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公开(公告)号：CN106920746A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510993955.6
申请日：2015-12-25
申请人： 有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/3247
摘要： 本发明公开了一种改善硅片表面微缺陷的方法。在依次经过450℃-700℃退火、1100℃-1250℃高温退火、600℃-800℃退火、950℃-1050℃退火的退火工艺中，在从800℃升温到1000℃的过程中，加入微量氢气。或者，在依次经过450℃-700℃退火、1100℃-1250℃高温退火、600℃-800℃退火、950℃-1050℃退火的退火工艺中，在从1000℃退火后降温的过程中，加入微量氢气。本发明的方法能够在退火过程中改变硅片表面微缺陷情况，退火后，硅片表面的(haze)改善，并降低表面颗粒。
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公开(公告)号：CN106914995A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510984565.2
申请日：2015-12-24
申请人： 有研半导体材料有限公司
CPC分类号： B28D5/0058 , B28D5/045
摘要： 本发明公开了一种用于单线切割机中大直径单晶对正的装置。它包括呈门形的固定框架，该固定框架由两根直杆和一根横杆构成，该固定框架上设有三个调节杆，该三个调节杆分别对称的设置在直杆和横杆上；在三个调节杆的端部分别设有百分表；两根直杆的固定脚分别通过固定螺栓固定在单线切割机上。设置在横杆上的百分表接触单晶的上切面，设置在直杆上的百分表分别接触单晶的两侧切面，移动单晶，通过调整单线切割机的可分别调整两侧支撑的“V”型支撑架，使得两个位置处相同百分表的变化值一致，即可使单晶的轴线与切割设备的切割面垂直。本发明结构简单、便于操作、适应性及可靠性强，适用于不同直径单晶的切割，能够大大减少加工损失、提高收率。
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公开(公告)号：CN106894080A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510957204.9
申请日：2015-12-18
申请人： 有研半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种大直径硅基多晶硅膜的制备方法，包括低温高速沉积步骤和高温低速沉积步骤；在低温高速沉积步骤中，温度为600℃-640℃，转速为1.5-2.5rpm；在高温低速沉积步骤中，温度为660℃-690℃，转速为0.5-1.5rpm。本发明的方法通过先低温高速沉积后高温低速沉积的组合方式沉积多晶硅薄膜，能够显著改善BOW/WARP参数。本发明工艺控制简单，有效控制多晶硅薄膜应力，满足硅基材料多晶沉积，特别是8英寸以上大直径硅基材料多晶沉积。
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公开(公告)号：CN106480496A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510530508.7
申请日：2015-08-26
申请人： 有研半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于实现直拉单晶收尾自动化的装置，包括收尾信号窗口、及高像素CCD相机，该收尾信号窗口设置在单晶炉下炉室侧面，该CCD相机可移动的设置在与收尾信号窗口相对应的位置上，该CCD相机的信号输出端连接工控机和PLC。采用本发明的装置，可实现硅单晶收尾全过程可视化及自动化；大幅提高单晶收尾过程的稳定性和成功率，减少因为收尾过程人工操作不当造成的经济损失；大大提高CZ硅单晶的生产效率，节省人力成本。
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公开(公告)号：CN106298603A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510303538.4
申请日：2015-06-04
申请人： 有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67778
摘要： 本发明公开了一种晶圆自动分片装载机，包括上料台、分片机构、传送机构、滑片坡道、载具升降机构和晶圆载具保存水箱；上料台位于传送机构起始端上方，分片机构位于传送机构中部上方，滑片坡道上端连接传送结构，下端连接载具升降机构；分片机构包括一个主动轮和两个从动轮，主动轮与两个从动轮由一条同步带连接；传送机构包括一个主动轮和两个从动轮，主动轮与两个从动轮由两条同步带连接；传送机构的同步带与上料台的出料口之间有一条窄缝，载具升降机构主体包括支撑丝杠、伺服电机、载具放置平台，伺服电机驱动支撑丝杠支撑载具放置平台；滑动坡道的下端对准载具卡槽。本发明可实现设备自动分片和装入晶圆载具，减少人工操作，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN106298586A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510303532.7
申请日：2015-06-04
申请人： 有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67011 , H01L21/02096 , H01L21/30604
摘要： 本发明公开了一种硅片表面HF酸处理系统，包括由气体管路依次连接的气源、HF酸源、硅片处理单元和尾气处理单元；其中该气体管路上设有一总阀门，且自该管路分出第一支路和第二支路；该第一支路连接至HF酸源液面底部，且设有第一阀门；该第二支路上设有第二阀门，且又分出连接至HF酸源液面上方的支路和连接至硅片处理单元进气口的支路，在连接至HF酸源液面上方的支路上更设有第三阀门。本发明可以利用气体携带HF酸蒸汽，快速高效批量性地对硅片表面进行氢处理，去除硅片正反表面的氧化膜，使得硅片表面达到疏水状态。本发明还具有气体吹扫、尾气处理部分，确保实际操作的安全性。
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公开(公告)号：CN103866376B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201210539425.0
申请日：2012-12-13
申请人： 有研半导体材料有限公司
摘要： 一种拉制直径80mm高电阻率区熔单晶硅的工艺方法，电阻率可达4000-5000Ω·cm，它包括以下工序：将籽晶和多晶硅对中，抽真空，通氩气，预热，熔接，缩细颈，放肩及放肩至等径，收尾工序，其中：所用的多晶料为高纯度REC多晶硅料，所用多晶料的直径大于拉制获得的单晶，多晶料与单晶直径比控制为3∶2。本发明的优点是本工艺方法简单，实用，可满足人们对高电阻率区熔单晶硅的需求。
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公开(公告)号：CN118425615A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410494803.0
申请日：2024-04-23
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种电容法测试超低阻红磷硅片电阻率的方法。该包括以下步骤：(1)使用四探针设备标定电阻率校准样片，需要标定两片电阻率校准样片；(2)将标定的电阻率校准样片的电阻率值×2，输入到电容法测试电阻率设备的校准界面，根据设备提示完成电阻率校准工作；(3)根据待测片的厚度，完成电容法测试电阻率设备的厚度校准；(4)根据设备的标准化操作，完成正常测试；(5)在测试完成后，将电阻率值/2作为最终测试数据。采用本发明的方法，能够解决小于0.001Ω·cm的重掺红磷硅片的测试，可以通过电容法测试获得电阻率具体值，设备测试重复性可达到1％，准确度对标四探针法同样可达到小于1％。
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公开(公告)号：CN117517367A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311312019.5
申请日：2023-10-11
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： G01N23/207 , G01N23/20008 , G01N1/28 , G01N1/32
摘要： 本发明公开了一种 晶向硅单晶小平面的检测方法。所述方法包括：(1)原生 晶向硅单晶拉制完成后截取一定厚度的样品；(2)对样品进行表面研磨处理获得平整的表面；(3)对研磨后的样品进行化学腐蚀去除表面机械损伤；(4)对样品进行晶向及棱线位置定位；(5)使用X射线衍射仪对定位后的样品进行X射线衍射位置测定，转动X射线光源进行ω方向扫描，确定衍射位置后进行测试，(6)对测试结果进行判定，确定小平面的位置和大小。本发明实施的检测方法，可以快速实现原生 晶向硅单晶小平面的检测，本发明检测方法操作简便易实现，检测 晶向硅单晶小平面直观化，对于改善 晶向硅单晶径向电阻率均匀性有重要意义。
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公开(公告)号：CN117116740A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310967112.3
申请日：2023-08-02
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开一种大尺寸晶圆边缘的加工工艺，属于半导体晶圆加工技术领域。该加工工艺包括以下步骤：(1)滚磨单晶棒切片得到晶圆；(2)使用600‑1000#倒角轮磨削槽对晶圆边缘进行粗倒角，倒角轮转速为6000‑9000rpm；(3)使用研磨液进行研磨，研磨液流量为800‑1500mL/min，研磨转速为20‑50rpm，研磨压力为500‑1500kg；(4)使用由氢氟酸、硝酸、醋酸组成的混酸进行腐蚀；(5)使用1500‑4000#倒角轮磨削槽对晶圆边缘进行精倒角，倒角轮转速为6000‑9000rpm。通过研磨前的粗倒角，可以去除晶圆的边缘应力，避免研磨、腐蚀过程中晶圆边缘崩裂；通过精倒角加工研磨、腐蚀之后的晶圆，可以消除研磨、腐蚀过程带来的晶圆边缘损伤，并且可以避免腐蚀过程对晶圆边缘轮廓的不利影响，提高边缘轮廓的一致性。
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