公开(公告)号：CN104681648A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410709226.9

申请日：2014-11-28

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 梁荣成 ,  崔正薰 ,  朴铉定

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/266 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论了一种太阳能电池。根据一种实施方式的太阳能电池包括半导体基板以及设置在该半导体基板的同一侧的第一导电类型区域和第二导电类型区域，其中，所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域中的至少一方包括主区域和设置在该主区域的周边部分的边界区域，并且所述边界区域具有变化的掺杂浓度和变化的掺杂深度中的至少一方。

公开(公告)号：CN102292828B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201080005253.8

申请日：2010-02-19

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 梁贤真 ,  崔正薰 ,  池光善 ,  李宪民

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/0368 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547

Abstract: 示出一种太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体基板；包括晶体部分的第一非晶半导体层；所述半导体基板上的第一电极部分；和所述半导体基板上的第二电极部分。

公开(公告)号：CN104124302A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410165536.9

申请日：2014-04-23

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 崔敏镐 ,  朴铉定 ,  崔正薰

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。该太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，该隧穿层在半导体基板的一个表面上；第一导电类型区域，该第一导电类型区域在隧穿层上；第二导电类型区域，该第二导电类型区域在隧穿层上，使得第二导电类型区域与第一导电类型区域分开；以及阻挡区域，该阻挡区域插入在第一导电类型区域与第二导电类型区域之间，使得阻挡区域将第一导电类型区域与第二导电类型区域分开。

公开(公告)号：CN102197495A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980143034.3

申请日：2009-11-19

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金善虎 ,  李宪民 ,  池光善 ,  鱼英株 ,  崔正薰 ,  安世源

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/03762 ,  C25D7/126 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/20 ,  H01L31/202 ,  H05K3/188 ,  H05K3/246 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0326 ,  Y02E10/50

Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：基板；位于该基板上的至少一个发射极层；电连接至所述至少一个发射极层的至少一个第一电极；以及电连接至该基板的至少一个第二电极。第一电极和第二电极中的至少一方利用镀敷法形成。

公开(公告)号：CN1773295A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510120254.8

申请日：2005-11-09

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 夫钟郁 ,  金声赫 ,  崔正薰 ,  李泳柱

IPC: G01R19/00

Abstract: 在此公开了一种低功率临近AC电流传感器。根据本发明的低功率临近AC电流传感器包括磁性材料，具有根据形成在磁性材料之外的磁场强度而改变的位置；压电薄膜，设置在临近磁性材料的位置上并配置为由于磁性材料的位置改变而生成电荷；以及衬底，用于固定压电薄膜。根据本发明的另一个低功率临近AC电流传感器包括磁性材料，具有根据形成在磁性材料之外的磁场强度而改变的位置；对应电极，设置在临近磁性材料的位置上并配置为根据磁性材料的位置改变而变化；以及衬底，用于固定压电薄膜。