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公开(公告)号：CN104911702A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510212841.3
申请日：2015-04-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自组装工艺的高质量单晶金刚石生长方法，按照以下步骤实施：步骤一、将纳米二氧化硅颗粒分散到酒精、异丙醇或者丙酮溶液中，制备得到纳米二氧化硅分散液；步骤二、将分散液滴到单晶金刚石衬底表面，通过旋涂使其在单晶金刚石衬底表面均匀分散；步骤三、通过反应离子刻蚀技术，刻蚀单晶金刚石衬底表面的纳米二氧化硅，形成自断裂的二氧化硅掩膜，使单晶金刚石衬底表面部分裸露；步骤四、通过在裸露的单晶金刚石衬底表面进行金刚石同质外延生长，并在二氧化硅掩膜上进行金刚石横向生长，即在衬底上生长出单晶金刚石薄膜，解决了现有采用同质外延生长法制备金刚石薄膜质量偏低的问题。
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公开(公告)号：CN108321271B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201810182721.7
申请日：2018-03-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种准垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED及其制作方法，其中，一种准垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底和p型硼高掺杂金刚石层，p型硼高掺杂金刚石层上方依次设置有i型碳化硅层、n型磷高掺杂金刚石层、欧姆接触电极和保护金属层，p型硼高掺杂金刚石层上方还依次设置有欧姆接触电极和保护金属层，解决了金刚石LED发光效率问题。
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公开(公告)号：CN110473765B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910812654.7
申请日：2019-08-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表面活化过程中高速氩原子束获得装置及获得方法，解决了现有技术无法获得氩原子束的问题。该装置包括：真空管路，为一真空的空心腔室；氩气枪，设置于真空管路的一侧，用于产生氩气束，并将氩气束输送至真空管路内；汇聚管路，设置于真空管路的另一侧，且其与真空管路连通；真空管路内，沿着氩气束的流动方向依次间隔设置有电离系统、加速系统和中和系统，其中：电离系统，用于提供电场，将氩气束电离为氩等离子体束；加速系统，用于提供电场，对氩等离子体束进一步加速；中和系统，用于过滤经加速的氩等离子体束，并将其转换为氩原子束，氩原子束汇聚于汇聚管路处并加速输出。
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公开(公告)号：CN113467095B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110639970.6
申请日：2021-06-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本申请公开了一种非成像型激光匀质系统及匀质元件的制作方法，该激光匀质系统包括激光器、以及依次设置的小孔、扩束系统、匀质元件、匀质凸透镜、以及屏幕。匀质元件包括金属铱薄膜、以及制备于金属铱薄膜上的微透镜阵列，微透镜阵列采用金刚石衬底材料，金刚石衬底材料和金属铱薄膜通过共价键键合。该方法包括步骤：制备金属铱薄膜；在金属铱薄膜上直接生长单晶金刚石；将单晶金刚石样品研磨抛光；在单晶金刚石样品上制备微透镜阵列；本申请解决了现有技术中反射膜和衬底材料结合力较低，而导致激光匀质系统的损伤阈值低的问题。本发明的激光匀质系统对入射光的轮廓、相位等参数要求低，其结构简单，易操作，损伤阈值高。
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公开(公告)号：CN111715878A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010625411.5
申请日：2020-07-01
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能复合纳米键合材料，由以下原料混合而得：纳米颗粒混合物和有机添加剂，其中，有机添加剂的用量为所述纳米颗粒混合物质量的10％-20％。纳米颗粒混合物由以下质量分数的原料组成：纳米铜5％-50％，纳米镍1％-50％，纳米锡1％-50％，纳米铝0.5％-2％，总质量含量为100％。有机添加剂为松油醇、三乙醇胺和异丙醇的混合物。该复合纳米键合材料具有良好的抗冷热冲击性能，不会出现氧化、裂纹和熔化现象，满足不同膨胀系数键合体的需求。
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公开(公告)号：CN107331672B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201710423435.0
申请日：2017-06-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/0224 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种微透镜阵列的集成非平面紫外光电探测器，包括金属电极、微透镜阵列及半导体材料基底；微透镜阵列设置于半导体材料基底上；金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的两边缘上使得微透镜中间球面部分作为光照区域，边缘部分被金属电极覆盖。本发明通过集成微透镜阵列可以提高感光区面积，同时可以在半导体内部将入射光汇聚而提高单位体积内的光强，增加光生载流子密度以及光增益系数。这种非平面紫外光电探测器的电极结构相比于传统平面电极，具有更强的载流子捕获能力。此外，本发明的紫外光电探测器的结构简单，易实现大规模生产。
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公开(公告)号：CN104992974A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510250214.9
申请日：2015-05-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L21/04
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/044 , H01L29/42364 , H01L29/66969
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基双层绝缘栅介质场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管包含金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、第一层绝缘栅介质层、第二层绝缘栅介质层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；第一层绝缘栅介质层覆盖源极与漏极之间的导电沟道，以及部分源极与漏极；第一层绝缘栅介质层上设置有第二层绝缘栅介质层；第二层绝缘栅介质层上设置有栅电极。本发明采用双层绝缘栅介质的结构有效提高了场效应晶体管的直流、微波特性。
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公开(公告)号：CN207868221U
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201820307963.X
申请日：2018-03-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本实用新型公开了一种垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底、p型硼高掺杂金刚石层、i型碳化硅层和n型磷高掺杂金刚石层，所述单晶金刚石衬底向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层，所述n型磷高掺杂金刚石层向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层,解决了金刚石LED发光效率问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208142209U
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201820306274.7
申请日：2018-03-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本实用新型公开了一种准垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底和p型硼高掺杂金刚石层，p型硼高掺杂金刚石层上方依次设置有i型碳化硅层、n型磷高掺杂金刚石层、欧姆接触电极和保护金属层，p型硼高掺杂金刚石层上方还依次设置有欧姆接触电极和保护金属层，解决了金刚石LED发光效率问题。
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