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公开(公告)号：CN1244877A
公开(公告)日：2000-02-16
申请号：CN97181411.2
申请日：1997-12-16
Applicant: 克拉里安特国际有限公司
CPC classification number: C08G8/08 , C08G16/0293 , G03F7/0236
Abstract: 本发明提供了一种通过在非高温蒸馏条件下分离出酚醛清漆树脂馏分,制备具有一致分子量和在抗光蚀剂组合物中优异性能的可成膜的、分馏酚醛清漆树脂的方法。还提供了一种由该分馏酚醛清漆树脂制备抗光蚀剂组合物的方法、以及一种使用该抗光蚀剂组合物制造半导体设备的方法。
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公开(公告)号：CN1244876A
公开(公告)日：2000-02-16
申请号：CN97181410.4
申请日：1997-12-16
Applicant: 克拉里安特国际有限公司
CPC classification number: C08G8/08 , G03F7/0236
Abstract: 本发明提供了一种通过按照分子量分馏酚醛清漆树脂,来制备具有固定分子量和在抗光蚀剂组合物中优异性能的水不溶的、碱溶性酚醛清漆树脂馏分的方法。还提供了一种由该酚醛清漆树脂制备抗光蚀剂组合物的方法、以及一种使用该抗光蚀剂组合物制造半导体设备的方法。
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公开(公告)号：CN1203607A
公开(公告)日：1998-12-30
申请号：CN96198863.0
申请日：1996-11-21
Applicant: 克拉里安特国际有限公司
CPC classification number: G03F7/0236 , C08G8/08 , C08G8/10 , C08G8/20
Abstract: 本发明提供不需高温蒸馏以分离不溶于水但溶于碱水溶液的分子量一致、性能优越的酚醛清漆树脂生产方法。也提供从这种酚醛清漆树脂生产光刻胶组合物的方法和用这种光刻胶组合物生产半导体装置的方法。
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公开(公告)号：CN1041243C
公开(公告)日：1998-12-16
申请号：CN94193743.7
申请日：1994-10-12
Applicant: 科莱恩金融(BVI)有限公司
IPC: G03F7/09
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/091
Abstract: 一种用于光刻胶的防反射涂料组合物和利用这种涂料组合物在基片上制作图像的方法，此涂料的折射指数为自大于约1.20至约1.40，它能以单个四分之一波长厚度使用，并能用下层光刻胶的显影剂来除去；此涂料组合物包含含有下列单元的共聚物：式中X为CO式中Y是氟或含氟脂族有机取代基，优选选自COO(CHSOSOCO(OCCO(OCH-CH CH其中脂族链可以是支化的或不支化的；式中R＝H，卤素，CF
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公开(公告)号：CN1171848A
公开(公告)日：1998-01-28
申请号：CN95197187.5
申请日：1995-12-21
Applicant: 赫希斯特人造丝公司
IPC: G03F7/023
CPC classification number: G03F7/023 , G03F7/0236
Abstract: 用于生产包括对－甲酚低聚物的重氮酯的光敏剂的方法,其中用包括约60—100摩尔百分含量的2,1,4－或2,1,5－重氮磺酰氯化物的重氮磺酰氯化物或它们的混合物酯化在对—甲酚环上的至少一个羟基;光刻胶包括光敏剂,水不溶性的,碱性水溶液可溶的酚醛树脂清漆树脂和适当的溶剂的混合物,在光刻胶组合物中存在的光敏剂的量足以均匀地光敏化光刻胶组合物;在光刻胶组合物中存在的酚醛清漆树脂的量足以形成基本上均匀的光刻胶组合物。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101473271A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780022977.1
申请日：2007-06-22
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027 , G02B5/20
CPC classification number: G03F7/40 , H01L21/0273 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明涉及一种微细化的抗蚀图案的形成方法，具体公开了一种使显影后的抗蚀图案微细化而不大大增加生产成本或降低生产效率的图案形成方法，该方法包括如下步骤：让显影后的抗蚀图案与优选包含非离子表面活性剂的处理液接触60秒或更长时间，从而降低通过显影形成的抗蚀图案的有效尺寸。本发明还提供了通过该方法而微细化的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN1675590A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03819630.1
申请日：2003-07-14
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
CPC classification number: H01B3/30 , C08L83/16 , G03F7/0045 , G03F7/0757 , H01B3/46
Abstract: 由含光酸产生剂的聚倍半硅氮烷光敏组合物形成的图案的尺寸变化得到防止。本发明所述光敏组合物的特征在于它包括：一种改性聚倍半硅氮烷，重均分子量为500－200,000，含有由通式－[SiR1(NR2)1.5]－表示的基本结构单元，其中，R1各自独立地表示含1－3个碳原子的烷基或取代或未取代的苯基，R2各自独立地表示氢、含1－3个碳原子的烷基或取代或未取代的苯基，最多达50mol％所述基本结构单元已被一种不同于该硅氮烷键的键合基团所替代；一种光酸产生剂；和一种碱性物质。
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公开(公告)号：CN1650232A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03808168.7
申请日：2003-03-28
Applicant: AZ电子材料日本株式会社
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0233 , G03F7/0236 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶组合物，其包含：a)至少一种选自线性酚醛清漆树脂和聚羟基苯乙烯的成膜树脂；b)至少一种光活性化合物或光酸产生剂；和c)包含至少一种选自缩醛和缩酮的溶剂的溶剂组合物。还公开了一种包含聚碳酸酯树脂和溶剂组合物的光刻胶组合物，所述溶剂组合物包含至少一种选自缩醛和缩酮的溶剂。还公开了一种用于将光刻胶组合物成像的方法，其包括如下步骤：a)用任何一种前述光刻胶组合物涂覆基材；b)烘烤基材以基本上去除溶剂；c)成像式照射光刻胶膜；和d)用合适的显影剂去除涂覆基材的成像式曝光或未曝光区域。
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公开(公告)号：CN1208688C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN99807271.0
申请日：1999-06-02
Applicant: AZ电子材料日本株式会社
Abstract: 一种聚合物，当同适宜的光酸生成剂(PAG)使用时，生成正性光刻胶。该聚合物包括酒石酸聚酐的主链、缩醛保护的1，2-二醇基团和连接于主链的稠环缩醛侧基。缩醛保护的α-羟基酐主链进行有效的光酸催化的裂解生成小分子量片段，这些片段易溶于碱的含水的显影剂中。溶解度的高度差别使可以得到高分辨率图象，提供了耐蚀刻性的稠环包括金刚酮或将樟脑结构。随着加入市场购得的光酸生成剂，聚合物制剂形成正性光刻胶，可以提供高反差和高分辨率的图象。
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