直接在钛基底上生长氧化镍、氧化钴及其复合物储能材料的方法

    公开(公告)号:CN102719811B

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201210216523.0

    申请日:2012-06-18

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开了直接在钛基底上生长氧化镍、氧化钴及其复合物储能材料的方法,以阳极氧化法为手段,首先在钛基底表面生成二氧化钛纳米管,再将其浸泡在柠檬酸溶液中进一步提高二氧化钛纳米管的管壁羟基浓度,然后将配置好的过渡金属盐溶液与处理过的钛基底放入反应釜中进行水热反应,最后将反应后的钛基底在N2气氛下焙烧,即得产物,该方法实验条件简单,对实验仪器精密度要求低,操作简单,生长出的产物膜均匀、与钛基底结合稳定且在储能方面的性能优越,因此,该方法适于制备以金属钛为基底的储能材料的。

    直接在钛基底上生长氧化镍、氧化钴及其复合物储能材料

    公开(公告)号:CN102719811A

    公开(公告)日:2012-10-10

    申请号:CN201210216523.0

    申请日:2012-06-18

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开了直接在钛基底上生长氧化镍、氧化钴及其复合物储能材料的方法,以阳极氧化法为手段,首先在钛基底表面生成二氧化钛纳米管,再将其浸泡在柠檬酸溶液中进一步提高二氧化钛纳米管的管壁羟基浓度,然后将配置好的过渡金属盐溶液与处理过的钛基底放入反应釜中进行水热反应,最后将反应后的钛基底在N2气氛下焙烧,即得产物,该方法实验条件简单,对实验仪器精密度要求低,操作简单,生长出的产物膜均匀、与钛基底结合稳定且在储能方面的性能优越,因此,该方法适于制备以金属钛为基底的储能材料的。

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