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公开(公告)号:CN103243357B
公开(公告)日:2015-09-23
申请号:CN201310174939.5
申请日:2013-05-13
Applicant: 重庆大学
Abstract: 三维多孔镍薄膜的制备方法,包括:提供紫铜片作为阴极并提供镍片作为阳极;配制电镀液,所述电镀液中NiSO4含量为1.0~2.0mol/L,H2SO4含量为0.1~0.3mol/L,H3BO3含量为0.8~1.0mol/L,NH4Cl含量为1.0~2.0mol/L,表面活性剂总含量为0.7~1.4g/L;以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极,采用氢气泡动态模板电沉积法在所述紫铜片上形成三维多孔镍薄膜。根据本发明的方法所制备的多孔镍薄膜孔径均匀,孔隙率高并且稳定性好。
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公开(公告)号:CN103243357A
公开(公告)日:2013-08-14
申请号:CN201310174939.5
申请日:2013-05-13
Applicant: 重庆大学
Abstract: 三维多孔镍薄膜的制备方法,包括:提供紫铜片作为阴极并提供镍片作为阳极;配制电镀液,所述电镀液中NiSO4含量为1.0~2.0mol/L,H2SO4含量为0.1~0.3mol/L,H3BO3含量为0.8~1.0mol/L,NH4Cl含量为1.0~2.0mol/L,表面活性剂总含量为0.7~1.4g/L;以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极,采用氢气泡动态模板电沉积法在所述紫铜片上形成三维多孔镍薄膜。根据本发明的方法所制备的多孔镍薄膜孔径均匀,孔隙率高并且稳定性好。
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公开(公告)号:CN103088371A
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN201310030322.6
申请日:2013-01-25
Applicant: 重庆大学
Abstract: 纳米铜立方体颗粒的制备方法,包括:提供金属基底作为阴极并提供紫铜片作为阳极;配制电镀液,所述电镀液中Cu2+含量为0.02~0.10mol/L、有机弱酸含量为0.2~0.4mol/L、表面活性剂含量为电镀液总质量的1%~4%,电镀液pH值为5.0~7.5;以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极,采用电沉积法在所述金属基底上制备纳米铜立方体颗粒。根据本发明方法所制备的纳米铜立方体纯度高、形状规则、颗粒大小均匀并且抗氧化性优良。
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公开(公告)号:CN102942215A
公开(公告)日:2013-02-27
申请号:CN201210345503.3
申请日:2012-09-10
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种在金属钛基底上生长的三维SnO2纳米花状结构材料及其制备方法,由五水四氯化锡和氢氧化钠为原料,在金属钛基底上生成的三维SnO2纳米花状材料,其中五水四氯化锡和氢氧化钠的摩尔比为1∶3~16,该纳米花状结构材料制备工艺简单,具有较大的比表面积,能简化电极的制备工艺,且对酸、碱性环境稳定,适用于染料敏化太阳能电池、光催化剂、气体传感器、电容器和锂离子电池等领域。
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公开(公告)号:CN103088371B
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201310030322.6
申请日:2013-01-25
Applicant: 重庆大学
Abstract: 纳米铜立方体颗粒的制备方法,包括:提供金属基底作为阴极并提供紫铜片作为阳极;配制电镀液,所述电镀液中Cu2+含量为0.02~0.10mol/L、有机弱酸含量为0.2~0.4mol/L、表面活性剂含量为电镀液总质量的1%~4%,电镀液pH值为5.0~7.5;以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极,采用电沉积法在所述金属基底上制备纳米铜立方体颗粒。根据本发明方法所制备的纳米铜立方体纯度高、形状规则、颗粒大小均匀并且抗氧化性优良。
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公开(公告)号:CN203033774U
公开(公告)日:2013-07-03
申请号:CN201220719615.6
申请日:2012-12-24
Applicant: 重庆大学
IPC: C01B33/107
Abstract: 本实用新型公开了一种四氯化硅制备三氯氢硅的微波等离子体反应装置,包括:带有加热装置的四氯化硅储罐;氢气储罐;氩气储罐;具有保温功能的混合气体储罐,与四氯化硅储罐和氢气储罐相连;微波等离子体反应器,分别与混合气体储罐和氩气储罐相连;微波等离子发生器,通过微波匹配器与微波等离子体反应器的波导腔相连;除尘器,与微波等离子体反应器的反应腔相连;冷凝器,与除尘器相连;气液分离器,与冷凝器相连,冷凝器冷凝得到的液体进入气液分离器;气体分离塔,与冷凝器相连,冷凝器中未冷凝的气体进入气体分离塔。本实用新型一次转化率高、能耗低、原料可重复利用、系统及设备结构简单。
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公开(公告)号:CN203173828U
公开(公告)日:2013-09-04
申请号:CN201220719570.2
申请日:2012-12-24
Applicant: 重庆大学
IPC: C01B33/107
Abstract: 本实用新型公开了一种由四氯化硅氢化生产三氯氢硅的装置,包括:带有加热装置的四氯化硅储罐;氢气储罐;氩气储罐;具有保温功能的混合气体储罐,分别连接四氯化硅储罐、氢气储罐和氩气储罐;氢化反应器,通过装有计量阀门的管道与混合气体储罐相连;射频发生器,射频发生器线圈缠绕在氢化反应器上;除尘器,与氢化反应器相连,氢化反应器中的气体通过压力差进入除尘器;冷凝器,与除尘器相连,除尘器过滤后气体靠压力差进入冷凝器;气液分离装置,与冷凝器相连,冷凝器冷凝得到的液体进入气液分离装置;气体分离塔,与冷凝器相连,冷凝器中未冷凝的气体进入气体分离塔。本实用新型一次转化率高、能耗低、原料可重复利用、系统及设备结构简单。
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