公开(公告)号：CN102005460A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010249688.9

申请日：2010-08-10

Applicant: 索尼公司

Inventor： 松沼健司

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/335 ,  H04N5/374 ,  H04N5/341 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14656 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/14692

Abstract: 本发明涉及固体摄像器件、其制造方法以及使用该固体摄像器件的电子装置。该固体摄像器件包括：多个基板，所述多个基板经由布线层或绝缘层堆叠；感光部，所述感光部形成在多个基板中布置在光入射侧的一个基板中，根据接收到的光量产生信号电荷；接触部，所述接触部连接到形成有感光部的基板的非光入射表面侧，将想要的电压从布置在所述基板的非光入射侧的布线层中的布线供给到所述基板。该固体摄像器件不减少光接收区域而可以减小该固体摄像器件的尺寸。

公开(公告)号：CN101960599A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201080001169.9

申请日：2010-01-27

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 铃木久则 ,  米田康人 ,  高木慎一郎 ,  前田坚太郎 ,  村松雅治

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14812 ,  H01L27/1485 ,  H01L29/76816

Abstract: 本发明的内建电子倍增功能型的固体摄像元件中，在倍增寄存器(EM)的垂直于电子传送方向的剖面内，绝缘层(2)两侧部的厚度大于中央区域的厚度，在N型半导体区域(1C)的中央区域与两侧部的边界上，形成有一对溢出漏极(1N)，各溢出漏极(1N)沿着倍增寄存器(EM)的电子传送方向延伸。溢出式栅极电极(G)从绝缘层(2)的较薄部分至较厚部分延伸，另外，其介于各传送电极(8(8A、8B))的长边方向的两端部与绝缘层(2)之间，且作为对各电极(8(8A、8B))的屏蔽电极也发挥功能。

公开(公告)号：CN101252140B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200810005990.2

申请日：2008-02-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 原田耕一

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14887

Abstract: 可以防止混色，获得高感光度，并使像素细微化。固体摄像装置具有在第一导电型的半导体衬底上配置有多个受光像素的图像区域，其特征在于，包括：多个光传感器部，通过在半导体衬底上设置构成所述受光像素的受光区域和光电转换区域而形成；第二导电型的第一阱区域，形成在夹着所述光传感器部的所述光电转换区域而与所述受光区域相反的一侧，并与形成溢漏阻隔层的所述第一导电型相反；第二导电型的第二阱区域，在夹着所述第一阱区域而与所述光电转换区域相反的一侧，形成在除了与所述光传感器部相对应之处以外的区域上；以及第一导电型区域，在夹着所述第一阱区域而与所述光电转换区域相反的一侧，形成在与所述光传感器部相对应的区域上。

公开(公告)号：CN101715039A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910174559.5

申请日：2009-09-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 神户秀夫

IPC: H04N3/15 ,  H04N5/335 ,  H04N5/225

CPC classification number: H04N5/37213 ,  H01L27/14843 ,  H01L27/14887 ,  H04N5/361 ,  H04N5/3722

Abstract: 本发明公开了固态图像拍摄装置及其驱动方法和电子设备。该固态图像拍摄装置包括：多个感光部分；多个竖直转移寄存器，其被构造成在竖直方向上转移多个感光部分的信号电荷；水平转移寄存器，其被构造成在水平方向上转移信号电荷；浮动栅放大器，其被置于水平转移寄存器的输出侧；浮动扩散放大器，其被置于设置在浮动栅放大器的后级处的水平转移寄存器中；以及溢流排出机构，其被置于浮动栅放大器和浮动扩散放大器之间的水平转移寄存器中。

公开(公告)号：CN101573796A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200780048682.1

申请日：2007-12-27

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 桥本裕介 ,  常定扶美 ,  今井宪次 ,  高田裕司

IPC: H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/14812

Abstract: 提供了一种能够改进输入信号动态范围的光电检测器。这种光电检测器包括光电转换部分(D1)、电荷分离部分(D2)、电荷积聚部分(D3)、形成在电荷分离部分(D2)和电荷积聚部分(D3)之间的势垒电极(24)、以及电气连接到势垒电极(24)的势垒高度调节部分(D4)。诸如当环境光入射在光电转换部分(D1)上时产生的不期望的电荷被电荷分离部分(D2)去除。通过根据从电荷分离部分(D2)提供到势垒高度调节部分(D4)的电荷量对势垒电极(24)施加电压，在势垒电极(24)之下形成具有合适高度的势垒。从电荷分离部分(D2)越过势垒流入电荷积聚部分(D3)的电荷被提供为光电检测器的输出。

公开(公告)号：CN101252140A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810005990.2

申请日：2008-02-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 原田耕一

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14887

Abstract: 可以防止混色，获得高感光度，并使像素细微化。固体摄像装置具有在第一导电型的半导体衬底上配置有多个受光像素的图像区域，其特征在于，包括：多个光传感器部，通过在半导体衬底上设置构成所述受光像素的受光区域和光电转换区域而形成；第二导电型的第一阱区域，形成在夹着所述光传感器部的所述光电转换区域而与所述受光区域相反的一侧，并与形成溢漏阻隔层的所述第一导电型相反；第二导电型的第二阱区域，在夹着所述第一阱区域而与所述光电转换区域相反的一侧，形成在除了与所述光传感器部相对应之处以外的区域上；以及第一导电型区域，在夹着所述第一阱区域而与所述光电转换区域相反的一侧，形成在与所述光传感器部相对应的区域上。

公开(公告)号：CN1519949A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200310118113.3

申请日：2003-11-13

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 冈田吉弘

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/3592 ,  H01L27/14887 ,  H04N5/372

Abstract: 在有横型排泄的CCD固体摄像元件中，使加在漏极区上的电压脉冲低压化。将宽度窄的第一区60设置在沟道区50和漏极区54之间设置的分离区56中电荷传输方向的一部分上，其他部分作为宽度相对宽的第二区62。按照与第一区60相邻的传输电极12－2下面的信息电荷所在位置的时序，将电压脉冲加在漏极区54上，使分离区56形成的电位势垒下降。在第一区60中即使脉冲呈低电压，电位势垒也能充分地降低，排出不需要的电荷。另一方面，在信息电荷通过与第二区62相邻的沟道区50的情况下，第二区62的电位势垒能防止电荷向漏极区54漏出，确保传输效率。

公开(公告)号：CN1191386A

公开(公告)日：1998-08-26

申请号：CN97121720.3

申请日：1997-12-17

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 田边顕人

IPC: H01L21/339

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/14812 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14843 ,  H04N5/3592

Abstract: 一个具有一个用于从携带图像的光产生电荷分组的光电二极管(36),形成在光电二极管之下的垂直溢流漏极(32/33),通过转移栅极晶体管(50)有选择地连接于光电二极管的电荷转移沟道区(37),分别电容耦合于所述电荷转移沟道区的阻性栅电极(49a),和一个连接于阻性栅电极远端和更靠近一个水平电荷转移单元(46)的阻性栅电极的近端的脉冲信号源(RG1/RG2)的固态图像拾取器件,在电荷分组转移到电荷转移沟道区之后脉冲信号源在电荷转移沟道区中产生电位梯度,以使电荷分组能够通过水平电荷转移单元输送而不用大的水平电荷转移信号。

公开(公告)号：CN1124431A

公开(公告)日：1996-06-12

申请号：CN95115053.7

申请日：1995-08-08

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 松田祐二 ,  庭山雅彦

IPC: H04N1/00

CPC classification number: H01L27/14887

Abstract: 本发明提供一种在电视摄像机等中所使用的固态摄像装置及其制造方法。在传送部25的下方通过P型掺杂层24而形成用于排出电荷的n型埋入泄漏部30。由用于控制阈值电压(Vt)的P型读出控制部26分隔受光部22和传送部25之间的读出侧；由沟道截断环27来分隔非读出侧。在受光部22和传送部25上形成绝缘膜28，通过导电型电极29从传送部25读出受光部22的电荷。为了防止暗电流，在受光部22和绝缘膜28的界面上形成P型埋入扩散层23。

公开(公告)号：CN102386191B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201110199311.1

申请日：2011-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 傅士奇 ,  曾凯 ,  吕文祯

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/76 ,  H01L21/761

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14654 ,  H01L27/14672 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明是有关于一种制备自我对准隔离区的方法，其制备多个自我对准隔离区于一基材上的二个邻近感测元件间，以降低邻近感测元件间的串音(Cross-talk)(或散辉现象(Blooming))。此些方法使用氧化物植入掩膜，来形成深掺杂区且也形成浅掺杂区。在一些实施例中，浅掺杂区较窄，并且是藉由沉积共形的介电层在氧化物植入掩膜上方，来窄化用以植入的开口而形成。