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公开(公告)号：CN103744246B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410000043.X
申请日：2014-01-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种镜面反射型电致变色器件及其制备方法，所述电致变色器件包括透明导电玻璃、绝缘垫片、凝胶电解质、氧化锌（ZnO）纳米晶和氧化锌铝（AZO）透明导电玻璃。所述制备方法具体步骤为：在AZO透明玻璃电极上直接生长ZnO纳米晶，形成粗糙表面；利用银离子无机盐、溴化物或碘化物盐、辅助导电离子无机盐、高分子聚合物均匀混合在有机溶剂中形成透明、稳定、均匀的凝胶电解质；使用封装材料将凝胶电解质封装在具有光滑表面的透明导电玻璃和具有粗糙表面的AZO透明导电玻璃之间。本发明的优点是工艺简洁、成本低廉，可大面积组装成具有高反射率、高透过率和快速响应能力的调光器件。
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公开(公告)号：CN103400919A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310279611.X
申请日：2013-06-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种场电子激励下的紫外光源结构，其特征在于：包括阴极发射体和与阴极发射体之间以真空为间隔的受激发光体，阴极发射体与受激发光体的间距为100～1000μm；所述阴极发射体包括金属或半导体衬底和至少部分覆盖于金属或半导体衬底上的场发射阵列；所述受激发光体包括从外到内依次设置的透明衬底、导电层、宽禁带半导体纳米晶层和金属反射层。该结构将以纳米冷阴极材料为基础的阴极发射体和以宽禁带半导体纳米材料为基础的受激发光体相配合，在电子束激励下显示了很好的带边紫外荧光发射，并且该结构制备工艺简单，成本低，发光效率高，环境污染小，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN114777944B
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202210053553.8
申请日：2022-01-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性热敏传感器及其制备方法，所述柔性热敏传感器包括柔性衬底、位于衬底上的二硒化钯(PdSe2)热敏薄膜、金属电极及聚合物封装钝化膜。所述制备方法具体步骤为：在柔性衬底上直接生长或者转移一层二硒化钯薄膜，二硒化钯通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)硒化制备而成，在二硒化钯上镀金属电极，使用聚合物膜封装。本发明的优点是低温兼容柔性基底，工艺简洁，易于集成，便于大规模生产高灵敏性的柔性热敏传感器。
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公开(公告)号：CN119480759A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411609253.9
申请日：2024-11-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/683 , H10F71/00
Abstract: 本发明提供了一种基于范德华辅助层的二维异质结洁净转移技术。具体方法为：在载玻片上制备微圆顶型PVC(PVC‑MDP)，并用PVC‑MDP拾起h‑BN辅助层，随后用PVC‑MDP拾起h‑BN/二维异质结，然后释放h‑BN/二维异质结至目标衬底，最后移除h‑BN辅助层。该方法中，h‑BN辅助层的引入避免了聚合物和目标异质结的直接接触，从而在源头上避免了聚合物污染，实现了原子级洁净表面的二维异质结转移。
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公开(公告)号：CN119384020A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310911343.2
申请日：2023-07-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率的薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管包括二氧化硅/硅(SiO2/Si)基片、底栅电极、高K介质层、单层二硫化钨(WS2)薄膜和源漏电极。WS2具有高场效应迁移率、低关态电流、高漏极电流以及合适的能带结构等优异特性，但是大气环境中的气态吸附物等杂质会导致其晶体管载流子迁移率大幅降低，以SiO2为介质层的底栅WS2薄膜晶体管在大气环境下平均载流子迁移率仅有0.05cm2v‑1s‑1。本发明的优点是将SiO2介质层替换为高K介质层，制备的底栅WS2薄膜晶体管在大气环境下便表现出优异的晶体管性能，平均载流子迁移率最高可达15cm2v‑1s‑1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115420189B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202211039782.0
申请日：2022-08-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种面向人体健康监测柔性应变传感器，所述面向人体健康监测的柔性应变传感器包括柔性衬底、位于衬底上的二硒化钯(PdSe2)薄膜、金属电极及聚合物封装钝化膜。所述制备方法具体步骤为：在柔性衬底上利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)高温硒化制备而成二硒化钯薄膜，在二硒化钯薄膜上镀金属电极，再使用聚合物膜封装。本发明的优点是二硒化钯材料低温合成兼容柔性基底，工艺简洁，易于集成，便于大规模生产高灵敏柔性应变传感器。
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公开(公告)号：CN118605089A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410761179.6
申请日：2024-06-13
Applicant: 电子科技大学 , 东莞泽攸精密仪器有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于二维振镜的DMD无掩膜光刻系统及拼接光刻方法，该系统包括依次设置的光源系统、DMD、偏转系统、投影系统、观察系统和样品台；曝光光源匀光准直整形照射在物面DMD上，DMD生成数字掩膜并反射携带图形信息的光束进入偏转系统，由二维振镜与F‑Theta场镜进行偏转，最后通过套筒透镜和物镜组成的投影系统成像在样品台上涂有光刻胶的基片上，实现光刻曝光，其中DMD平面与像平面共轭成像；本发明通过二维振镜的快速响应，在X轴和Y轴上偏转光束，配合F‑Theta场镜将振镜对光束方向的改变转换成焦点在中间像平面上位置的改变，协同振镜实现像差校正，补偿系统的场曲和畸变。F‑Theta场镜能够提供平场像平面，具有高透过率、大扫描范围、低像差和低F‑Theta畸变的特点；经过套筒透镜与物镜组成的投影系统成像，最终实现在基片上的阵列拼接光刻曝光；该系统无需多轴精密电动位移台也能实现无掩膜拼接光刻，且效率高，结构简单，抗机械干扰能力强，误差小，能准确的进行高精度的拼接光刻。
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公开(公告)号：CN116027640B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202211686257.8
申请日：2022-12-26
Applicant: 电子科技大学 , 烟台东仪光电产业技术研究院有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于位移补偿提高DMD无掩模光刻分辨率的方法，在使用LED紫外光源和低倍率投影物镜(如10×)的背景下，将原数字掩模版图拆分成各个子版图载入到DMD芯片中进行分次曝光，在每相邻子版图的曝光间隔内使用压电纳米位移台进行对应纳米级分辨率的位移补偿，既保证了DMD无掩模光刻系统结构的紧凑型和加工效率，又显著提升了DMD无掩模光刻系统的分辨率；另外，建立了DMD芯片所生成数字掩模图案经投影后在光刻胶上的光强分布模型，能够对上述位移补偿量及投影光刻系统的实际加工效果进行预测和指导。
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公开(公告)号：CN116203807A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310283065.0
申请日：2023-03-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种面向DMD无掩模光刻的MBOPC方法，一方面，以夫琅禾费衍射理论为基础建立了光刻成像模型，另一方面利用遗传算法作为掩模优化算法，并通过MATLAB实现两者的有机结合，以完成对初始数字掩模图案的像素级灰度优化，来修正其曝光时在光刻胶上的光强分布，即显著提高了在高微缩比例(微缩比大于10:1)的DMD无掩模光刻系统中小尺寸图案图形化的保真度，又极大地解放了掩模优化过程中所需的人工成本。
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公开(公告)号：CN114551625A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210155121.8
申请日：2022-02-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种激光阵列刻蚀WS2晶体的快速响应光导型探测器和制备方法。利用聚焦激光束实现微米级阵列刻蚀，引入水氧吸附，显著减弱了WS2光导型探测器的持续光电导效应引起的电流不稳定，将探测器响应时间由秒级提升到毫秒级。所述的探测器制备方法的具体步骤为：在Si/SiO2衬底上用机械剥离的方式获取WS2晶体，选取厚度和尺寸合适的晶体利用无掩膜光刻和金属蒸镀的工艺搭建金属电极，使用聚焦激光束在器件沟道出刻蚀出亚微米级阵列微孔。
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