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公开(公告)号：CN119533734A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411713738.2
申请日：2024-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 用于实时监测硅片上薄膜应力的系统，属于应力监测领域，本发明的目的是为了解决现有未能实时监测薄膜应力的问题。一个或多个悬臂梁设置在薄膜上，在一个或多个悬臂梁和薄膜上设置微结构，3D共聚焦显微镜，用于测量一个或多个悬臂梁的弯曲特征；控制器，用于根据一个或多个悬臂梁的弯曲特征，计算相应悬臂梁的应力值作为薄膜相应位置的应力值。本发明用于实时对硅片上薄膜进行应力监测。
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公开(公告)号：CN119370906A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411501097.4
申请日：2024-10-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: C01G53/04 , C01B32/184 , C01B32/194 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N27/12
Abstract: 一种二维氧化镍‑石墨烯纳米片的制备方法及应用，它涉及氧化镍‑石墨烯的制备方法及应用。本发明要解决现有石墨烯与氧化镍复合材料的合成方式存在金属氧化物分布不均匀，合成成本高及操作复杂的问题。方法：一、将分散剂溶解在去离子水中，然后加入六水合硝酸镍溶液和柠檬酸固体；二、将乙二醇加入到均匀溶液中；三、老化；四、高温处理。应用，它作为气体传感器敏感材料制备一氧化碳气体传感器。本发明用于二维氧化镍‑石墨烯纳米片的制备及应用。
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公开(公告)号：CN119044862A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411166046.0
申请日：2024-08-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 一种集成电流传感器校准装置，涉及仪器测试校准装置。目的是为了克服现有集成电流传感器大电流检测方法，不适合大规模生产和快速校准，且增加了检测成本并降低了校准的准确率的问题，包括导电插槽、导电片、温控单元和校准处理单元；导电插槽和导电片数量相同，且导电片的一端一对一地与导电插槽电气连接；校准处理单元用于通过导电片采集待校准集成电流传感器的输出电压/电流；以及用于控制温控单元向待校准集成电流传感器提供设定的环境温度；以及用于根据输出电压/电流和环境温度计算得到温度补偿数据后通过导电片将温度补偿数据输入至待校准集成电流传感器，对待校准集成电流传感器进行校准。
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公开(公告)号：CN118623919A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410761023.8
申请日：2024-06-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: G01D5/353
Abstract: 用于复合F‑P腔传感器的高速解调系统及其解调方法，属于光纤传感器技术领域。为了解决复合F‑P腔传感器采用光强解调方法进行解调时，由于复合F‑P腔存在干涉混叠问题，导致无法对其进行高速解调的问题。它包括：宽谱光源发出的光依次经过光学隔离器的隔离和光学滤波器的滤波，然后入射至光学环形器的A端，通过光学环形器的B端输出，注入至复合F‑P腔传感器中，入射光在复合F‑P腔传感器的敏感腔的两个反射面干涉后，再次经过光学环形器的B端，由光学环形器的C端输出，C端输出的光信号被光学探测器接收，转换成电信号，通过数据采集卡输出至上位机，上位机对接收的电信号进行标定和输出。用于光学F‑P传感器。
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公开(公告)号：CN118408628A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410513011.3
申请日：2024-04-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 倒装键合MEMS矢量水听器敏感芯片及其制备方法，涉及一种水听器芯片及其制造方法。目的是为了克服现有水听器在10Hz以下的甚低频频段对水下静音目标的探测受到限制以及灵敏度低的问题，包括一个固定支撑部和两个电极板；固定支撑部相对的两个侧面分别设有键合层；每个电极板均包括层叠设置的阳极层、隔离层和阴极层；两个电极板分别通过阴极层与固定支撑部的两个键合层键合固定；固定支撑部上设有一个贯穿两个键合层的电解质溶液室；且固定支撑部的其他侧面设有与电解质溶液室连通的第一通孔；两个电极板上均设有第二通孔；且第二通孔与电解质溶液室连通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118185348A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410386898.4
申请日：2024-04-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 一种耐高温的电磁纯铁表面电绝缘涂层及其制备方法，属于传感器制备技术领域，为了解决现有高温液态金属液位传感器无法适应高温环境的问题。它包括：低熔点玻璃粉、粘结剂、分散剂、成膜助剂和去离子水；所述低熔点玻璃粉比例为50～85份，所述粘结剂比例为0.1份～3.0份，所述分散剂比例为0.1～2.0份，所述成膜助剂的比例为0～5份，所述去离子水的比例为15～50份；所述低熔点玻璃粉熔融后在电磁纯铁基体表面形成压应力，获得高结合强度涂覆层；所述电绝缘涂层高温烧结于铁芯外表面，使铁芯在高温条件下处于绝缘状态。本发明用于高温液态金属液位传感器中。
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公开(公告)号：CN117928750A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311682597.8
申请日：2023-12-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 一种高温热电偶探头外壳及使用该探头的传感器钎焊方法，它涉及传感器制备领域。本发明解决了现有钢结构装配式水处理装置拼缝连接处存在易渗漏的问题。本发明的第一管体、连接段和第二管体有左至右依次连接并制成一体，第二管体的外侧端面开设有锥形孔。步骤一：加工高温热电偶探头外壳；步骤二：焊前彻底清洗焊接区表面，并用砂纸打磨，使母材尽可能在光滑状态下焊接；步骤三：铠装热电偶为绝缘型，芯线与高温热电偶探头外壳之间的绝缘电阻大于1000MΩ/100VDC；步骤四：焊接时铠装热电偶安装于夹具上进行固定；步骤五：探头端外壳零件与铠装热电偶之间选用BNi‑2钎料进行焊接；步骤六：焊接后的检查。本发明用于传感器钎焊。
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公开(公告)号：CN117042583A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310991190.7
申请日：2023-08-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 一种基于磁电耦合材料的水声传感器敏感芯片及其制备方法，本发明属于水声传感器与微机电系统技术领域，具体涉及一种基于磁电耦合材料的水声传感器敏感芯片及其制备方法。本发明要解决现有水声传感器在功耗、微型化、灵敏度等指标上无法满足应用需求的问题。敏感梁轴对称设置在质量块与固支框之间，敏感梁、质量块和固支框上表面位于同一水平面。制备流程：基片清洗和隔离层制作；隔离层上制作下电极层并图形化成下电极和引线；制备磁电耦合敏感区；磁电耦合敏感区上制备上电极层，上电极层之间用钝化层进行电气隔离，清除电极连接孔位置钝化层；将上电极层图形化制作成上电极和引线；将敏感梁和质量块减薄至设计厚度，释放敏感梁和质量块。
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公开(公告)号：CN116840749A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310386692.7
申请日：2023-04-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 本发明的一种磁平衡式磁场测量装置，涉及磁场检测装置。目的是为了克服现有弱磁检测中磁敏传感器与磁平衡线圈轴线的匹配存在难度，以及补偿电路复杂的问题，包括：磁敏传感器，用于在待检测弱磁场的作用下输出与待检测弱磁场的磁感应强度所对应的电压信号；电流补偿电路，用于根据电压信号生成补偿电流；电流补偿电路使得补偿线圈生成与待检测弱磁场方向相反的次级磁场；调节装置，用于调节磁敏传感器相对于补偿线圈的位置，以使磁敏传感器位于次级磁场的均匀处且令次级磁场与待检测弱磁场达到平衡；采样计量装置，用于对补偿电流进行采样，并根据补偿电流和补偿线圈的匝数计算得到待检测弱磁场的磁场强度。
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公开(公告)号：CN116559359A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310312626.5
申请日：2023-03-28
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: G01N33/00 , G06F18/241 , G06F18/213 , G06N3/0475 , G06N3/0464 , G06N3/045 , G06N3/0442 , G06N3/048 , G06N3/098
Abstract: 本发明创造提供了一种气体传感器漂移补偿方法，确定目标域数据与源域数据；建立DAAN网络模型并训练；将带有标签的源域和没有变迁的目标域数据输入至建立DAAN网络并进行训练；建立带有漂移补偿功能的气体分类模型；利用训练好的气体分类模型对目标域数据进行检测，实现气体分类。本发明创造提高漂移场景下的气体分类准确率。
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