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公开(公告)号:CN108155369B
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:CN201810064130.X
申请日:2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及一种类石墨烯/金属硫化物/碳复合电极材料的制备方法,利用生活垃圾柚子皮作为碳源,通过去有机化和增大孔径处理得到电极材料,将其浸润在活性物质的离子溶液中,使活性金属离子负载在材料的表面,然后通过煅烧将其转化为负载在多孔碳上的复合电极材料。接着再通过硫化处理使得到电极材料得到改性,获得性能更好的复合电极材料,最后又经过葡萄糖包覆以及碳化等工艺,得到性能更加稳定的类石墨烯/金属硫化物/碳复合电极材料。本发明制备方法绿色无污染,制作成本低,将生活中的垃圾柚子皮变废为宝,获得的复合材料具有优异的电化学性能,将极大促进新能源中锂电池负极材料的发展与创新。
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公开(公告)号:CN108155369A
公开(公告)日:2018-06-12
申请号:CN201810064130.X
申请日:2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及一种类石墨烯/金属硫化物/碳复合电极材料的制备方法,利用生活垃圾柚子皮作为碳源,通过去有机化和增大孔径处理得到电极材料,将其浸润在活性物质的离子溶液中,使活性金属离子负载在材料的表面,然后通过煅烧将其转化为负载在多孔碳上的复合电极材料。接着再通过硫化处理使得到电极材料得到改性,获得性能更好的复合电极材料,最后又经过葡萄糖包覆以及碳化等工艺,得到性能更加稳定的类石墨烯/金属硫化物/碳复合电极材料。本发明制备方法绿色无污染,制作成本低,将生活中的垃圾柚子皮变废为宝,获得的复合材料具有优异的电化学性能,将极大促进新能源中锂电池负极材料的发展与创新。
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公开(公告)号:CN115666149A
公开(公告)日:2023-01-31
申请号:CN202211580080.3
申请日:2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于CdSe/PbS/CdS核壳量子阱发光层的QWLED及其制备方法,由硒化镉为核,以硫化铅为中间层,再以硫化镉为壳的量子阱材料为发光层,制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件,本发明运用热注入法制备具有一维核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料,并展示了一种量子阱LED制备方法,核壳量子阱结构新颖,器件结构稳定高效,所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性,所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率,在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号:CN111952473A
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN202010829057.8
申请日:2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜及发光二极管制备方法。首先在ITO玻璃上,在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后,利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜,随后通过两步旋涂而后通过退火获得了使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜发光层,再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层,并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金,最终形成一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿发光二极管器件。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单,本发明过两亲性二氧化硅纳米颗粒对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合,不仅使得纳米颗粒在钙钛矿颗粒间隙之间堆积,从而提高了钙钛矿发光层的抗水氧腐蚀性,而且还防止了电子、空穴在间隙处的直接复合,从而提高了器件的性能。
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公开(公告)号:CN108190959B
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201810061274.X
申请日:2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于熔融碱金属液插入剥离制备单层硫化钼的方法,利用溶剂热法,在反应釜中,以MoS2粉末为前驱体,熔融碱金属(锂、钠、钾)为溶剂,在高纯氩气的保护下,将碱金属离子嵌入到MoS2层之间,通过缓慢加入去离子水超声、离心工艺去除未反应的MoS2,得到嵌锂的单层MoS2纳米材料,再通过加入丙酮离心清洗若干次,最后通过去离子水超声处理制备出了高纯度的单层结构的MoS2纳米材料。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单、充分利用碱金属嵌入MoS2纳米材料,从而有效提高单层硫化钼的产率。
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公开(公告)号:CN108232042A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201810065630.5
申请日:2018-01-23
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0003 , H01L51/502
Abstract: 本发明涉及一种贵金属/SiO2复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件的制备方法。利用简单的旋涂成膜工艺技术,在图案化的ITO玻璃衬底上,分别旋涂空穴注入层PEDOT:PSS、空穴传输层、贵金属/SiO2复合粒子‑半导体量子点混合量子点层、电子传输层,再通过磁控溅射蒸镀电极以及封装工艺,最终制备出贵金属/SiO2复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件。利用金属等离子体激元增强效应提升半导体量子点周围的电场强度,从而有效提升在电致发光发光层载流子复合的利用效率,使得半导体量子点电致发光强度和发光效率剧增。
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公开(公告)号:CN108190959A
公开(公告)日:2018-06-22
申请号:CN201810061274.X
申请日:2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于熔融碱金属液插入剥离制备单层硫化钼的方法,利用溶剂热法,在反应釜中,以MoS2粉末为前驱体,熔融碱金属(锂、钠、钾)为溶剂,在高纯氩气的保护下,将碱金属离子嵌入到MoS2层之间,通过缓慢加入去离子水超声、离心工艺去除未反应的MoS2,得到嵌锂的单层MoS2纳米材料,再通过加入丙酮离心清洗若干次,最后通过去离子水超声处理制备出了高纯度的单层结构的MoS2纳米材料。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单、充分利用碱金属嵌入MoS2纳米材料,从而有效提高单层硫化钼的产率。
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公开(公告)号:CN108130085A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201810063616.1
申请日:2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种贵金属/SiO2复合粒子-半导体量子点叠层量子点发光薄膜。在ITO玻璃衬底上,组装单层金属纳米颗粒核作为等离子激元增强中心,并在金属纳米颗粒外包SiO2壳作为隔离层;以CuInS/ZnS量子点半导体量子点作为光致发光中心。利用旋涂工艺制备贵金属/SiO2复合粒子-半导体量子点叠层量子点发光薄膜,最后通过有机物旋涂、封装工艺,最终制备出所述量子点发光薄膜。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单,本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单,成为最有可能提高半导体量子点处光场强度,提升激发光利用效率,从而最终提升半导体量子点发光光学膜整体发光性能的最有效方法。
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公开(公告)号:CN111952473B
公开(公告)日:2023-12-12
申请号:CN202010829057.8
申请日:2020-08-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/15 , H10K50/155 , H10K85/50 , H10K71/12
Abstract: 本发明涉及一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜及发光二极管制备方法。首先在ITO玻璃上,在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后,利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜,随后通过两步旋涂而后通过退火获得了使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜发光层,再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层,并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金,最终形成一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿发光二极管器件。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单,本发明过两亲性二氧化硅纳米颗粒对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合,不仅使得纳米颗粒在钙钛矿颗粒间
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公开(公告)号:CN111952472A
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN202010828328.8
申请日:2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于短链配体修饰的CdSe量子点发光二极管器件制备方法,包括以下步骤:步骤S1:选取ITO玻璃作为衬底,步骤S2:旋涂PEDOT:PSS溶液,形成薄膜;步骤S3:配置空穴传输层溶液,并旋涂于PEDOT:PSS的膜层之上,形成空穴传输层;步骤S4:制备银纳米颗粒,并使用正己烷溶解纳米颗粒,制备成银纳米颗粒的正己烷溶液;步骤S5:制备CdSe量子点与二氧化硅纳米颗粒的混合溶液,并在空穴传输层上旋涂混合溶液,形成CdSe量子点发光中心层;步骤S6:配置ZnO溶液,在量子点膜层之上旋涂该溶液,形成氧化锌的电子传输层;步骤S7:利用蒸镀技术,形成银电极,制备得出掺杂了银的CdSe量子点发光二极管。本发明能够有效提高量子点发光层的载流子浓度,提高其复合几率。
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