Invention Publication
- Patent Title: 一种基于磁电耦合材料的水声传感器敏感芯片及其制备方法
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Application No.: CN202310991190.7Application Date: 2023-08-08
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Publication No.: CN117042583APublication Date: 2023-11-10
- Inventor: 宋尔冬 , 宫占江 , 孙立凯 , 夏露 , 邵志强 , 陈亚洲 , 孙权
- Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
- Applicant Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区一曼街29号
- Assignee: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
- Current Assignee: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
- Current Assignee Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区一曼街29号
- Agency: 哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司
- Agent 高志光
- Main IPC: H10N35/00
- IPC: H10N35/00 ; H10N35/01

Abstract:
一种基于磁电耦合材料的水声传感器敏感芯片及其制备方法,本发明属于水声传感器与微机电系统技术领域,具体涉及一种基于磁电耦合材料的水声传感器敏感芯片及其制备方法。本发明要解决现有水声传感器在功耗、微型化、灵敏度等指标上无法满足应用需求的问题。敏感梁轴对称设置在质量块与固支框之间,敏感梁、质量块和固支框上表面位于同一水平面。制备流程:基片清洗和隔离层制作;隔离层上制作下电极层并图形化成下电极和引线;制备磁电耦合敏感区;磁电耦合敏感区上制备上电极层,上电极层之间用钝化层进行电气隔离,清除电极连接孔位置钝化层;将上电极层图形化制作成上电极和引线;将敏感梁和质量块减薄至设计厚度,释放敏感梁和质量块。
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