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公开(公告)号：CN102059082A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010564268.X
申请日：2010-11-30
Applicant: 重庆大学
IPC: B01J13/02
Abstract: 本发明属于材料化学领域，涉及纳米二氧化锰/碳复合微球的制备方法，包括以下步骤：将葡萄糖或蔗糖用水溶解制成浓度为0.1~0.5mol/L的溶液，于温度180~240℃水热反应24小时，制得碳球；分别将高锰酸钾和硫代硫酸盐用水溶解制成溶液，在搅拌条件下向高锰酸钾溶液中加入硫代硫酸钠溶液，再加入制得的碳球，硫代硫酸盐与高锰酸钾的摩尔比为1:2，碳球与高锰酸钾的摩尔比为10:1~30:1，于温度120℃水热反应12~14小时，即制得纳米二氧化锰/碳复合微球；本发明方法操作简便，反应条件温和，环境友好，生产成本低，可以在较低的温度条件下大量合成粒径均匀的纳米二氧化锰/碳复合微球，应用前景好。
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公开(公告)号：CN114751655B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202210417459.6
申请日：2022-04-20
Applicant: 重庆大学
IPC: C03C17/34 , C03C17/22 , C25B1/04 , C25B1/55 , C25B11/052 , C25B11/091
Abstract: 硫化铟基异质结构薄膜电极及其制备方法，该方法包括：提供由乙二醇与水形成的混合溶剂，并将三氯化铟和硫脲分别溶解在所述混合溶剂中形成反应溶液，再将FTO导电玻璃平面基底置于反应溶液中进行溶剂热反应，从而在基底的导电面上形成硫化铟基异质结构薄膜。本发明工艺简单、条件温和、反应时间短、对产物形貌的可控性高，重复性好；产品晶体结构完整、形貌均一、纯度高；以及所制备的纳米立方体结构硫化铟基异质结构薄膜电极光电性能优异。
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公开(公告)号：CN115522221B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202211118772.6
申请日：2022-09-13
Applicant: 重庆大学
IPC: C25B11/052 , C25B11/063 , C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: CoP@Co复合催化剂产品及其制备和应用。该复合催化剂产品的制备方法包括将金属基底作为工作电极置于含有钴离子及次磷酸根离子的电解液中；以及采用循环伏安法在金属基底上电化学沉积催化剂层，其中控制循环圈数大于10以使催化剂层含有Co和CoP。本发明通过控制循环伏安电化学沉积的工艺参数尤其是循环圈数在金属基底上直接沉积得到组成可控的Co/CoP非晶异质结。这种异质结型催化剂产品的片状内层富含Co，有利于增加催化剂材料导电性；球状外层则富含CoP，具有高比表面积而有利于增加活性位点。
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公开(公告)号：CN114032593A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111633276.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 重庆大学
IPC: C25D9/08 , C25D5/18 , C25D21/12 , C25B1/04 , C25B11/052 , C25B11/075 , C25B11/063 , B82Y40/00
Abstract: 析氢电极及其制备方法，该方法包括：提供含有Co(NO3)2·6H2O、MnCl2·4H2O、KCl和CH3CSNH2的电解液，其中Co(NO3)2浓度为0.005～0.015mol L‑1,MnCl2浓度为0.005～0.01molL‑1，KCl的浓度范围为0.003～0.008mol L‑1，CH3CSNH2的浓度范围为0.04～0.06mol L‑1；将电解液的pH值调节为6～7；提供基底形式的阴极；采用循环伏安模式执行电解过程，从而在阴极基底上电化学沉积Co9‑xMnxS8催化剂层后制得电解水制氢电极，其中1≤X≤7。本发明采用一步法循环伏安电动力学沉积技术在基底钛片上原位生长出的均匀规整的Co9‑xMnxS8纳米薄片阵列，从而获得了性能可靠的析氢电极。
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公开(公告)号：CN111276336B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010081612.3
申请日：2020-02-06
Applicant: 重庆大学
Abstract: 一种水系钾离子超级电容器电极材料K0.296Mn0.926O2及其组装的电容器，所述电极材料的制备方法包括：MnO2和K2CO3以质量比3～4:1研磨混合；在空气氛中700～800℃下高温煅烧12‑24h，自然冷却至室温；产物洗涤、干燥后即得到层状电极材料K0.296Mn0.926O2；以及以K0.296Mn0.926O2为正极，商用活性炭为负极组装的水系钾离子超级电容器，表现出2.4V的高电位窗口、69.6W h kg‑1的高能量密度和6000W kg‑1的高功率密度。本发明方法简单，适于大规模制备，电极材料中钾离子在储能过程中的迁移速率快，储能效果好，具有工业实用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111276336A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010081612.3
申请日：2020-02-06
Applicant: 重庆大学
Abstract: 一种水系钾离子超级电容器电极材料K0.296Mn0.926O2及其组装的电容器，所述电极材料的制备方法包括：MnO2和K2CO3以质量比3～4:1研磨混合；在空气氛中700～800℃下高温煅烧12-24h，自然冷却至室温；产物洗涤、干燥后即得到层状电极材料K0.296Mn0.926O2；以及以K0.296Mn0.926O2为正极，商用活性炭为负极组装的水系钾离子超级电容器，表现出2.4V的高电位窗口、69.6W h kg-1的高能量密度和6000W kg-1的高功率密度。本发明方法简单，适于大规模制备，电极材料中钾离子在储能过程中的迁移速率快，储能效果好，具有工业实用前景。
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公开(公告)号：CN102942215A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210345503.3
申请日：2012-09-10
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种在金属钛基底上生长的三维SnO2纳米花状结构材料及其制备方法，由五水四氯化锡和氢氧化钠为原料，在金属钛基底上生成的三维SnO2纳米花状材料，其中五水四氯化锡和氢氧化钠的摩尔比为1∶3～16，该纳米花状结构材料制备工艺简单，具有较大的比表面积，能简化电极的制备工艺，且对酸、碱性环境稳定，适用于染料敏化太阳能电池、光催化剂、气体传感器、电容器和锂离子电池等领域。
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公开(公告)号：CN102220619B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110145920.9
申请日：2011-06-01
Applicant: 重庆大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 本发明提供了一种纳米铂镍双金属/二氧化钛纳米管阵列复合材料的制备方法，该方法的工艺步骤为：a、钛片预处理；b、制备二氧化钛纳米管阵列；c、高温焙烧；d、负载纳米铂镍双金属；本发明采用多电流（或多电位）脉冲阶跃法将纳米铂镍双金属负载于二氧化钛纳米管阵列上制得铂镍双金属/二氧化钛纳米管阵列复合材料；采用该方法制备纳米铂镍双金属/二氧化钛纳米管阵列复合材料，不仅可实现在二氧化钛纳米管阵列上均匀地负载纳米铂镍颗粒，纳米铂镍的粒径可控,分散度高，而且具有通用性强等优点。
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公开(公告)号：CN101613080B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200910104418.6
申请日：2009-07-23
Applicant: 重庆大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种通过脉冲电沉积在二氧化钛管列阵上负载镍纳米颗粒，制备纳米镍/二氧化钛纳米管列阵复合材料的方法，首先以金属钛为基底，利用阳极氧化法制备高度有序的纳米二氧化钛管列阵，经焙烧后改善二氧化钛半导体的性质，提高表面电子传输能力，再通过脉冲电沉积法实现镍纳米颗粒均匀地负载TiO2纳米管列阵之上，粒径可控，颗粒均匀，负载量可控。本发明方法制备的Ni/TiO2纳米管列阵复合材料不仅可应用到超级电容器中，而且还可应用到光催化产氢、催化剂以及磁性材料等方面。
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公开(公告)号：CN101613080A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910104418.6
申请日：2009-07-23
Applicant: 重庆大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种通过脉冲电沉积在二氧化钛管列阵上负载镍纳米颗粒，制备纳米镍/二氧化钛纳米管列阵复合材料的方法，首先以金属钛为基底，利用阳极氧化法制备高度有序的纳米二氧化钛管列阵，经焙烧后改善二氧化钛半导体的性质，提高表面电子传输能力，再通过脉冲电沉积法实现镍纳米颗粒均匀地负载TiO2纳米管列阵之上，粒径可控，颗粒均匀，负载量可控。本发明方法制备的Ni/TiO2纳米管列阵复合材料不仅可应用到超级电容器中，而且还可应用到光催化产氢、催化剂以及磁性材料等方面。
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