公开(公告)号：CN104796831A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410030626.7

申请日：2014-01-22

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 胡永刚

IPC: H04R19/04 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明提供一种电容式麦克风及其制造方法，所述电容式麦克风包括：具有正面和背面的基底；自所述基底背面的中部贯穿所述基底的背腔；位于所述基底正面的背板，所述背板悬置于所述背腔上的部分形成有多个凹坑以使得所述背板为上下起伏的非平坦结构；位于所述背板的上方并与所述背板共形的振膜，所述振膜与所述背板间具有振荡空腔，所述背板上设置有将所述振荡空腔和所述背腔连通起来的多个声孔。与现有技术相比，本发明中的电容式麦克风的背板和振膜上都设置有多个对应的凹坑，这样可以有效增加由背板和振膜构成的平板电容的电极表面积，从而在保证电容值一定的情况下，减小电容式麦克风的芯片面积。

公开(公告)号：CN104794318A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410022284.4

申请日：2014-01-17

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 韩晓婷 ,  何小东 ,  李新红 ,  沈丽君

IPC: G06F19/00

Abstract: 本发明公开一种用于建立半导体器件统计模型的数据处理方法，包括如下步骤：测量与所述半导体器件统计模型相关的至少两种半导体器件参数得到相应的至少两组实测数据，所述实测数据满足为达到预设统计标准所需的采集数量要求；生成与所述至少两组实测数据具有相同分布、相同均值、相同偏差以及相同相关系数的相应的至少两组随机数据，所述随机数据的数量为所述实测数据的数量的5%～10%；所述随机数据被用于建立所述半导体器件统计模型。上述方法可以大大减少数据处理所消耗的时间，提高了效率。

公开(公告)号：CN104792378A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410022283.X

申请日：2014-01-17

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 赵永翠

IPC: G01F1/69 ,  G01N21/3504

CPC classification number: G01N21/3504 ,  G01F1/6845 ,  G01F1/692

Abstract: 本发明公开一种微流传感器的温敏电阻结构，包括：硅基座，设有气流窗口；薄膜电阻器，包括设于所述硅基座实体部分的片状电阻和悬于所述气流窗口部分的多条平行并均匀间隔排列的条状电阻；所述片状电阻和多条条状电阻之间串联；悬梁，连接所述薄膜电阻器和硅基座，并支撑所述薄膜电阻器；所述悬梁采用氮化硅材料制成。还公开一种该温敏电阻结构的制造方法、一种使用该温敏电阻结构的微流传感器，以及一种基于该微流传感器的红外气体浓度计。使用上述温敏电阻结构的微流传感器检测精度较高，可以被用于基于NDIR的气体浓度检测。

公开(公告)号：CN104779160A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201410014281.6

申请日：2014-01-13

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 张艳旺 ,  王根毅 ,  白晓娜

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明提供一种半导体制造方法，包括：A、提供衬底，在所述衬底正面的终端区形成场限环；B、在所述衬底正面进行有源区光刻刻蚀，形成截止环的刻蚀区域；其特征在于，还包括：C、向所述截止环的刻蚀区域进行N+表面注入，形成截止环；D、在所述衬底正面有源区形成沟槽，淀积多晶硅之后，进行P型体区注入；E、进行N+阱光刻，注入，退火，形成N+发射极；F、进行正面金属化及背面金属化处理。采用本发明所述技术方案，在不增加版图的基础上，形成真正意义的截止环，能够有效限制最外侧场限环的展宽，截止环真正起到作用。

公开(公告)号：CN104766808A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201410007099.8

申请日：2014-01-07

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 陈亚威

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L22/30

Abstract: 本发明提供的晶圆缺陷密度获得方法、测试方法及半导体装置形成方法，通过获得所述晶圆上各芯片的各导电层的致命缺陷率，并根据每个芯片的各导电层的致命缺陷率获得致命缺陷率系数，进而结合所述致命缺陷率系数及理论缺陷密度计算模型获得修正缺陷密度计算公式，再根据所述修正缺陷密度计算公式获得所述晶圆的缺陷密度，如此通过结合不同种类芯片信息对缺陷密度评估方式进行修正以提升评估准确性，从而增加合格品产量，提升利润。

公开(公告)号：CN102931073B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201110230301.X

申请日：2011-08-11

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 高永亮 ,  张花威 ,  孙晓峰

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，该方法是对已经图形化的半导体衬底上所形成的微图案窗口两侧的各层进行步骤：(1)干法刻蚀去除光刻胶层；(2)、第一次湿法刻蚀，包括：氢氟酸清洗，清洗时间10至15秒；硫酸、双氧水混合清洗，清洗时间大于10分钟；(3)、第二次湿法刻蚀，包括再次氢氟酸清洗，清洗时间为70至150秒，磷酸清洗，清洗时间大于10分钟。通过分阶段的两次湿法腐蚀，尤其是第二次湿法腐蚀中，长时间的氢氟酸清洗，将光刻胶层以及抗发射层中的二氧化硅彻底清除，从而杜绝了制程工艺中二氧化硅剥落缺陷的产生，保证了半导体器件的质量。

公开(公告)号：CN102569384B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201010593571.2

申请日：2010-12-17

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 王加坤

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666

Abstract: 本发明实施例公开了一种沟槽MOSFET器件及其制作方法。所述沟槽MOSFET器件包括：基底，所述基底包括本体层和所述本体层之上的外延层；位于所述外延层中的第一沟槽和接触孔；其中，所述第一沟槽为梳状沟槽。本发明所提供的沟槽MOSFET器件，由于其外延层中的第一沟槽为梳状沟槽，而梳状沟槽所具有的弯曲结构能明显增加沟道宽度，从而可减小沟道电阻，进一步可减小导通电阻。

公开(公告)号：CN104599965A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201310534273.X

申请日：2013-10-31

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 钟圣荣 ,  邓小社 ,  王根毅 ,  周东飞

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供一种场截止绝缘栅双极晶体管的制备方法，包括：提供N型衬底作为场截止层；将所述衬底的一面作为正面，外延制备出N型的漂移区；在所述漂移区内和所述漂移区上制备出场截止绝缘栅双极晶体管的正面结构；将所述衬底的背面减薄；在所述衬底的背面注入P型杂质，并进行退火处理；进行背面金属化处理形成背面金属集电极。上述场截止绝缘栅双极晶体管的制备方法，直接由衬底材料作为场截止层，不需要通过注入推阱的方式获得场截止层，流程简单且降低了制造成本。同时可以直接通过减薄衬底材料实现对场截止层厚度的控制，衬底材料不易出现晶格缺陷。

公开(公告)号：CN104576365A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310510871.3

申请日：2013-10-25

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 钟圣荣 ,  邓小社 ,  王根毅 ,  周东飞

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66325

Abstract: 本发明公开了一种cluster-IGBT的制备方法，包括如下步骤：提供N型FZ圆片，并通过注入工艺形成嵌设于N型FZ圆片正面的Pbody区域；通过注入工艺形成嵌设于Pbody区域内的Nbody区域；在N型FZ圆片的正面完成IGBT正面结构；对N型FZ圆片的背面进行P型掺杂，退火后形成P+层；对N型FZ圆片的进行背面金属化，形成背面金属层。这种cluster-IGBT的制备方法制备得到的cluster-IGBT通过注入形成Pbody区域，再通过注入形成Nbody区域，制作完成IGBT正面结构，然后进行背面P+注入、退火以及背面金属化等步骤完成cluster-IGBT的制备。相对于传统的NPT-IGBT，此种IGBT的电流能力更大，从而可以达到较低的通态压降，从而具有较低的Vce。

公开(公告)号：CN104517835A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201310446637.9

申请日：2013-09-26

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王根毅 ,  邓小社 ,  钟圣荣 ,  周东飞

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明公开了一种场截止型绝缘栅双极型晶体管的背面工艺，包括：提供衬底，并在衬底的正面和背面生长氧化层；向所述衬底背面内注入N型离子；推阱，使注入了N型离子的区域形成场截止层；对所述场截止层进行P型离子的注入，形成背面P+层，并对所述背面P+层进行推阱；去除衬底正面的所述氧化层。本发明通过在衬底正面生长的氧化层结构，对圆片的正面进行保护，令其在制造过程中不会被轻易划伤。