公开(公告)号：CN102916013A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201110222832.4

申请日：2011-08-04

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 张花威 ,  马春霞 ,  王德进

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明实施例公开了一种OTP器件及其制造方法，该OTP器件包括：基底；位于所述基底上的存储单元，所述存储单元包括：由下至上顺序排列的栅介质层、浮栅、叠层介质层和控制栅；位于所述存储单元两侧的侧墙；位于所述存储单元上、且覆盖所述侧墙的保护层。本发明所提供的OTP器件，在存储单元及侧墙上覆盖有保护层，所述保护层可阻挡存储单元外围的可动离子对存储单元内的电荷造成影响，同时避免存储单元内的电荷泄露，因此，所述保护层能够提高存储单元保存电荷的能力，即可提高OTP器件的数据保持力。

公开(公告)号：CN102931073A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201110230301.X

申请日：2011-08-11

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 高永亮 ,  张花威 ,  孙晓峰

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，该方法是对已经图形化的半导体衬底上所形成的微图案窗口两侧的各层进行步骤：(1)干法刻蚀去除光刻胶层；(2)、第一次湿法刻蚀，包括：氢氟酸清洗，清洗时间10至15秒；硫酸、双氧水混合清洗，清洗时间大于10分钟；(3)、第二次湿法刻蚀，包括再次氢氟酸清洗，清洗时间为70至150秒，磷酸清洗，清洗时间大于10分钟。通过分阶段的两次湿法腐蚀，尤其是第二次湿法腐蚀中，长时间的氢氟酸清洗，将光刻胶层以及抗发射层中的二氧化硅彻底清除，从而杜绝了制程工艺中二氧化硅剥落缺陷的产生，保证了半导体器件的质量。

公开(公告)号：CN105990340A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510051424.5

申请日：2015-01-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 张花威 ,  任小兵

IPC: H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括氧化埋层以及所述氧化埋层上的体区；所述体区上形成有栅极，所述栅极由第一条状图形、第二条状图形构成，所述第一条状图形与第二条状图形垂直相交；所述栅极将所述体区在平面内分割为源区、漏区、第一体接触区，其中所述源区与漏区对称分布于所述第二条状图形的两侧，所述第一体接触区位于所述第一条状图形的外侧；根据本发明的建议，所述第一体接触区具有较小的面积，使所述第一体接触区与所述第一条状图形相接触的长度小于所述第一条状图形与源区和漏区相接触的长度，且所述第一体接触区与所述第一条状图形相接触的长度为0.42微米。

公开(公告)号：CN105990112A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510051322.3

申请日：2015-01-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 张花威 ,  任小兵

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42364

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底包括基底层、位于所述基底层之上的埋氧层以及位于所述埋氧层之上的顶硅层；在所述顶硅层上形成栅极介电层，以及位于所述栅极介电层上的栅极层；依次刻蚀所述栅极层和所述栅极介电层，以形成栅极，其中，所述栅极的线宽尺寸小于等于0.18μm；进行湿法漂洗；进行高热预算的退火氧化处理，以修复所述栅极介电层。根据本发明的方法，采用炉管退火进行栅极工艺后的退火增加热预算，加厚氧化厚度，可对栅极下方栅氧化层进行有效修复，进而改善GOI特性，提高器件的可靠性和良率。

公开(公告)号：CN102931073B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201110230301.X

申请日：2011-08-11

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 高永亮 ,  张花威 ,  孙晓峰

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，该方法是对已经图形化的半导体衬底上所形成的微图案窗口两侧的各层进行步骤：(1)干法刻蚀去除光刻胶层；(2)、第一次湿法刻蚀，包括：氢氟酸清洗，清洗时间10至15秒；硫酸、双氧水混合清洗，清洗时间大于10分钟；(3)、第二次湿法刻蚀，包括再次氢氟酸清洗，清洗时间为70至150秒，磷酸清洗，清洗时间大于10分钟。通过分阶段的两次湿法腐蚀，尤其是第二次湿法腐蚀中，长时间的氢氟酸清洗，将光刻胶层以及抗发射层中的二氧化硅彻底清除，从而杜绝了制程工艺中二氧化硅剥落缺陷的产生，保证了半导体器件的质量。

公开(公告)号：CN102530955A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010605215.8

申请日：2010-12-27

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 张花威 ,  孙晓峰 ,  高永亮

IPC: C01B33/06

Abstract: 本发明提供了一种二硅化钨退火方法，其中，包括以下步骤：退火，并控制进舟温度低于600℃。与现有技术相比，本发明的有益效果是：改变了热应力带来的二硅化钨薄膜剥离现象，从根本上消除了薄膜剥离给器件带来的影响。

公开(公告)号：CN102916013B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110222832.4

申请日：2011-08-04

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 张花威 ,  马春霞 ,  王德进

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明实施例公开了一种OTP器件及其制造方法，该OTP器件包括：基底；位于所述基底上的存储单元，所述存储单元包括：由下至上顺序排列的栅介质层、浮栅、叠层介质层和控制栅；位于所述存储单元两侧的侧墙；位于所述存储单元上、且覆盖所述侧墙的保护层。本发明所提供的OTP器件，在存储单元及侧墙上覆盖有保护层，所述保护层可阻挡存储单元外围的可动离子对存储单元内的电荷造成影响，同时避免存储单元内的电荷泄露，因此，所述保护层能够提高存储单元保存电荷的能力，即可提高OTP器件的数据保持力。

公开(公告)号：CN104835737A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201410045119.0

申请日：2014-02-07

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 刘俊文 ,  任小兵 ,  张花威

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66492 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制作方法。该方法包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述半导体衬底内在所述栅极结构的两侧形成有浅掺杂区域；b）在所述半导体衬底和所述栅极结构上形成侧墙材料层，所述侧墙材料层包括交替形成的氧化物层和氮化物层；c）对所述侧墙材料层进行干法刻蚀至露出所述侧墙材料层中的最下面层；d）对露出的氧化物层或露出的氮化物层进行湿法刻蚀，以在所述栅极结构的两侧形成侧墙，其中剩余的氧化物层和剩余的氮化物层具有不同的宽度；以及e）对所述半导体衬底进行源漏掺杂，以使所述侧墙对应的所述半导体衬底中具有掺杂梯度。该方法有效地减小热载流子效应，增强MOS器件可靠性。