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公开(公告)号：CN105200390A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510603381.7
申请日：2015-09-21
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/26 , C23C16/513
Abstract: 本发明涉及一种直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法，该方法将等离子体增强化学气相沉积纳米石墨烯工艺技术应用到了抑制二次电子发射领域，并通过对工艺过程进行改进和优化设计，在金属基片表面实现了厚度可控的纳米石墨烯薄膜生长，可以将二次电子发射系数降低至小于1.1，同时工艺稳定性高，在室温大气下放置半年，基片二次电子发射系数变化小于10％，本发明在解决微波部件微放电效应及粒子加速器的电子云方面有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119530717A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411438280.4
申请日：2024-10-15
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种抑制介质材料表层局域带电的方法，该方法包括介质材料，该方法是在介质材料表面引入一层纳米级厚度的半导体材料薄膜；半导体材料薄膜是由一种或一种以上的半导体材料薄膜的原料制备而成；半导体材料薄膜的原料是并五苯、8‑羟基喹啉铝、酞菁铜或富勒烯；富勒烯是C60或C70。本发明提出的方法成本低，在抑制了介质材料表层局域带电的同时插入损耗较小，在介质材料带电防护技术领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115261776A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210869639.8
申请日：2022-07-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C8/36
Abstract: 本发明提供了一种基于等离子体氟化抑制微波部件材料二次电子发射的方法，采用惰性气体掺杂六氟化硫放电产生的等离子体射流处理微波部件材料表面，通过在材料表面沉积含氟官能团的方式实现对材料表面的氟化处理，利用强电负性的氟元素表面沉积实现对微波部件材料二次电子发射过程的抑制。该方法所需设备简单、造价低廉、工艺流程简便、处理时间短，通过沉积含氟官能团实现氟化的方式不会显著改变材料本体介电特性，所利用的冷等离子体适用于不耐高温的聚合物介质材料，等离子体吹拂的处理方式适用于具有复杂形貌的微波部件。本技术方案在抑制微波部件微放电、提升微波部件可靠性领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111748769B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202010495917.9
申请日：2020-06-03
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，属于真空电子学二次电子发射抑制技术领域，尤其涉及一种利用薄膜降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，所述的高能区是指入射到银表面电子的能量范围为250‑3000ev。采用NPB材料为薄膜材料，有效降低了银表面高能区的二次电子发射系数。可在银表面大面积制备NPB薄膜，降低了薄膜制备成本。本发明提出的方法对银基底没有温度等特殊要求，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110323527B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910549745.6
申请日：2019-06-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种TE11双模介质全填充谐振结构及滤波器，通信微波技术领域。所述谐振结构，包括第一谐振器、第二谐振器和侧壁耦合介质窗，所述第一谐振器和第二谐振器均为方形切角全介质填充谐振器，且介电常数均为21.5±0.5，所述第一谐振器和第二谐振器并排设置，通过位于两个谐振器之间的所述侧壁耦合介质窗连接形成一体结构，所述一体结构外表面设有银镀层。该谐振结构使滤波器具有小型化、低插损和轻重量等优点，在通信、卫星和导航等领域有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110323527A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910549745.6
申请日：2019-06-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种TE11双模介质全填充谐振结构及滤波器，通信微波技术领域。所述谐振结构，包括第一谐振器、第二谐振器和侧壁耦合介质窗，所述第一谐振器和第二谐振器均为方形切角全介质填充谐振器，且介电常数均为21.5±0.5，所述第一谐振器和第二谐振器并排设置，通过位于两个谐振器之间的所述侧壁耦合介质窗连接形成一体结构，所述一体结构外表面设有银镀层。该谐振结构使滤波器具有小型化、低插损和轻重量等优点，在通信、卫星和导航等领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN106835078B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710042284.4
申请日：2017-01-20
Applicant: 陕西科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种陷阱结构Ag/TiO2/Au涂层的制备方法，采用两步湿化学刻蚀法处理镀银铝合金表面，使镀银铝合金表面形成陷阱结构；继而在陷阱结构表面采用类化学镀法制备TiO2薄膜过渡层，以达到TiO2薄膜在陷阱结构表面的随形沉积；最后采用化学镀法在TiO2表面随形沉积Au薄膜，从而在镀银铝合金表面形成一种陷阱结构Ag/TiO2/Au涂层，提高镀银铝合金表面的二次电子抑制特性及其环境稳定性。
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公开(公告)号：CN105200390B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201510603381.7
申请日：2015-09-21
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/26 , C23C16/513
Abstract: 本发明涉及一种直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法，该方法将等离子体增强化学气相沉积纳米石墨烯工艺技术应用到了抑制二次电子发射领域，并通过对工艺过程进行改进和优化设计，在金属基片表面实现了厚度可控的纳米石墨烯薄膜生长，可以将二次电子发射系数降低至小于1.1，同时工艺稳定性高，在室温大气下放置半年，基片二次电子发射系数变化小于10％，本发明在解决微波部件微放电效应及粒子加速器的电子云方面有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106835077A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710042283.X
申请日：2017-01-20
Applicant: 陕西科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
CPC classification number: C23C18/04 , C23C18/1216 , C23C18/1241 , C23C18/1254 , C23C18/1648 , C23C18/165 , C23C18/44 , C23F1/14 , C23F1/20 , C23F1/30
Abstract: 本发明公开了一种抑制微放电效应的多孔Au涂层的制备方法，首先在镀银铝合金表面构筑多孔结构，然后通过溶胶凝胶法在多孔结构表面随形沉积TiO2薄膜，最后采用化学镀法在TiO2薄膜表面制备Au薄膜，从而在镀银铝合金表面形成一种抑制微放电效应的多孔Au涂层，可极大提高镀银铝合金表面的孔隙率和孔数量，从而提高镀银铝合金表面的微放电抑制特性及其环境稳定性。
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公开(公告)号：CN106044757A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610378294.0
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01P2004/04
Abstract: 一种刻蚀石墨烯纳米孔减小二次电子发射系数的方法，本发明采用结合两种不同方法，涂覆低二次电子发射系数的材料和表面制备陷阱结构：在表面涂覆低二次电子发射系数的石墨烯，然后通过氩离子刻蚀的技术制备纳米孔。技术上通过控制表面涂覆石墨烯的厚度和纳米孔的孔隙率、深宽比实现不同的二次电子发射抑制效果。实验研究发现，金属基片上沉积几纳米至十几纳米不等厚度的石墨烯，二次电子发射系数可以从2.0左右将至1.5‑1.1，在氩离子刻蚀石墨烯纳米孔后，表面的二次电子发射系数降至0.9，实现了电子发射系数从1.5至0.9的可控调节。该技术简单方便，稳定性高，表面无损的状态下涂覆纳米级厚度的导电镀层对器件表面插入损耗影响较小。此技术方案能有效地减小二次电子发射系数，在粒子加速器、真空传输线以及大功率微波部件领域有着广泛的应用前景。
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