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公开(公告)号:CN108385110B
公开(公告)日:2019-07-12
申请号:CN201810297952.2
申请日:2018-04-04
Applicant: 西安工业大学
IPC: C23C14/46
Abstract: 本发明涉及离子束技术领域,具体涉及一种利用原位溅射结合离子束刻蚀的抛光装置及抛光方法。其包括传递室、刻蚀室、溅射沉积室以及设于传递室与刻蚀室,刻蚀室与溅射沉积室之间的插板阀,传递室、刻蚀室和溅射沉积室内设有三者之间传送工件的工件传送装置。以及应用此设备发明的一种抛光方法,其流程为:首先在传递室装载工件,其次在刻蚀室对工件离子束清洗,再次在溅射沉积室对工件溅射沉积一层薄膜层(牺牲层),进而在刻蚀室对工件进行离子束修正抛光,最后通过传递室取出工件,实现光学元件的抛光。
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公开(公告)号:CN109980028A
公开(公告)日:2019-07-05
申请号:CN201910275784.1
申请日:2019-04-08
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了三维微结构表面电诱导制备透明导电纳米网格薄膜的方法,在基底上表面加工出三维微结构,将导电纳米线加入不导电分散剂中充分混合形成分散液,将所得基底上表面向上置于分散液中并缓慢向上提拉,在提拉过程中,分散液中的导电纳米线靠近基底上表面的三维微结构表面,并被该表面的静电荷吸附而附着在该表面,随着提拉距离增加,三维微结构表面导电纳米线逐渐积累,相互搭接形成网格薄膜;该网格薄膜厚度达到要求后从分散液中取出基底,并用激光焊接方式增强导电纳米线之间的连接力以及导电纳米线和三维微结构表面的附着力;所得网格的网孔可以透光,而构成网格导电纳米线可以形成电通路,即实现三维微结构表面透明导电纳米网格薄膜的制备。
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公开(公告)号:CN107473570A
公开(公告)日:2017-12-15
申请号:CN201710685054.X
申请日:2017-08-11
Applicant: 西安工业大学
IPC: C03B19/12
CPC classification number: C03B19/12
Abstract: 本发明公开了一种溶胶制备光学元件的装置及其制备方法,该装置包括溶胶准备装置、溶胶混合仓、溶胶搅拌器、高压气体发生器、激光照射装置、基片载台和计算机控制系统;原料准备装置与原料混合仓连通,原料搅拌器设置于原料混合仓中以进一步搅拌混合后的溶胶原料,高压气体发生器将混合后的溶胶原料通过其末端设置的喷嘴喷射至基片载台上方设置的基片上,基片上方正对设置激光照射装置。本发明的方法直接由溶胶制备光学元件,根据光学元件的不同种类完成溶胶原料配液混合、基片表面溶胶层覆膜和溶胶层激光烧结,进而完成元件制备。通过这种装置和方法制备的光学元件的形状大小可控,极大的节约了光学元件的制备时间、提高了光学元件的质量和精度。
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公开(公告)号:CN105922083A
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201610271922.5
申请日:2016-04-28
Applicant: 西安工业大学
IPC: B24B1/00
CPC classification number: B24B1/00
Abstract: 本发明涉及磷酸二氢钾类晶体的表面抛光方法。现有磷酸二氢钾类晶体的表面抛光技术存在的表面粗糙度高、给磷酸二氢钾类晶体表面带来损伤或杂质嵌入、磷酸二氢钾类晶体表面存在周期性刀痕波纹等问题。本发明在磷酸二氢钾类晶体表面旋涂一层平坦化层,使其表面粗糙度低于1.5nm,然后进行低温热处理一定时间,放入真空室,利用离子束抛光,直至完全去除表面平坦化层,使平坦化层的光滑表面传递到磷酸二氢钾类晶体表面,获得磷酸二氢钾类晶体的超光滑表面。该技术加工过程中无机械加工应力,抛光过程中材料去除量可以控制到原子量级,可达到很高的抛光效果。
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公开(公告)号:CN104046986A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201310080873.3
申请日:2013-03-14
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及模压制造技术中硅基模具的制造,用于在硅基上加工出有连续变化浮雕结构的三维形貌,其主要加工步骤为:1、通过单点金刚石车削技术在金属材料上制作具有连续曲面形貌的浮雕结构的母模具;2、在硅基底上旋涂一层聚合物膜;3、通过热压印技术,将模具上的浮雕结构转移到聚合物上;4、通过等离子体刻蚀将胶上的浮雕结构同比例的转移到硅材料上,获得硅基模具。该方法具有形貌可控,工艺简单,速度快,重复性好的优点。
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公开(公告)号:CN112816526B
公开(公告)日:2022-10-21
申请号:CN202011639625.4
申请日:2020-12-31
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明公开了一种三维石墨烯气体敏感传感器及其制备方法,属于传感器及低维材料技术领域。该传感器由气体敏感层和上下电极构成,其中气体敏感层是被量子点修饰的三维石墨烯,当传感器周围出现目标检测气体时,气体敏感层吸附气体,电阻率发生改变,通过电阻变化情况判断目标检测气体的浓度变化情况。所述的被量子点修饰的三维石墨烯是通过本发明提出的一种新型合成方法制备而成,它具有比表面积大,电子传输速率快、探测灵敏度高以及机械强度好等优点,解决了传统气体传感器转换效率低、传输速率慢、耗能大、灵敏度低以及易被腐蚀的问题。可以广泛应用于冶金、化工、燃气、消防、煤炭深加工等领域。
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公开(公告)号:CN112909185B
公开(公告)日:2022-08-26
申请号:CN202110061715.8
申请日:2021-01-18
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于量子点和高分子聚合物的光导器件的制备方法,步骤包括:制备不同尺寸的复合胶体量子点,然后通过静电吸附,使其均匀分布在纳米压印模具表面;利用纳米压印方法制备表面附着复合胶体量子点薄膜的高分子聚合物纳米柱阵列;制备银纳米线导电薄膜;制备透明高分子聚合物银纳米线复合导电薄膜;最后,把透明高分子聚合物银纳米线复合导电薄膜覆盖在高分子聚合物纳米柱阵列上,器件制备完成。本发明通过制备不同尺寸的复合胶体量子点薄膜,实现了对可见光和近红外波段的宽光谱响应。高分子聚合物纳米柱阵列明显提高了对入射光的吸收率,使器件具有较高的响应度。本发明的制备方法还具有成本低、简单易行、适于批量生产的优点。
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公开(公告)号:CN112768901B
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202011641314.1
申请日:2020-12-31
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01Q1/36 , H01Q9/04 , C01B32/184 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种三维石墨烯天线及其制备方法,该天线包括三维石墨烯辐射层、介质衬底、金属层和馈线。其中三维石墨烯辐射层为多孔的三维石墨烯。该三维石墨烯制备过程为:首先将气体凝结形成微小的固体颗粒,得到压气固体颗粒,然后将其与氧化石墨烯分散液混合,在高压低温状态下去除分散液,氧化石墨烯便可以围绕压气固体颗粒包覆,经挤压形成包含有微小压气固体颗粒的氧化石墨烯块体。当外界环境变为常温常压时,压气固体颗粒挥发成气体,在氧化石墨烯中留下孔洞,进行退火处理后便得到三维石墨烯。该制备方法简单易行、高效节能,所制备的三维石墨烯具有多孔导电网状结构,以此制备的三维石墨烯天线可广泛用于电子、信息、材料、能源等领域。
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公开(公告)号:CN109980028B
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN201910275784.1
申请日:2019-04-08
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了三维微结构表面电诱导制备透明导电纳米网格薄膜的方法,在基底上表面加工出三维微结构,将导电纳米线加入不导电分散剂中充分混合形成分散液,将所得基底上表面向上置于分散液中并缓慢向上提拉,在提拉过程中,分散液中的导电纳米线靠近基底上表面的三维微结构表面,并被该表面的静电荷吸附而附着在该表面,随着提拉距离增加,三维微结构表面导电纳米线逐渐积累,相互搭接形成网格薄膜;该网格薄膜厚度达到要求后从分散液中取出基底,并用激光焊接方式增强导电纳米线之间的连接力以及导电纳米线和三维微结构表面的附着力;所得网格的网孔可以透光,而构成网格导电纳米线可以形成电通路,即实现三维微结构表面透明导电纳米网格薄膜的制备。
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公开(公告)号:CN109950340B
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN201910275800.7
申请日:2019-04-08
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种透明柔性的宽光谱光电转换结构及制作方法,该宽光谱光电转换结构包括基底、下电极、光敏层、上电极以及保护层;下电极覆盖在基底的上表面,光敏层覆盖在下电极的上表面,上电极覆盖在光敏层的上表面,保护层覆盖在上电极的上表面,构成多层复合结构;采用透明柔性材料制作基底和保护层,以导电纳米线网格制作下电极和上电极,以宽光谱光电转换材料制作光敏层;下电极、上电极和光敏层的薄膜构成宽光谱光电转换结构,该宽光谱光电转换结构具有良好的透光性和柔韧性,可在一定范围内承受弯折、扭转等变形,并具有优良的耐冲击性能,与柔性电路集成后,可以在曲面上安装,在冲击载荷条件下使用。可满足吸收转换一部分光能,又能透过一部分光能的应用需求。
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