30 , B24B41/061
Abstract: 本发明提供一种在化学机械抛光设备中的承载头的膜总成。所述膜总成包括主要膜及圆形环。所述主要膜具有在执行化学机械抛光工艺时与圆片接触的圆片接触表面。所述圆形环安置于所述主要膜的边缘部分处且接收空气压力以在所述边缘部分处将所述空气压力向下施加至所述主要膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102240962B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201110126106.2
申请日：2011-05-10
Applicant: 三星电子株式会社 , K.C.科技股份有限公司
IPC: B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B53/017 , B24B49/16
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨设备的调节器及调节方法，该化学机械研磨设备用于在旋转的压板垫上研磨基板。该调节器包括圆盘固定器、活塞杆、外壳及负载传感器。该圆盘固定器紧固精细地切割该压板垫的表面的调节圆盘。该活塞杆将轴向力递送至该圆盘固定器。该外壳覆盖该活塞杆的至少一部分。该负载传感器经安装以接收该活塞杆递送至该活塞杆的该轴向力且测量该轴向力。
-
公开(公告)号：CN101092543B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200710135810.8
申请日：2005-07-27
Applicant: K.C.科技股份有限公司 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明是有关于一种抛光浆料及其制备方法和抛光基板的方法。具体的说，是一种用于抛光半导体晶片的化学机械抛光浆料。更具体的说，本发明提供了这种浆料的制备方法及其抛光基板的方法，此种浆料对≥256兆D-RAM的超高集成半导体硅片(其厚度≤0.13μm)的浅槽隔离CMP生产工艺中做阻隔膜的氮化物层具有较高的选择性，并且减少了抛光表面的微观划痕现象的发生。
-
公开(公告)号：CN1667026B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200510055087.3
申请日：2005-03-11
Applicant: K.C.科技股份有限公司 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: C08J3/14 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明是关于一种抛光浆料及其制备方法和基板的抛光方法。本文描述的是一种化学机械抛光浆料。此种抛光浆料中的抛光粒子，其粒度分布曲线具有分别独立的小颗粒区与大颗粒区，且其均值粒度为50-150nm。本发明所述的抛光浆料具有优化的粒度，其粒度可以通过改变生产条件控制，这对抛光具有精细设计要求的半导体非常有用。本发明还提出了一种抛光浆料及其制备方法，采用这种抛光浆料时，可以通过控制其抛光粒子粒度分布曲线来保证化学机械抛光的精度和减少表面划痕数量。本发明还提供了一种抛光基板的方法。
-
公开(公告)号：CN101386149B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200710153828.0
申请日：2007-09-12
Applicant: K.C.科技股份有限公司
Abstract: 公开了一种用于化学机械设备的清洁装置，该清洁装置包括：与旋转的主轴不可旋转地连接的不可旋转的中心轴，所述不可旋转的中心轴包括形成在所述不可旋转的中心轴内部的第一通道和第二通道，清洁液流入第一通道，压缩气体流入第二通道；以及喷嘴块，所述喷嘴块与主轴连接，从而在抛光垫上面围绕所述不可旋转的中心轴旋转，所述喷嘴块将通过第一通道供给的清洁液和通过第二通道供给的压缩气体混合，从而形成双流体并将混合的双流体压力喷射在抛光垫上。因此，清洁液被加压，从而可以迅速喷射在抛光垫上，所以可以彻底清除抛光垫上的泥浆颗粒和杂质。此外，可以防止晶片刮伤，并且还可以延长抛光垫的寿命。
-
公开(公告)号：CN101078881B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710107439.4
申请日：2007-05-11
Applicant: K.C.科技股份有限公司
Inventor： 赵康一
IPC: G03F7/16 , G02F1/1333
CPC classification number: B05C5/0254 , B05C11/00 , B05C11/1005
Abstract: 本发明涉及用于测量基板涂敷装置(Substrate Coating Apparatus)的狭缝喷嘴(Slit Nozzle)所喷出的光刻胶的喷射均匀度的装置及方法。本发明所提供的狭缝喷嘴的喷射均匀度测量装置包含：沿所述狭缝喷嘴的横向按照一定区间分配所述狭缝喷嘴所喷出的喷射液体的喷射液体分配器；测量所述喷射液体分配器所分配的各喷射液体量的喷射液体测量单元。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
161
records
(took 0.023 seconds)
