公开(公告)号：CN116147808A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310062747.9

申请日：2023-01-13

申请人： 南京航空航天大学

发明人： 葛玖浩 ,  陈炫昂

IPC分类号： G01L1/12 ,  G01N27/72

摘要： 本发明公开了一种复杂铁磁构件残余应力原位检测装置，包括检测探头，检测探头通过供电输入孔与电源连接；检测探头包括壳体，壳体的底部设置有柔性的底板，壳体的内部设置有激励线圈、滤波模块、芯片和磁电阻传感器，磁电阻传感器与芯片和滤波模块连接，激励线圈通过激励输入孔与信号发生器连接，滤波模块通过检测输出孔与锁相放大器连接，锁相放大器与信号采集模块连接，信号采集模块与计算机连接。本发明公开了一种复杂铁磁构件残余应力原位检测装置的检测方法。本发明采用上述复杂铁磁构件残余应力原位检测装置及检测方法，在不机械旋转探头情况下获得主应力大小和方向，并能够对在役复杂铁磁构件的曲面、复杂内腔进行残余应力的原位检测。

公开(公告)号：CN111079267B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201911196382.9

申请日：2019-11-28

申请人： 扬州大学

发明人： 朱林 ,  黄嘉铭 ,  韩清振 ,  郭广明 ,  孙进 ,  吴多利

IPC分类号： G06F30/20 ,  G01L1/12 ,  G01L5/00 ,  G01M13/00 ,  G01M17/007 ,  G06F119/14 ,  G06F119/02

摘要： 本发明公开了一种基于微观残余应力突度的装载机底盘可靠性检测方法，包括如下步骤：S1、确定装载机底盘易损伤的区域；S2、基于漏磁方式的关键区域残余应力实时采集；S3、固定时间节点的底盘易损伤区域残余应力密集度计算；S4、固定时间节点的底盘易损伤区域残余应力突度计算；S5、装载机底盘可靠性指标的计算。该检测方法实时、高效、精度高。

公开(公告)号：CN111183007B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201980004857.1

申请日：2019-07-01

申请人： 非夕科技有限公司 ,  非夕机器人科技有限公司

发明人： 姜皓 ,  王世全

IPC分类号： B25J13/08 ,  G01L1/12 ,  G01L3/00

摘要： 本申请提供了一种多轴力和力矩传感器，以及机器人。该传感器包括第一支撑元件、第二支撑元件、连接在第一支撑元件和第二支撑元件之间的可变形部件以及多个信号对。可变形部件被配置为响应于在多个方向上施加的外力和力矩而偏转。多个信号对中的每个信号对包括磁体和霍尔效应检测器。磁体安装在第一支撑元件和第二支撑元件中的一个上，霍尔效应检测器安装在另一个上。霍尔效应检测器位于对应于相应的磁体的位置。信号对的磁体的一个或多个磁化方向是不同的，使得信号对能够测量在不同方向上施加在第一支撑元件和第二支撑元件上的力和力矩。

公开(公告)号：CN113418637B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202110832603.8

申请日：2021-07-22

申请人： 珠海市钧兴机电有限公司

发明人： 张斌 ,  柯韦圣 ,  黄泽鹏

IPC分类号： G01L1/12 ,  G01P3/44 ,  B62M6/50

摘要： 本发明涉及电动助力车技术领域，具体涉及一种用于电动助力车的扭力传感器，包括：扭力套筒，可随中轴转动，一端与中轴固定连接，另一端与输出部连接；导磁元件，设置在扭力套筒的外表面，导磁元件可随扭力套筒转动并发生形变；支架组件，套设在扭力套筒上，支架组件上设置有线圈组件和电路板，线圈组件和电路板电连接，线圈组件位于支架组件上遮盖导磁元件的部分；本发明通过到导磁元件随扭力套筒转动而发生形变，从而改变磁通量，检测组件检测磁通量的变化大小从而测得扭力的变化，提高检测精度；并且本发明中只需要中轴受力使得导磁元件发生形变即可测得扭力变化，因而能够检测静态和动态扭力，工作性能更加稳定可靠。

公开(公告)号：CN116056548A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202310107496.1

申请日：2023-01-31

申请人： 中国铁塔股份有限公司

发明人： 高震东 ,  许甜 ,  祁宝金 ,  张帆 ,  周荣华 ,  罗金花 ,  陈辉 ,  刘克刚

IPC分类号： H10N35/80 ,  H10N35/00 ,  G01L1/12

摘要： 本申请提供一种基于磁致伸缩材料的悬臂梁式传感器，该传感器包括：悬臂梁，所述悬臂梁的材质为磁致伸缩材料；支撑结构，包括底座和底座外壳，所述底座外壳套设于所述底座上，所述底座和所述底座外壳围合形成容纳腔；传感结构，所述传感结构设于所述容纳腔内，所述悬臂梁的一端插入所述容纳腔内与所述传感结构连接，所述悬臂梁的另一端伸出于所述底座外壳的外侧；其中，所述悬臂梁与所述传感结构相连形成闭合磁回路，所述悬臂梁用于将所受的外力转化为磁偏转，所述磁回路用于将所述磁偏转转化为电压信号输出。

公开(公告)号：CN116026417A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202310216244.2

申请日：2023-03-08

申请人： 河北工业大学

发明人： 翁玲 ,  刘凯乐 ,  李卓林 ,  齐芳芳 ,  张辉 ,  姜胜旺

IPC分类号： G01D21/02 ,  G01L1/12 ,  G01K7/18 ,  G01B7/30

摘要： 本发明涉及触觉传感技术领域，具体提供一种基于磁致伸缩逆效应的多模态触觉传感器，包括磁致伸缩触觉传感器、弯曲度传感器和温度传感器，所述磁致伸缩触觉传感器对物体的软硬度、形状进行识别，弯曲度传感器对物体的尺寸大小进行识别，所述温度传感器对物体的温度分布进行识别。本发明可以感知抓取物体的硬度、尺寸、温度等信息，通过多模态信息实现对物体的精准识别和分类。将多模态触觉传感器阵列安放在机械手指上，通过对传感器的信号分析对不同硬度、尺寸、形状、温度的物体进行准确是识别和分类。

公开(公告)号：CN115165156B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210833858.0

申请日：2022-07-15

申请人： 华南理工大学

发明人： 周池楼 ,  刘先晖 ,  郑益然 ,  戴鹏智

IPC分类号： G01L1/12 ,  G01B7/02

摘要： 本发明公开了一种抗氢干扰的氢环境用载荷传感器及其使用方法。所述传感器包括外壳，外壳开有竖向限位孔，外壳顶端开有圆孔供检测杆沿轴向运动；检测杆一端连接拉环，另一端延伸入外壳与压片相连；压片周向固定连接杆，连接杆下端分别与磁极阵列周向的螺纹杆连接；螺纹杆穿过限位孔延伸至外壳外部，端部设置有调零螺母；磁极阵列在提升磁铁的作用下稳定悬浮于上下热解石墨板之间，其表面固定有两个对称分布的LVDT位移传感器动子；LVDT位移传感器动子穿过上热解石墨板，与固定于外壳内壁的LVDT位移传感器定子配合。本发明将LVDT位移传感器与抗磁悬浮系统组合，避免了传统载荷传感器在氢环境下因氢侵入及温压波动导致的精度差和使用寿命低的缺陷。

公开(公告)号：CN113483921B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202110558640.4

申请日：2021-05-21

申请人： 重庆大学

发明人： 谢磊 ,  杨俊 ,  欧雷 ,  胡宁 ,  徐龙 ,  邬超 ,  刘玉菲 ,  王鹏 ,  陈仙 ,  廖昌荣

IPC分类号： G01L1/12

摘要： 本发明公开一种三维柔性触觉传感器，包括半球形凸起层(1)、浮动电极(2)、绝缘层(3)、有机弹性体(4)、预结构化导电弹性体(5)、驱动电极(6)、感应电极(7)、柔性PCB板(8)和基底(9)；本发明分别从材料磁场极化传感原理和传感单元结构设计上实现法向力与滑移力的三维力检测与自解耦。

公开(公告)号：CN115727978A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211476287.6

申请日：2022-11-23

申请人： 中山大学

发明人： 古博 ,  张成 ,  陈逸铭 ,  张瀚文 ,  邓梓文

IPC分类号： G01L1/12

摘要： 本发明公开了一种基于霍尔效应的触觉传感器、传感器阵列及方法，其中传感器包括：PCB电路板；三轴霍尔芯片，设置在所述PCB电路板上；微型磁铁，设置在所述三轴霍尔芯片的正上方，且所述微型磁铁与所述三轴霍尔芯片之间不相连；硅胶，用于填充在所述微型磁铁与所述三轴霍尔芯片之间，以及包裹所述微型磁铁与所述三轴霍尔芯片；当硅胶在外力的作用下产生形变时，所述微型磁铁与所述三轴霍尔芯片之间的相对位置发生变化；基于利用霍尔效应，三轴霍尔芯片检测到三轴磁场强度的改变，根据三轴磁场强度输出对应的电信号。本发明通过微型磁铁和三轴霍尔芯片的组合，基于霍尔效应原理，能够对三轴压力信息进行测量。本发明可广泛应用于传感器技术领域。

公开(公告)号：CN115207207B

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211113640.4

申请日：2022-09-14

申请人： 深圳市柯雷科技开发有限公司 ,  大连理工大学

发明人： 黄火林 ,  项飙 ,  郭冰 ,  代建勋 ,  夏跃春 ,  刘艳红 ,  陶鹏程 ,  覃开蓉

IPC分类号： H10N35/01 ,  H10N35/85 ,  H10N39/00 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  G01L9/16 ,  G01L9/04 ,  G01L9/00 ,  G01L1/22 ,  G01L1/12

摘要： 氮化物和磁致伸缩材料复合结构压力传感器制作方法，属于半导体传感器领域。技术方案：S1、衬底准备；S2、外延生长；S3、台面隔离；S4、栅极刻蚀；S5、源、漏极欧姆接触制作；S6、介质层沉积；S7、制备栅电极；S8、钝化层沉积与开启电极窗口。有益效果：本发明所述的基于复合氮化物和磁致伸缩材料结构的高灵敏度压力传感器制作方法能制作出压力灵敏度高，体积小、集成度高、量程大、响应速度快的高灵敏度压力传感器，继而还可以制作传感器阵列，实现二维或者三维压力传感，未来有望应用于医疗血压、石化、工业电子称重、江河水位监测等领域。