-
公开(公告)号：CN105692690A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610019029.3
申请日：2016-01-12
Applicant: 西安工业大学
IPC: C01G19/02
CPC classification number: C01G19/02 , C01P2002/72 , C01P2002/85
Abstract: 本发明公开了一种二氧化锡气敏材料的制备方法,具体为：将二氧化锡粉末加热煅烧，然后冷却，即得到二氧化锡气敏材料。本发明以市售二氧化锡粉末为原料，采用煅烧加低温淬火的方法调控了材料中氧空位的浓度，进而调控了材料的气敏性能。本发明制备二氧化锡气敏材料的成本低、方法简单、可重复性好，并且所得二氧化锡气敏材料气敏性能好，有利于在生产生活中推广应用。
-
公开(公告)号：CN103193200B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310080874.8
申请日：2013-03-14
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明公开了一种镀制在衬底上的火棉胶薄膜的图形化方法。该方法包括如下步骤：利用薄膜沉积方法在火棉胶薄膜上沉积一种容易腐蚀的掩模层；利用微加工技术中的光刻、显影、腐蚀等方法把该掩模层进行处理，获得所需要火棉胶薄膜图形的掩模层图形；利用丙酮去除暴露出来的火棉胶薄膜，再利用掩模层材料腐蚀液腐蚀掉表面的掩模层，最终获得火棉胶薄膜所需要的微小图形。该方法能够精细地制作出火棉胶薄膜的微纳图形，而且具有所用材料成本低，方法简单，操作方便等优点，解决了目前火棉胶薄膜的图形化难题。
-
公开(公告)号：CN105314672A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510671945.0
申请日：2015-10-15
Applicant: 西安工业大学
CPC classification number: C01G9/02 , C01G51/00 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2004/16 , C01P2006/42
Abstract: 一种钴掺杂氧化锌纳米棒的溶胶-凝胶制备方法，按照Zn1-xCoxO的化学计量比，将二水乙酸锌和四水乙酸钴溶于乙二醇甲醚中，搅拌均匀，得到混合溶液；将乙醇胺滴加到混合溶液中，并在60～80℃搅拌下进行反应，反应完成后自然冷却至室温，得到澄清的钴掺杂氧化锌先驱体溶胶；将澄清的钴掺杂氧化锌先驱体溶胶干燥后，得到干凝胶，然后将干凝胶在空气气氛中进行热处理工艺，得到钴掺杂氧化锌纳米棒。本发明通过多组元反应均匀的溶胶-凝胶方法制备钴掺杂氧化锌纳米棒，具有的工艺简单，反应温度低，成本低，实验过程易于控制，产物结晶度好、晶相纯的优点，且制得的钴掺杂氧化锌纳米棒在室温下具有铁磁性。
-
公开(公告)号：CN103329661A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310284343.0
申请日：2013-07-08
Applicant: 西安工业大学
IPC: A01C1/00
Abstract: 本发明涉及一种提高辣椒辣红素含量的方法。植物新品种的选育方法很多，主要有自然变异、杂交育种、太空育种以及离子注入诱变育种等，但自然变异频率较低。本发明将辣椒籽竖直均匀地插入培养皿的花泥，胚芽朝上，露出辣椒籽的胚芽部分；将准备好的辣椒籽培养皿样品放在离子注入真空系统中，面向离子源；真空系统抽取真空至10-4Pa；开启离子辐射源，调整离子辐射工艺参数；进行离子辐射，完成后关闭离子辐射源，给真空系统充气，取出辣椒籽干种子进行培育。本发明采用的离子注入诱变育种技术，工艺参数离子能量和注入剂量方便调整和控制，适应性强，变异频率高，变异谱宽，稳定可靠。
-
公开(公告)号：CN102560398A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210001559.7
申请日：2012-01-05
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种利用高刚性薄膜应力提高压电基底性能的方法。本发明是为了解决在现有工艺条件下，叉指电极周期长度不能无限制细微化提高声波传播速度的问题。本发明提供一种利用高刚性薄膜应力提高压电基底性能的方法，是在压电基底上沉积高刚性薄膜，采用磁控溅射镀膜方法控制高刚性薄膜应力，使压应力达到5～10GPa范围内。通过提高机械性能改善声学性能制作高性能SAW器件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100380587C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200610104434.1
申请日：2006-07-31
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明是采用非晶硅作为红外敏感材料制作非致冷焦平面红外热成像探测阵列悬空结构技术领域，提供一种在硅片上制作具有自支撑的非晶硅热成像探测器微结构的制作方法，首先采用在硅片上镀制一定厚度的聚酰亚胺作为制作非晶硅非致冷红外热成像探测器悬空微结构的牺牲层；采用快速热处理对PI胶的固化和硬化处理；采用PECVD的方法制作低应力、具有自支撑能力的非晶硅敏感薄膜；最后采用等离子体反应刻蚀去除牺牲层PI胶和剩余的光刻胶，获得悬空结构自支撑的非晶硅非致冷焦平面红外热成像探测阵列微结构。用该方法制作的非晶硅非致冷焦平面红外热成像探测阵列解决了悬空结构性能良好，填充因子高，工艺简单、稳定、重复性好的问题，该方法适于实际工业生产应用。
-
公开(公告)号：CN1889235A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200610104434.1
申请日：2006-07-31
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明是采用非晶硅作为红外敏感材料制作非致冷焦平面红外热成像探测阵列悬空结构技术领域，提供一种在硅片上制作具有自支撑的非晶硅热成像探测器微结构的制作方法，首先采用在硅片上镀制一定厚度的PI胶作为制作非晶硅非致冷红外热成像探测器悬空微结构的牺牲层；采用PECVD的方法制作低应力、具有自支撑能力的非晶硅敏感薄膜；采用快速热处理对PI胶的固化和硬化处理；最后采用等离子体反应刻蚀去除牺牲层PI胶和剩余的光刻胶，获得悬空结构自支撑的非晶硅非致冷焦平面红外热成像探测阵列微结构。用该方法制作的非晶硅非致冷焦平面红外热成像探测阵列解决了悬空结构性能良好，填充因子高，工艺简单、稳定、重复性好的问题，该方法适于实际工业生产应用。
-
公开(公告)号：CN119275077A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411382201.2
申请日：2024-09-30
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01J37/141 , H01J37/30 , H01J37/08
Abstract: 本发明属于等离子体技术领域，具体涉及一种磁透镜约束聚焦反应离子束源.本发明能获得离子能量呈正太分布的聚焦离子束，并引入反应气体，实现光学元件表面损伤层的快速去除。本发明采用的技术方案包括阳极，设置于阳极上方的外阴极和设置于离子源中间的中心阴极，所述的阳极、外阴极和中心阴极为异形圆环，外阴极和中心阴极之间设置有离子束引出间隙，阳极和外阴极、中心阴极之间设置有电离区，阳极外侧设置有电离磁线圈，中心阴极下方设置有工作气体导入装置，中心阴极上方设置有磁透镜中心磁极，所述磁透镜中心磁极中间设置有反应气体导出孔，反应气体由导气管经中心阴极导入磁透镜中心磁极，磁透镜中心磁极外周设置有磁透镜线圈，磁透镜线圈上方设置有磁透镜外磁极。
-
公开(公告)号：CN118864764A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410893132.5
申请日：2024-07-04
Applicant: 西安工业大学
IPC: G06T17/20
Abstract: 本发明涉及一种基于结构光和偏振信息融合的三维重建方法。为解决目标跟踪三维重建方法所存在的畸变、方位角模糊、噪声的技术问题。本发明采用的步骤为：1）从0°，45°，90°，135°拍摄被测物体，获取4组k张图像；2）对各组k张图像的每一个像素进行融合去噪；3）通过偏振图像计算被测物体的偏振度，方位角以及天顶角；4）解算被测物体的x,y方向上的原始梯度；5）获取被测物体点云图与深度图；6）解算结构光深度图的x,y方向上的结构光梯度；7）对方位角进行校正，获取方位角；8）获取物体表面的相对深度；9）将相对深度转换为点云数据后，获取网格数据，通过网格数据处理相对深度；10）融合结构光深度图与相对深度还原被测物体的真实深度信息。
-
公开(公告)号：CN117891067A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410071456.0
申请日：2024-01-18
Applicant: 西安工业大学 , 河南平原光电有限公司
IPC: G02B27/00
Abstract: 一种自由曲面光学系统设计的方法，包括选择非球面系统，非球面方程为基础，利用光学设计软件，导出非球面面形数据；将得到的非球面面形数据导入到数据处理软件中；引入自由曲面的数学描述表达式；将非球面高次项所构成的面形分布作为转化自由曲面面形部分，进行自由曲面面形的拟合；利用优化拟合算法将非球面面形分布转换为自由曲面面形分布，得到自由曲面数学表达式中各项的拟合系数；将转化得到的自由曲面光学系统，本发明得到的自由曲面光学系能够有效提升传统光学系统的成像质量，无需改变原有光学系统性能，直接将非球面面形替换为自由曲面面形，此方法在MTF调制传递函数与畸变方面有着明显的提升，满足光学系统更高成像质量的发展方向。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
99
records
(took 0.022 seconds)
