流体系统和操作流体系统的方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118843514A

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202380026005.9

    申请日:2023-03-08

    Abstract: 本发明涉及一种具有流体元件和输送装置的流体系统。流体元件包括基部主体和可变形的膜,基部主体包括用于引导流体的至少一个第一通道和至少一个第二通道,第一通道的一端形成至少一个出口,第二通道的一端形成至少一个入口,该膜与基部主体连接并且至少覆盖第一通道的出口和第二通道的入口。输送装置包括致动器,该致动器用于使膜变形,从而在基部主体和膜之间形成空腔。致动器包括磁性形状记忆合金或者由磁性形状记忆合金构成。

    多铁异质结磁传感器、其制备方法及电子设备

    公开(公告)号:CN113241401B

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202110420439.X

    申请日:2021-04-19

    Abstract: 本发明涉及一种多铁异质结磁传感器、其制备方法及电子设备,所述磁传感器包括:具有背腔的基底以及固设于基底表面的压电振膜和磁致伸缩层,磁致伸缩层容置于背腔内,压电振膜设于基底背离背腔一侧;基底包括间隔设置围设形成背腔的两部分,基底的其中一部分包括支撑部和悬臂梁,悬臂梁一端固设于支撑部,另一端悬置于背腔上,压电振膜和磁致伸缩层固设于悬臂梁上;压电振膜包括设于基底的电极层以及夹设于电极层之间的压电层。通过以上方式,本发明使用磁致伸缩层的磁致伸缩效应、ΔE效应以及压电结构的正压电、逆压电效应,实现一个多铁异质结磁传感器可以通过两种检测模式下对全频段磁场信号的检测,同时使用MEMS技术,缩小器件尺寸。

    一种基于磁电耦合材料的水声传感器敏感芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN117042583A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202310991190.7

    申请日:2023-08-08

    Abstract: 一种基于磁电耦合材料的水声传感器敏感芯片及其制备方法,本发明属于水声传感器与微机电系统技术领域,具体涉及一种基于磁电耦合材料的水声传感器敏感芯片及其制备方法。本发明要解决现有水声传感器在功耗、微型化、灵敏度等指标上无法满足应用需求的问题。敏感梁轴对称设置在质量块与固支框之间,敏感梁、质量块和固支框上表面位于同一水平面。制备流程:基片清洗和隔离层制作;隔离层上制作下电极层并图形化成下电极和引线;制备磁电耦合敏感区;磁电耦合敏感区上制备上电极层,上电极层之间用钝化层进行电气隔离,清除电极连接孔位置钝化层;将上电极层图形化制作成上电极和引线;将敏感梁和质量块减薄至设计厚度,释放敏感梁和质量块。

    一种基于超磁致伸缩材料的微流泵及其制作方法

    公开(公告)号:CN116624365A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310490476.7

    申请日:2023-05-04

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于超磁致伸缩材料的微流泵,所述微流泵为线圈内置式,所述微流泵包括中空的泵体,所述泵体的顶部设有膜片,在所述泵体的内腔中设有金属线圈,所述金属线圈外部包裹有保护层,所述金属线圈的中部连接有超磁致伸缩棒,所述超磁致伸缩棒与所述膜片相抵靠,所述泵体的底部设有铝电极,所述铝电极与所述金属线圈形成电连接,所述泵体的底部还分别设有入口单向阀和出口单向阀;此外,本发明还提供了该微流泵的制作方法。本发明的微流泵具有响应频率高且利于精确控制流量的优点。

    利用永磁体提高磁电耦合器件的磁电耦合系数的方法

    公开(公告)号:CN113380943B

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202110647524.X

    申请日:2021-06-10

    Inventor: 任豪 牛云平

    Abstract: 本发明涉及一种利用永磁体提高磁电耦合器件的磁电耦合系数的方法,包括由磁致伸缩材料和压电材料所构成的复合结构磁电耦合器件,根据交变的磁场在磁电耦合器件产生幅值最大的交变电压时的磁场,在磁电耦合器件周围设计提供直流偏置磁场的永磁体分布位置,使得磁电耦合器件工作在最佳直流偏置磁场中。使用永磁体安放在磁电耦合器件周围,提供适当的直流偏置磁场,提高了磁电耦合系数并提高了磁电耦合器件的性能。相比于传统的使用电磁铁和亥姆霍兹线圈的方法来提高磁电耦合系数,本发明大大缩小了器件的尺寸,使其能够应用于便携设备之中。

    磁致伸缩应变仪传感器
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110034229B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN201811477914.1

    申请日:2018-12-05

    Inventor: 李德元

    Abstract: 本申请案涉及一种磁致伸缩应变仪传感器。一种应变仪传感器(100)包含衬底(208)、所述衬底上包括磁阻材料的至少一个电阻器。所述磁阻材料展现大于或等于(≥)|2|百万分率ppm的磁致伸缩系数λ及具有大于或等于(≥)2%ΔR/R的各向异性磁阻的各向异性磁阻效应。所述应变仪传感器由单个层的所述磁阻材料组成。到所述电阻器的至少第一触点提供传感器输入且到所述电阻器的第二触点提供传感器输出。

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