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公开(公告)号：CN117636036A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311644185.5
申请日：2023-12-01
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06V10/25 , G06N3/0464 , G06N3/09
Abstract: 本发明属于飞机舱门检测技术领域，公开了一种基于改进轻量化模型的飞机舱门检测方法及系统，设计了一种面向嵌入式设备的轻量化飞机舱门检测模型设计方法，该模型结合使用轻量化卷积网络设计、深度可分离卷积、稀疏化训练和通道剪枝等轻量化模型设计方法，并引入像素亮度变换算法，在保证检测准确率的情况下，大幅提升检测速度。本发明注重模型的检测实时性，使得飞机舱门检测在嵌入式设备上能够实现快速、实时的响应，以满足自动驾驶登机桥与飞机对接的实时任务需求；本发明采用的轻量化模型设计方法和稀疏性训练方法能极大程度地降低模型参数量和运算量，使其能在嵌入式设备上进行有效部署。
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公开(公告)号：CN111522345B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202010363994.9
申请日：2020-04-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于自动化控制技术领域，具体涉及一种登机桥对接舱门的轮位控制方法。本发明所提出的方法需要在登机桥的桥头对平飞机机身的情况下，由感知系统得到飞机舱门相对于桥头在水平方向的位置和登机桥的部分桥身属性，如桥身长度、桥头角度、轮架到桥头的长度信息；在综合以上信息后计算出登机桥的最佳控制角度。本发明可以很精确的计算出轮位的最佳控制角度，为对接过程提高了效率并且避免了对轮位的反复操作的过程；本发明可以仅通过一次计算便可以得到轮位的最佳控制角度，也可在控制对接过程中进行多次计算控制从而减小测量误差带来的影响，提高舱门对接的精准度，经过实际测试本发明计算出的最佳轮位控制角度可以较为精准的对接舱门。
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公开(公告)号：CN114759025B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202210384942.9
申请日：2022-04-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02 , H01L27/07 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了基于GaN双异质结外延片的功率器件与CMOS逻辑电路的集成芯片，包含增强型的p‑MOS和n‑MOS、耗尽型n‑MOS、具有极化结的增强型功率HEMT和功率SBD、电阻、pn结电容，其中增强型p‑MOS和n‑MOS构成CMOS反相器。本发明主要特征在于：通过基于GaN双异质结外延片的上述器件实现全GaN CMOS逻辑电路和功率器件的单片集成，减小了寄生效应，提高了芯片集成度和功率密度；本发明提出的GaN双异质结外延片结构，在GaN沟道层(3)/势垒层(4)和势垒层(4)/顶部GaN层(5)异质界面分别引入二维电子气(2DEG)和二维空穴气(2DHG)，通过选择性保留2DHG实现低阻p‑MOS；双异质结引入的极化结用于增强型功率HEMT和功率SBD，器件阻断状态下，极化结改善电场集中效应，提高功率器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN115783294A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211437034.8
申请日：2022-11-15
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于登机桥对接技术领域，公开了一种基于桥身属性的登机桥舱门对接方法、系统及终端，包括：预先标定飞机停靠位置，通过传感器采集桥身属性信息，并基于所述停靠位置的登机桥属性信息计算登机桥对接飞机舱门路径的轮位角角度，得到控制登机桥对接的最佳轮架角度，完成对接。本发明不依靠GPS定位技术，通过登机桥自身的传感器对桥身的属性进行采集，以及预先标定飞机停靠位置，记录该位置下的登机桥自身属性，来计算出登机桥对接飞机舱门路径的轮位角度，使得登机桥对接飞机舱门的过程更加可靠且高效。
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公开(公告)号：CN115690907A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211306567.2
申请日：2022-10-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06V40/20 , G06N3/0464 , G06N3/082 , G06V10/40 , G06V10/764 , G06V10/80 , G06V20/52
Abstract: 本发明涉及视频分析与行为识别领域，公开了一种监控场景下的轻量化暴力行为识别方法，包括以下步骤：步骤1，获取监控场景下的视频数据，对视频进行预处理和数据增强；步骤2，将步骤1处理得到的数据作为输入，进行数据时空特征的提取；步骤3，对双流特征进行特征融合；步骤4，通过全连接层构成的分类器，进行暴力/非暴力行为的类别判决。本发明解决了视频监控场景下对暴力行为不能进行及时有效识别的问题，在降低模型参数量、计算量的情况下，利用轻量化深度学习网络模型，并结合多种激励模块进一步提高了暴力行为识别的准确率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115690403A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211431757.7
申请日：2022-11-15
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06V10/25 , G01S13/58 , G01S13/86 , G01S13/93 , G01S15/93 , G06Q10/0631 , G06Q10/0635
Abstract: 本发明属于登机桥安全防护技术领域，公开了一种用于登机桥对接舱门的安全防护装置及方法，包括舱门异常打开检测预警模块、桥头对接防撞模块、轮架行走防撞模块、遮蓬过热预警模块、通道防剪切模块以及桥身防撞模块和上位机。本发明利用安装在登机桥各个关键位置的传感器，实时监测并汇报登机桥对接过程中的各种可能出现的情况，通过多传感器数据融合方法，达到对突发危险情况的监控和预警的作用，从而起到安全作用；在登机桥的对接过程中，所有数据都发送到上位机中，一旦有任何传感器发出预警信息，上位机将做出及时反映给出预警等级，之后通过分析传感器的预警信息即可排除安全隐患，保障登机桥对接过程所有人员和设备的安全。
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公开(公告)号：CN115459238A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211006918.8
申请日：2022-08-22
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H02J1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于电压裕度的自适应下垂控制方法，通过根据直流电压偏差大小，将电压裕度区间划分为正常区间、临界区间以及极限区间；判断当前电压裕度所处区间，若确定当前电压裕度区间为临界区间，则根据电压裕度自适应控制下垂斜率；根据所述下垂斜率，调节供电系统的电压控制能力。相比于现有技术，本发明自适应下垂控制跟随电压波动大小改变对直流电压的控制能力，降低控制单元出现电压越限的情况，承担功率变化范围更大，供电系统运行可靠性得到进一步提升。
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公开(公告)号：CN112864243B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110038284.3
申请日：2021-01-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/778
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有钝化层渐变氟离子终端的GaN HMET器件。本发明主要特征在于：在器件栅极和漏级之间引入氟离子注入终端结构，且氟离子注入区域面积由靠近栅极一侧向漏极一侧逐渐减小，有效降低栅极边缘电场尖峰，并在漂移区中部引入新的电场尖峰，调制器件横向电场；氟离子注入终端结构位于厚钝化层中，可避免离子注入对AlGaN材料的物理损伤和对2DEG迁移率的影响，改善器件特性并抑制电流崩塌。本发明的有益效果为，该结构能实现更高的耐压以及更小的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN114613856A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210377549.7
申请日：2022-04-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/778
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种双异质结GaN RC‑HEMT器件。本发明的主要特征在于：在HEMT栅极结构和漏极之间的势垒层(4)表面有顶部GaN层(9)，GaN沟道层(3)、势垒层(4)和顶部GaN层(9)形成双异质结，且在所述栅极结构与顶部GaN层(9)之间的势垒层(4)之上集成了肖特基续流二极管结构，用于HEMT器件反向续流。RC‑HEMT反向续流时，集成肖特基二极管借助2DEG形成电流路径，续流压降低；RC‑HEMT正向导通时，集成肖特基势垒二极管(SBD)处于关断状态，利用二维电子气(2DEG)传输电流，具有较低的导通电阻；RC‑HEMT正向阻断时，GaN沟道层(3)/势垒层(4)和势垒层(4)/顶部GaN层(9)形成极化结改善电场集中效应，调制器件漂移区电场，提高器件击穿电压。
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公开(公告)号：CN113707727A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111000769.X
申请日：2021-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有倒梯形槽的垂直GaN二极管。本发明主要特征在于：通过倒梯形槽结构设计，新件构在部分肖特基阳极金属与势垒层之间插入介质层，并在体内引入P‑GaN高掺杂阻挡层与碳掺杂GaN阻挡层以有效降低势垒层中电场；因此，相较于传统电流孔径垂直电子晶体管(CAVET)，本发明不仅增加倒梯形底部电流孔径横向尺寸以降低导通电阻，还能能有效抑制反向泄漏电流；同时，本发明兼具横向GaN HEMT器件中二维电子气作为沟道以降低器件导通电阻的优势。
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