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公开(公告)号:CN102719811B
公开(公告)日:2014-08-13
申请号:CN201210216523.0
申请日:2012-06-18
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了直接在钛基底上生长氧化镍、氧化钴及其复合物储能材料的方法,以阳极氧化法为手段,首先在钛基底表面生成二氧化钛纳米管,再将其浸泡在柠檬酸溶液中进一步提高二氧化钛纳米管的管壁羟基浓度,然后将配置好的过渡金属盐溶液与处理过的钛基底放入反应釜中进行水热反应,最后将反应后的钛基底在N2气氛下焙烧,即得产物,该方法实验条件简单,对实验仪器精密度要求低,操作简单,生长出的产物膜均匀、与钛基底结合稳定且在储能方面的性能优越,因此,该方法适于制备以金属钛为基底的储能材料的。
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公开(公告)号:CN102942215A
公开(公告)日:2013-02-27
申请号:CN201210345503.3
申请日:2012-09-10
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种在金属钛基底上生长的三维SnO2纳米花状结构材料及其制备方法,由五水四氯化锡和氢氧化钠为原料,在金属钛基底上生成的三维SnO2纳米花状材料,其中五水四氯化锡和氢氧化钠的摩尔比为1∶3~16,该纳米花状结构材料制备工艺简单,具有较大的比表面积,能简化电极的制备工艺,且对酸、碱性环境稳定,适用于染料敏化太阳能电池、光催化剂、气体传感器、电容器和锂离子电池等领域。
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公开(公告)号:CN102719811A
公开(公告)日:2012-10-10
申请号:CN201210216523.0
申请日:2012-06-18
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了直接在钛基底上生长氧化镍、氧化钴及其复合物储能材料的方法,以阳极氧化法为手段,首先在钛基底表面生成二氧化钛纳米管,再将其浸泡在柠檬酸溶液中进一步提高二氧化钛纳米管的管壁羟基浓度,然后将配置好的过渡金属盐溶液与处理过的钛基底放入反应釜中进行水热反应,最后将反应后的钛基底在N2气氛下焙烧,即得产物,该方法实验条件简单,对实验仪器精密度要求低,操作简单,生长出的产物膜均匀、与钛基底结合稳定且在储能方面的性能优越,因此,该方法适于制备以金属钛为基底的储能材料的。
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