公开(公告)号：CN114751655B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202210417459.6

申请日：2022-04-20

Applicant: 重庆大学

Inventor： 张丹 ,  马延明 ,  黄千千 ,  郭江娜 ,  张云怀 ,  肖鹏 ,  熊玉立 ,  杨林

IPC: C03C17/34 ,  C03C17/22 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55 ,  C25B11/052 ,  C25B11/091

Abstract: 硫化铟基异质结构薄膜电极及其制备方法，该方法包括：提供由乙二醇与水形成的混合溶剂，并将三氯化铟和硫脲分别溶解在所述混合溶剂中形成反应溶液，再将FTO导电玻璃平面基底置于反应溶液中进行溶剂热反应，从而在基底的导电面上形成硫化铟基异质结构薄膜。本发明工艺简单、条件温和、反应时间短、对产物形貌的可控性高，重复性好；产品晶体结构完整、形貌均一、纯度高；以及所制备的纳米立方体结构硫化铟基异质结构薄膜电极光电性能优异。

公开(公告)号：CN114751655A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210417459.6

申请日：2022-04-20

Applicant: 重庆大学

Inventor： 张丹 ,  马延明 ,  黄千千 ,  郭江娜 ,  张云怀 ,  肖鹏 ,  熊玉立 ,  杨林

IPC: C03C17/34 ,  C03C17/22 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55 ,  C25B11/052 ,  C25B11/091

Abstract: 硫化铟基异质结构薄膜电极及其制备方法，该方法包括：提供由乙二醇与水形成的混合溶剂，并将三氯化铟和硫脲分别溶解在所述混合溶剂中形成反应溶液，再将FTO导电玻璃平面基底置于反应溶液中进行溶剂热反应，从而在基底的导电面上形成硫化铟基异质结构薄膜。本发明工艺简单、条件温和、反应时间短、对产物形貌的可控性高，重复性好；产品晶体结构完整、形貌均一、纯度高；以及所制备的纳米立方体结构硫化铟基异质结构薄膜电极光电性能优异。