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公开(公告)号：CN115420189A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211039782.0
申请日：2022-08-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种面向人体健康监测的柔性应变传感器及其制备方法，所述面向人体健康监测的柔性应变传感器包括柔性衬底、位于衬底上的二硒化钯(PdSe2)薄膜、金属电极及聚合物封装钝化膜。所述制备方法具体步骤为：在柔性衬底上直接生长一层二硒化钯薄膜，二硒化钯通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)硒化制备而成，在二硒化钯薄膜上镀金属电极，再使用聚合物膜封装。本发明的优点是二硒化钯材料低温合成兼容柔性基底，工艺简洁，易于集成，便于大规模生产高灵敏面向人体健康监测的柔性应变传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116203807B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202310283065.0
申请日：2023-03-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种面向DMD无掩模光刻的MBOPC方法，一方面，以夫琅禾费衍射理论为基础建立了光刻成像模型，另一方面利用遗传算法作为掩模优化算法，并通过MATLAB实现两者的有机结合，以完成对初始数字掩模图案的像素级灰度优化，来修正其曝光时在光刻胶上的光强分布，即显著提高了在高微缩比例(微缩比大于10:1)的DMD无掩模光刻系统中小尺寸图案图形化的保真度，又极大地解放了掩模优化过程中所需的人工成本。
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公开(公告)号：CN116027640A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211686257.8
申请日：2022-12-26
Applicant: 电子科技大学 , 烟台东仪光电产业技术研究院有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于位移补偿提高DMD无掩模光刻分辨率的方法，在使用LED紫外光源和低倍率投影物镜(如10×)的背景下，将原数字掩模版图拆分成各个子版图载入到DMD芯片中进行分次曝光，在每相邻子版图的曝光间隔内使用压电纳米位移台进行对应纳米级分辨率的位移补偿，既保证了DMD无掩模光刻系统结构的紧凑型和加工效率，又显著提升了DMD无掩模光刻系统的分辨率；另外，建立了DMD芯片所生成数字掩模图案经投影后在光刻胶上的光强分布模型，能够对上述位移补偿量及投影光刻系统的实际加工效果进行预测和指导。
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公开(公告)号：CN115420189B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202211039782.0
申请日：2022-08-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种面向人体健康监测柔性应变传感器，所述面向人体健康监测的柔性应变传感器包括柔性衬底、位于衬底上的二硒化钯(PdSe2)薄膜、金属电极及聚合物封装钝化膜。所述制备方法具体步骤为：在柔性衬底上利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)高温硒化制备而成二硒化钯薄膜，在二硒化钯薄膜上镀金属电极，再使用聚合物膜封装。本发明的优点是二硒化钯材料低温合成兼容柔性基底，工艺简洁，易于集成，便于大规模生产高灵敏柔性应变传感器。
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公开(公告)号：CN116027640B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202211686257.8
申请日：2022-12-26
Applicant: 电子科技大学 , 烟台东仪光电产业技术研究院有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于位移补偿提高DMD无掩模光刻分辨率的方法，在使用LED紫外光源和低倍率投影物镜(如10×)的背景下，将原数字掩模版图拆分成各个子版图载入到DMD芯片中进行分次曝光，在每相邻子版图的曝光间隔内使用压电纳米位移台进行对应纳米级分辨率的位移补偿，既保证了DMD无掩模光刻系统结构的紧凑型和加工效率，又显著提升了DMD无掩模光刻系统的分辨率；另外，建立了DMD芯片所生成数字掩模图案经投影后在光刻胶上的光强分布模型，能够对上述位移补偿量及投影光刻系统的实际加工效果进行预测和指导。
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公开(公告)号：CN116203807A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310283065.0
申请日：2023-03-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种面向DMD无掩模光刻的MBOPC方法，一方面，以夫琅禾费衍射理论为基础建立了光刻成像模型，另一方面利用遗传算法作为掩模优化算法，并通过MATLAB实现两者的有机结合，以完成对初始数字掩模图案的像素级灰度优化，来修正其曝光时在光刻胶上的光强分布，即显著提高了在高微缩比例(微缩比大于10:1)的DMD无掩模光刻系统中小尺寸图案图形化的保真度，又极大地解放了掩模优化过程中所需的人工成本。
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