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公开(公告)号：CN111048664A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911245752.3
申请日：2019-12-07
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种垂直结构的有机电化学晶体管及其制备方法，所述垂直结构的有机电化学晶体管为顶栅垂直结构，从下往上依次为基底、漏电极、有源层、网状源电极，电解质层和栅电极。其制备方法包括以下步骤：1）在具有图案化漏电极的基底上通过旋涂工艺沉积聚合物导电薄膜并退火，制得有源层；2）在有源层上通过旋涂工艺沉积网状源电极薄膜并退火；3）在网状源电极上通过旋涂或刮涂工艺沉积聚合物离子凝胶电解质并退火，制得电解质层；4）在电解质层上通过热蒸镀的方法制备栅电极，得到垂直结构的有机电化学晶体管。该方法制备的有机电化学晶体管可以缩小器件尺寸，提高器件性能，扩展其应用范围。
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公开(公告)号：CN108557837A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810061817.8
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直孔道的SBA-15多孔薄膜的制备方法，其以P123、SDS和C16TMAB混合作为三元表面活性剂，以酸化硅酸钠作为硅源，将两者混合制备模板溶液后，利用简单的旋涂成膜工艺技术，在硅片衬底上制备薄膜层，再通过干燥、焙烧除去其中的三元表面活性剂后，经水热处理制得具有垂直孔道的SBA-15多孔薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，所得具有垂直结构的SBA-15薄膜能够应用于光电器件和锂电池方面的制备。
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公开(公告)号：CN108270008A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810061273.5
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/583 , H01M10/0525 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种基于熔融碱金属液插入剥离制备单层石墨烯的方法。这种单层结构的石墨烯纳米材料，是以石墨为前驱体，以熔融碱金属作为溶剂，通过溶剂热实现单层石墨烯的制备。本发明主要是利用在高纯氩气的保护下，利用溶剂热法，将碱金属离子嵌入到石墨层之间，得到碱金属嵌入的单层石墨烯材料，然后再依次通过正己烷、去离子水清洗，通过离心分离等工艺，制备出了高纯度的单层结构的石墨烯纳米材料。本发明的制备工艺简单，成本低廉，所制备的纳米材料具有高比表面积、良好的导电性。结构稳定性及电化学循环性能，在锂二次电池电极负极材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN108102643A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810061802.1
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
CPC classification number: C09K11/025 , B29C41/04 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C09K11/664 , C09K11/883
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光薄膜的制备方法。其先制备具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜，随后再以其为模板，通过旋涂的方式灌入量子点前驱体溶液，使量子点在SBA‑15薄膜的垂直孔道中形成，再在其表面旋涂一层高分子聚合物进行封装，从而形成所述基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过SBA‑15的孔道限域作用，可使形成的量子点具有粒径均一、单色性好等优势。
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公开(公告)号：CN111952475B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202010829314.8
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种含有银纳米颗粒的钙钛矿发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：选取ITO玻璃作为发光二极管的衬底；配制ZnO前驱体溶液和PEIE溶液并在ITO玻璃上先后旋涂，制得ZnO/PEIE薄膜；配制含有银纳米颗粒的DMF溶液，将含有及不含有银纳米颗粒的DMF溶液作为溶剂溶解钙钛矿，制备钙钛矿前驱体溶液；在ZnO薄膜表面旋涂上述溶液，制得混合有银纳米颗粒的钙钛矿薄膜；配制空穴传输层前驱体溶液并在钙钛矿发光层表面旋涂，干燥形成空穴传输层；将氧化钼和金蒸发到样片上，制得混合有银纳米颗粒的钙钛矿发光二极管器件。该方法不仅在提高电子空穴浓度的同时提高了钙钛矿的稳定性，
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115666150A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211580088.X
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱发光层的QWLED及其制备方法，在立方体ZnS种子的基础上，合成了ZnS/Cu2Se/ZnS立方体量子阱结构，以此结构为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有立方体异质结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN114479157A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210076420.2
申请日：2022-01-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供了一种应变隔离的可拉伸衬底的实现方法，采用一弹性体聚合物薄膜，该薄膜通过采用溶液法，并利用旋涂工艺在基底上成膜后，将液体有机小分子单体、交联剂、光引发剂混合溶液渗入该薄膜中，再经过激光照射部分区域，使被照射部分的所述混合溶液中的小分子单体形成交联网络嵌入弹性体聚合物中，形成互穿网络，大大增强该弹性薄膜局部区域的机械强度。应用本技术方案可有效保护其局部区域在拉伸状态下不产生形变，实现应变隔离的效果，各种类型的器件可以直接制备或转移至其刚度加强的区域，保证在衬底拉伸状态下，器件不被破坏。
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公开(公告)号：CN111048582B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010027109.X
申请日：2020-01-10
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种调节金属氧化物突触晶体管突触可塑性的方法，所述金属氧化物突触晶体管为底栅顶接触结构，包括由下至上依次设置的基底、绝缘层、有源层以及源漏电极，在制备完成所述金属氧化物突触晶体管的绝缘层后，对其进行激光照射处理，通过调节激光照射参数调节金属氧化物突触晶体管的突触响应特性。该方法有利于快速、便捷、低温地调节突触晶体管的突触可塑性。
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公开(公告)号：CN111952476A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010829320.3
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种CdSe量子点发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：选取ITO玻璃作为发光二极管的衬底；旋涂PEDOT：PSS溶液，退火干燥形成薄膜；配置空穴传输层前驱体溶液，并旋涂在PEDOT：PSS混合溶液膜层上，形成空穴传输层；配置CdSe量子点溶液并旋涂在空穴传输层上，形成CdSe量子点发光中心层；配置氧化石墨烯的乙二醇溶液并旋涂在量子点发光中心层上；配置ZnO溶液并旋涂在氧化石墨烯膜层上，形成氧化锌的电子传输层；将银蒸镀到样片上，形成银电极，制得使用氧化石墨烯平衡载流子注入的CdSe量子点发光二极管。该方法不仅在降低量子点层缺陷的同时提高了器件的性能，而且制备工艺简单，制作成本低。
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公开(公告)号：CN108258225B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810061272.0
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/36
Abstract: 本发明涉及一种用于锂离子电池的碳/金属硫化物/碳三维多孔阵列复合电极材料的制备方法。该电极材料以竹子煅烧后的碳骨架为阵列基底，采用去有机化，酸化等工艺负载金属氧化物活性物质，然后又通过葡萄糖包覆以及碳化处理来增强材料的稳定性，接着又采用抽滤，烘干，超声处理以及水热硫化的工艺将氧化物改性为硫化物来增加电化学性能，最终获得一种用于锂离子电池的碳/金属硫化物/碳三维多孔阵列复合电极材料。本发明绿色环保，无贵金属及重金属的使用，方便可行，有利于工业化大规模生产，且制备的电极材料具有优异的导电性与稳定性，以及高的充放电比容量及电化学循环性能，在锂电池负极材料领域有着巨大的应用潜力。
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