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公开(公告)号：CN115477276B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202211029524.4
申请日：2022-08-26
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了用于混合尺度纳流体芯片的凸模具的制备方法及应用，该方法的加工步骤为：首先采用微纳刻划设备对单晶硅样品进行刻划，再置入硅烷和乙醇的混合溶液中，使硅烷分子充分吸附在刻划区域；然后采用刻蚀溶液对单晶硅样品进行选择性刻蚀，刻蚀出具有微米级高度和厘米级长度的硅凸结构；再采用微纳刻划设备刻划具有硅凸结构的单晶硅表面，然后再次选择性刻蚀，从而形成具有纳米级高度的凸结构，完成混合尺度纳凸模具结构加工。本发明利用两次扫描探针技术实现了单晶硅表面具有混合尺度特征的凸模具集成加工，加工流程简单、成本低，可以提高纳流体芯片的生产效率。
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公开(公告)号：CN118684185A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410722998.X
申请日：2024-06-05
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提供了三维双层悬空纳米结构制备方法，操作简单，绿色环保，成本低，吞吐量高，采用等离子体辅助纳米转移印刷技术，可实现双层悬空纳米结构的一次性制备，且无需额外的粘附层。本发明还提供了三维双层悬空纳米结构，其具有独特的三维双层悬空结构，具备高比表面积，展现出巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN116651286A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310682228.2
申请日：2023-06-09
Applicant: 西南交通大学
IPC: B01F33/301 , B01L3/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种具有粗细交错正弦结构的高效微混合器及其制备方法，通过刻划、刻蚀、等离子处理、封装，形成具有粗细交错正弦结构的微混合器，该微混合器具有开口宽度不一的微通道，微通道呈正弦结构状，微通道的上开口大于底部宽度，微通道的纵向截面包括v型截面和上大下小的梯形截面；根据设计要求，微通道的纵向截面由v型截面和梯形截面相互交替过渡渐变，对应的深度也对应相互交替过渡渐变，从而形成粗细交错正弦结构。本发明制备方法简单易操作，制备成本低，在制备过程中控制划痕过程中非晶的形成，制得的三维正弦微混合器能加强液体对流，从而大幅提升混合效率，可有效提升微流控芯片的应用性能，可广泛用于加工微流控芯片的生产。
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公开(公告)号：CN115477276A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211029524.4
申请日：2022-08-26
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了用于混合尺度纳流体芯片的凸模具的制备方法及应用，该方法的加工步骤为：首先采用微纳刻划设备对单晶硅样品进行刻划，再置入硅烷和乙醇的混合溶液中，使硅烷分子充分吸附在刻划区域；然后采用刻蚀溶液对单晶硅样品进行选择性刻蚀，刻蚀出具有微米级高度和厘米级长度的硅凸结构；再采用微纳刻划设备刻划具有硅凸结构的单晶硅表面，然后再次选择性刻蚀，从而形成具有纳米级高度的凸结构，完成混合尺度纳凸模具结构加工。本发明利用两次扫描探针技术实现了单晶硅表面具有混合尺度特征的凸模具集成加工，加工流程简单、成本低，可以提高纳流体芯片的生产效率。
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公开(公告)号：CN110642530A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910927840.5
申请日：2019-09-27
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开一种利用UV/O3系统制备的高质量摩擦防护膜，应用于材料表面防护领域，针对现有的固体材料表面防护膜耐磨性能差且摩擦性高的问题，本发明首先使固体材料在UV/O3系统中进行光氧化预处理，使得固体材料表面具有较高的化学活性及降低表面粗糙度，该表面能用于后续分子自组装成膜；然后将固体材料浸入混合液中，由于UV/O3预处理的固体材料表面具有较高的化学活性，能够提高固体材料表面分子自组装成膜速率，并且UV/O3预处理的固体材料表面粗糙度降低，有助于形成高质量摩擦防护膜；相比于现有的固体表面防护方案，本发明使得固体材料表面具备更强的耐磨性能以及低摩擦性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109850842A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910163123.X
申请日：2019-03-05
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅表面纳米坑无损加工方法，包括以下步骤：S1、对单晶硅样品进行清洗和腐蚀处理，以去除单晶硅样品表面的自然氧化层，并获得氢原子或羟基终止的单晶硅表面；S2、对单晶硅表面进行去离子水冲洗后，依次再放入酒精溶液和去离子水中超声清洗，以去除单晶硅表面污染；S3、利用扫描探针显微镜上的探针对单晶硅表面进行加工，探针以设定接触压力、接触时间或循环次数在加工位置反复进行压入-分离操作，从而去除加工位置处的硅原子获得无晶格缺陷的纳米坑。该方法对加工环境无特殊要求，加工表面晶格保持完整，基底材料无残余损伤，加工获得的纳米坑结构具有高可靠服役性能；加工步骤简单且灵活性高，加工成本低。
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公开(公告)号：CN106093469B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610382181.8
申请日：2016-06-01
Applicant: 西南交通大学
IPC: G01P15/093
Abstract: 一种基于微悬臂投影的光电式加速度传感器，包括不透明的矩形壳体(9)、封装在矩形壳体(9)底部的芯片和矩形壳体(9)侧壁上部固定的光源(8)；其中，所述的芯片依次由基底(1)、下绝缘材料层(2)、光敏材料层(3)、微悬臂结构层(5)组成；其特征在于：所述的微悬臂结构层(5)的中部和上绝缘材料层(4)的中部为贯通的矩形空腔；空腔内的矩形质量块(7a)通过条状的微悬梁(7b)连接在微悬臂结构层(5)的空腔壁上构成异形微悬臂；且矩形质量块(7a)在微悬梁(7b)方向的长度小于或等于矩形空腔在微悬梁(7b)方向的长度的1/2。其灵敏度高、分辨率高、响应快、可靠性强、寿命长；且结构简单，体积小，成本低，易于批量化生产。
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公开(公告)号：CN108821230A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810659326.3
申请日：2018-06-25
Applicant: 西南交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化-二次刻蚀的无损微纳结构加工方法，包括以下步骤：S1、将单晶硅(100)基片表面进行氧化层去除处理，再对其表面进行清洗；S2、利用原子力显微镜探针，通过阳极氧化在单晶硅(100)基片表面上加工一层氧化薄膜图案作为掩膜；S3、采用TMAH溶液对单晶硅(100)基片表面进行刻蚀，得到所需纳米结构；S4、采用HF溶液对经过步骤S3处理的单晶硅(100)基片进行刻蚀，以完全去除氧化薄膜，获得所需无损微纳结构。该方法操作简单、灵活、高效、成本低廉，利用该方法加工出的衬底结构，相比其他的外延生长的发光衬底，具有不损伤基底的特点。
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公开(公告)号：CN105858595B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201610207578.3
申请日：2016-04-06
Applicant: 西南交通大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 一种平面度自补偿的大面积微加工用多针尖阵列制备方法，其作法是：在载玻片(4)上镀一层蜡片薄膜(3)，并在蜡片薄膜(3)上形成均匀排列的凹槽(2)；将微球(6)逐个置于各个凹槽(2)中，再用玻片(7)将微球(6)压入蜡片薄膜使所有的微球(6)均接触到载玻片(3)；将弹性材料片(10)粘接在平整的针尖板(8)上，再涂一层紫外胶(11)。将针尖板(8)的紫外胶面平压在微球(6)上，同时紫外照射紫外胶，使紫外胶固化，微球(6)粘接在针尖板(8)上；最后将蜡片薄膜融化，取走载玻片(4)，清洗掉微球(6)表面残留的蜡，即得。该法加工出的多针尖阵列平面度好，各针尖的高度一致；且其制备简单、成本低、易于实施。
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公开(公告)号：CN106744653A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611006293.X
申请日：2016-11-07
Applicant: 西南交通大学
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/0038 , B81C1/00 , B81C1/00428 , B81C2201/01 , B81C2201/0198
Abstract: 本发明公开了一种具有内孔的碳基微纳分级结构阵列及其制备方法，该结构的表面和内部分别具有纳米形貌和纳米孔道。该结构的制备方法包括以下步骤：S1、在硅基片上使用负性光刻胶进行光刻，获得光刻胶微结构阵列；S2、采用氧等离子体对光刻胶微结构阵列进行刻蚀，获得光刻胶微纳分级结构阵列；S3、在光刻胶微纳分级结构阵列的表面集成纳米薄膜；S4、在保护气体环境下，将表面集成有纳米薄膜的微纳分级结构进行热解，得到碳基微纳分级结构阵列。上述制备方法操作简单，过程可控性强，适于规模化制备；该结构兼具微结构的稳定性和纳结构有效表面积大的特点，还具有碳骨架良好的生物兼容性和导电性。
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