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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108821230A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810659326.3
申请日：2018-06-25
Applicant: 西南交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化-二次刻蚀的无损微纳结构加工方法，包括以下步骤：S1、将单晶硅(100)基片表面进行氧化层去除处理，再对其表面进行清洗；S2、利用原子力显微镜探针，通过阳极氧化在单晶硅(100)基片表面上加工一层氧化薄膜图案作为掩膜；S3、采用TMAH溶液对单晶硅(100)基片表面进行刻蚀，得到所需纳米结构；S4、采用HF溶液对经过步骤S3处理的单晶硅(100)基片进行刻蚀，以完全去除氧化薄膜，获得所需无损微纳结构。该方法操作简单、灵活、高效、成本低廉，利用该方法加工出的衬底结构，相比其他的外延生长的发光衬底，具有不损伤基底的特点。
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公开(公告)号：CN108333390A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810076164.0
申请日：2018-01-26
Applicant: 西南交通大学
IPC: G01Q60/24
Abstract: 本发明公开了一种基于导电性变化的单晶硅表面机械损伤的检测方法，包括以下步骤：首先将清洁、干燥的待检测的单晶硅片放入导电原子力显微镜样品腔内，并对待检测的损伤区域进行扫描，获得表面形貌图和电流分布图；再对比分析扫描结果，并寻找单晶硅表面机械损伤位置，得出检测结果。本发明所提供的一种基于导电性变化的单晶硅表面机械损伤的检测方法中，采用原子力显微镜的微针尖进行扫描检测，接触压力远小于单晶硅的屈服时的临界接触压力，不会对样品造成损坏。本发明适用于检测单晶硅表面在切削、研磨、抛光等机械加工过程中所产生的机械损伤。
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公开(公告)号：CN108892101A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810742627.2
申请日：2018-07-09
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于摩擦诱导TMAH选择性刻蚀的硅表面纳米加工方法，包括以下步骤：S1、对干净的单晶硅表面进行氧化层去除处理，再依次对其表面进行清洗、干燥；S2、通过原子力显微镜或划痕设备利用金刚石针尖在单晶硅表面进行表面划痕加工；S3、采用四甲基氢氧化铵溶液对单晶硅表面进行刻蚀，刻蚀完成后对单晶硅表面进行清洗，获得单晶硅表面的三维纳米结构。本发明提供的加工方法采用直接对硅表面进行加工的方式，无需复杂的制样过程，方法简单，成本低，表面质量高；在加工过程中可随时更换所加工的位置，做到对加工点位的精确控制；此外，加工过程中除了需在洁净条件下进行外，对其他环境条件要求较低，可快速更换待加工样品，效率高。
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公开(公告)号：CN220149666U
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202321530936.6
申请日：2023-06-15
Applicant: 西南交通大学 , 成都青石激光科技有限公司
IPC: C23C24/10
Abstract: 本实用新型公开了一种激光熔覆粉末干燥及混合装置，主体部分包括从上到下依次设置的电机、电机支撑座和粉桶，粉桶内设置双螺旋桨叶构成的搅拌器，由电机驱动连接搅拌器；主体部分通过轴承和轴承上座配合，安装在支架上，可绕轴承轴线转动；气缸通过吊耳连接粉桶和支架，气缸和气瓶甲之间使用软管甲连接；粉桶底部设置三个相同的进气口，沿桶底周向均匀分布，进气口通过软管丙连接加热装置，加热装置通过软管乙连接气瓶乙；粉桶上部沿桶壁周向均匀设置三个出气口；粉桶上部设置进料口，粉桶底部设置卸料阀。本实用新型提升了混合效果，并混合更均匀，并保持粉末干燥，防止粉末氧化。
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公开(公告)号：CN219966443U
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202321530203.2
申请日：2023-06-15
Applicant: 西南交通大学 , 成都青石激光科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种激光熔覆缺陷声发射动态检测传感器冷却及防护装置，底座下表面镶嵌有沿圆周方向布置的磁吸块，底座上表面装有温度传感器，底座中间放有传导声信号的传导块，在传导块上放上声发射传感器，声发射传感器上方装有卡爪作为固定装置，卡爪上方有弹簧，弹簧处于压紧状态；底座正上方装有冷凝管，冷凝管环绕声发射传感器与传导块，冷凝管用冷却管连通到冷却液容器，冷却液容器内含冷却液，冷却液容器上设置驱动泵。本实用新型采用水冷和风冷相结合，可以有效对基板和传感器进行降温，同时有效保护传感器部件。
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