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公开(公告)号：CN106298616B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201510301151.5
申请日：2015-06-04
Applicant: 有研半导体材料有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于硅片高温退火工艺的硅片承载部件以及采用该硅片承载部件降低高温退火片体金属含量的方法。该硅片承载部件在用于硅片高温退火工艺之前进行清洁处理和镀膜处理，其表面经二氯乙烯和氧气在高温下反应生成的盐酸气体清洗，并且在清洗洁净的表面上形成一氮化硅保护层。本发明的硅片承载部件主要应用于硅片高温退火工艺中，特别是1200℃退火工艺，能够显著降低退火硅片体金属的数值，提高产品的质量。利用本发明的硅片承载部件不仅能够明显的降低高温退火硅片体金属的含量，而且不需要拆装硅片承载部件，完全避免了盐酸的使用，安全可靠，降低了生成成本和安全成本。
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公开(公告)号：CN112941615A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911262992.4
申请日：2019-12-10
Applicant: 有研半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种区熔硅单晶的收尾方法，包括以下步骤：(1)当多晶尾料剩余10kg时，继续保持等径生长，直至多晶尾料剩余2kg时，均匀降低多晶尾料速度直至多晶尾料速度归零后快速提断，晶体拉速和加热功率保持不变，此过程单晶直径将缓慢减小；(2)当多晶尾料提断后，保持多晶尾料向提拉的方向移动，开启自动程序控制加热功率曲线和晶体拉速曲线，功率曲线先均匀快速地下降至初始功率值的75％‑85％，再缓慢均匀增加，最高不超过初始功率值；晶体拉速匀速降低至0，直至单晶熔体完全结晶后停炉冷却即可。本发明的方法可将单晶尾部损失降低至8kg以下。通过此方法收尾成功率大幅提升，可达90％以上，综合收率提高10％以上。
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公开(公告)号：CN109935528A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201711360731.7
申请日：2017-12-15
Applicant: 有研半导体材料有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种硅片表面处理方法，该方法包括以下步骤：(1)选取洁净的抛光硅片或者外延硅片；(2)对硅片表面进行高温氧化，生长氧化膜层；(3)使用取样液进行表面处理取样，通过对取样液进行分析测试，获得硅片表面金属含量，评估硅片表面金属沾污情况。采用本发明的硅片表面处理方法，可以快速、高效、批量的进行硅片表面处理，及时的测试分析硅片表面金属的含量，达到监控硅片表面金属水平的目的。
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公开(公告)号：CN106298603B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201510303538.4
申请日：2015-06-04
Applicant: 有研半导体材料有限公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种晶圆自动分片装载机，包括上料台、分片机构、传送机构、滑片坡道、载具升降机构和晶圆载具保存水箱；上料台位于传送机构起始端上方，分片机构位于传送机构中部上方，滑片坡道上端连接传送结构，下端连接载具升降机构；分片机构包括一个主动轮和两个从动轮，主动轮与两个从动轮由一条同步带连接；传送机构包括一个主动轮和两个从动轮，主动轮与两个从动轮由两条同步带连接；传送机构的同步带与上料台的出料口之间有一条窄缝，载具升降机构主体包括支撑丝杠、伺服电机、载具放置平台，伺服电机驱动支撑丝杠支撑载具放置平台；滑动坡道的下端对准载具卡槽。本发明可实现设备自动分片和装入晶圆载具，减少人工操作，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN106298603A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510303538.4
申请日：2015-06-04
Applicant: 有研半导体材料有限公司
IPC: H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67778
Abstract: 本发明公开了一种晶圆自动分片装载机，包括上料台、分片机构、传送机构、滑片坡道、载具升降机构和晶圆载具保存水箱；上料台位于传送机构起始端上方，分片机构位于传送机构中部上方，滑片坡道上端连接传送结构，下端连接载具升降机构；分片机构包括一个主动轮和两个从动轮，主动轮与两个从动轮由一条同步带连接；传送机构包括一个主动轮和两个从动轮，主动轮与两个从动轮由两条同步带连接；传送机构的同步带与上料台的出料口之间有一条窄缝，载具升降机构主体包括支撑丝杠、伺服电机、载具放置平台，伺服电机驱动支撑丝杠支撑载具放置平台；滑动坡道的下端对准载具卡槽。本发明可实现设备自动分片和装入晶圆载具，减少人工操作，提高工作效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106298586A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510303532.7
申请日：2015-06-04
Applicant: 有研半导体材料有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67011 , H01L21/02096 , H01L21/30604
Abstract: 本发明公开了一种硅片表面HF酸处理系统，包括由气体管路依次连接的气源、HF酸源、硅片处理单元和尾气处理单元；其中该气体管路上设有一总阀门，且自该管路分出第一支路和第二支路；该第一支路连接至HF酸源液面底部，且设有第一阀门；该第二支路上设有第二阀门，且又分出连接至HF酸源液面上方的支路和连接至硅片处理单元进气口的支路，在连接至HF酸源液面上方的支路上更设有第三阀门。本发明可以利用气体携带HF酸蒸汽，快速高效批量性地对硅片表面进行氢处理，去除硅片正反表面的氧化膜，使得硅片表面达到疏水状态。本发明还具有气体吹扫、尾气处理部分，确保实际操作的安全性。
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公开(公告)号：CN106702496A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510427985.0
申请日：2015-07-20
Applicant: 有研半导体材料有限公司
Abstract: 一种酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的装置及方法。该装置包括载具、机械手、腐蚀工艺槽和混酸槽；载具包括两个侧板和固定支撑在两侧板之间的固定杆；两侧板上分别安装有载具中心驱动轴、载具中心驱动齿轮和载具驱动齿轮，载具固定套安装在载具中心驱动轴上；两侧板之间还安装有三根有齿转杆，每根有齿转杆的两端均具有与载具中心驱动齿轮配合的有齿转杆传动齿轮；机械手具有与载具两侧的固定套锁紧的载具锁紧部，还包括械臂传动齿轮组、载具驱动电机和两个载具传动齿轮组；腐蚀工艺槽的底部通过酸液循环进液管连接混酸槽，该腐蚀工艺槽设有溢流槽，该溢流槽通过酸液循环回液管连接至混酸槽。该装置能大大降低腐蚀痕迹发生率，提高腐蚀片表面均匀性。
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公开(公告)号：CN111270300A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811476667.3
申请日：2018-12-04
Applicant: 有研半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种气相掺杂区熔硅单晶的制备方法，包括以下步骤：(1)将一次多晶按正常的区熔拉晶工艺拉制成单晶或多晶；(2)将拉制成的单晶或多晶再次磨锥、刻槽、清洗、干燥；(3)将处理后的单晶或多晶装炉，并按目标电阻率设置掺杂流量，并按正常气相掺杂区熔拉晶工艺完成单晶拉制。根据本发明制备气相掺杂区熔硅单晶的方法，通过第一次的拉制，将硅芯内的杂质尽可能均匀的分布在拉制成的整个单晶或多晶内，而不是局限在硅芯内，从而降低因硅芯杂质搅拌不均匀造成的气相掺杂区熔硅单晶中心电阻率的波动，有效降低了单晶轴向及径向的电阻率不均匀性，提高了气相掺杂区熔单晶的目标电阻率命中率及稳定性。
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公开(公告)号：CN106898559A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510958531.6
申请日：2015-12-18
Applicant: 有研半导体材料有限公司
CPC classification number: H01L22/12 , G01N33/00 , G01N2033/0081 , H01L22/20
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法，包括以下步骤：(1)准备洁净硅片，利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数目，并记录；(2)将洁净硅片放入待测片盒，自气源通过带有颗粒过滤器的气路向待测片盒内吹扫，气压约15～30psi，保持气源吹扫1min；(3)利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数据，记录数据，对比前后增加值，判断半导体用晶圆片盒洁净度。本发明可以快速、高效、批量的检测晶圆片盒颗粒洁净度，及时地测试分析晶圆片盒颗粒是否洁净，确保半导体晶圆硅片不受片盒颗粒沾污。
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公开(公告)号：CN106298616A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510301151.5
申请日：2015-06-04
Applicant: 有研半导体材料有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于硅片高温退火工艺的硅片承载部件以及采用该硅片承载部件降低高温退火片体金属含量的方法。该硅片承载部件在用于硅片高温退火工艺之前进行清洁处理和镀膜处理，其表面经二氯乙烯和氧气在高温下反应生成的盐酸气体清洗，并且在清洗洁净的表面上形成一氮化硅保护层。本发明的硅片承载部件主要应用于硅片高温退火工艺中，特别是1200℃退火工艺，能够显著降低退火硅片体金属的数值，提高产品的质量。利用本发明的硅片承载部件不仅能够明显的降低高温退火硅片体金属的含量，而且不需要拆装硅片承载部件，完全避免了盐酸的使用，安全可靠，降低了生成成本和安全成本。
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