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公开(公告)号：CN119980176A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510209118.3
申请日：2025-02-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C16/01 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/30 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C16/56 , C30B29/46 , C30B29/64 , C30B33/00
Abstract: 本发明提供了一种基于亲水性氧化铝辅助层的无褶皱二维原子晶体薄膜转移方法，具体步骤为：利用标准半导体工艺中原子层沉积在目标衬底上沉积一层氧化铝薄膜；在生长有二维材料的衬底上旋涂聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)；腐蚀溶液刻蚀基底，使PMMA/二维材料与基底分离漂浮在溶液上；清洗多次，用目标衬底捞起，晾干、抽气、烘烤；丙酮去除PMMA获得无褶皱的二维材料/目标基底。该方法中氧化铝层的存在使目标衬底表面具有高亲水性，转移时薄膜更加贴合衬底，且可以有效防止薄膜折叠，实现了薄膜的大面积无褶皱转移。
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公开(公告)号：CN119050160A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411145415.8
申请日：2024-08-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/792 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及一种基于二维半导体的浮栅晶体管及其制备方法。该浮栅晶体管通过优化材料选择和结构工艺，采用铬金复合电极作为底部栅极，利用原子层沉积技术形成栅极介质层(Al2O3)、电荷捕获层(HfO2)和电荷隧穿层(Al2O3)，并在电荷隧穿层上转移PdPS纳米片，最终在PdPS纳米片上沉积源极和漏极并进行封装。所述器件具有良好的电荷保持时间、循环耐久性和多级存储能力，用于模拟人工突触时，所述器件具有良好的可编辑特性和非易失特性。本发明为提高基于二维材料的存储器以及神经形态器件的性能提供了一种新的途径。
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公开(公告)号：CN113322522B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110629862.0
申请日：2021-06-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: C30B29/46 , C30B29/64 , C30B25/02 , C23C16/448 , C23C16/30
Abstract: 本发明公开了一种外延大单畴大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法。采用化学气相沉积技术，通过钨酸钠做辅助剂，辅助生长大面积二硫化钨薄膜。其中氧化钨与钨酸钠的质量比为1:2‑1:12。本发明使用钨酸钠做辅助剂，一方面可以促进氧化钨的的液化，并可以保护氧化钨在反应阶段不被硫化；另一方面钠盐有助于降低形核密度，实现大面积单层二硫化钨薄膜的制备。本发明能够在低压单温区管式炉条件下制备出外延大单畴大面积单层二硫化钨薄膜。该实验方法可控性好、工艺简单、原料成本低，且适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN108681210A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810293308.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70383 , G03F7/70025 , G03F7/70091
Abstract: 本发明公开了一种小型激光直写光刻机，属于无掩膜光刻技术领域。该小型激光直写光刻机，包括：光纤激光器、分光镜组件、照明模块、自动聚焦模块、分别设置在聚焦镜组件上方和下方的摄像头和压电物镜、设置在分光镜组件和自动聚焦模块之间的双反射镜、以及分别与光纤激光器、自动聚焦模块和压电物镜通信连接的控制中心；分光镜组件包括由上至下依次层叠设置的第一分光镜、第二分光镜和第三分光镜。本发明采用光纤激光器、光纤准直器进行输出光的调节，降低了调整的复杂性，同时使用紧凑的笼式系统，在很大程度上缩小了系统体积，降低了系统的复杂度，同时缩减其它部分的体积如离焦探测系统等，最终实现了本系统小型化、紧凑式的系统结构。
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公开(公告)号：CN116203807B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202310283065.0
申请日：2023-03-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种面向DMD无掩模光刻的MBOPC方法，一方面，以夫琅禾费衍射理论为基础建立了光刻成像模型，另一方面利用遗传算法作为掩模优化算法，并通过MATLAB实现两者的有机结合，以完成对初始数字掩模图案的像素级灰度优化，来修正其曝光时在光刻胶上的光强分布，即显著提高了在高微缩比例(微缩比大于10:1)的DMD无掩模光刻系统中小尺寸图案图形化的保真度，又极大地解放了掩模优化过程中所需的人工成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117012626A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311104873.2
申请日：2023-08-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 发明名称一种二维材料晶体管的封装方法摘要本发明公开了一种二维材料晶体管的封装方法。采用原子层沉积技术，通过四二甲氨基铪做铪源，沉积了氧化铪封装层，针对二维材料晶体管进行封装。本发明采用氧化铪作为封装层，使二维材料同大气隔离，阻止空气中的气体分子吸附在二维材料上，保证了沟道材料的长期稳定性，实现了二维材料晶体管在大气环境下的应用。该封装工艺可控性好、工艺简单。
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公开(公告)号：CN116027640A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211686257.8
申请日：2022-12-26
Applicant: 电子科技大学 , 烟台东仪光电产业技术研究院有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于位移补偿提高DMD无掩模光刻分辨率的方法，在使用LED紫外光源和低倍率投影物镜(如10×)的背景下，将原数字掩模版图拆分成各个子版图载入到DMD芯片中进行分次曝光，在每相邻子版图的曝光间隔内使用压电纳米位移台进行对应纳米级分辨率的位移补偿，既保证了DMD无掩模光刻系统结构的紧凑型和加工效率，又显著提升了DMD无掩模光刻系统的分辨率；另外，建立了DMD芯片所生成数字掩模图案经投影后在光刻胶上的光强分布模型，能够对上述位移补偿量及投影光刻系统的实际加工效果进行预测和指导。
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公开(公告)号：CN107611215A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710232453.0
申请日：2017-04-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅/二维半导体异质结型光电探测器及制备方法。该光电探测器由下至上依次层叠的硅材料层、绝缘介质层、二维半导体材料层和金属电极；绝缘介质层中心开有通孔，二维半导体材料通过通孔与硅材料形成异质结，通过结区电流变化检测外界光的变化。该光电检测器制备方法简单，其制备过程均与半导体工艺兼容，适合大规模工业生产；制得的光电检测器拥有硅基易集成的特点，结构简单，可控性强，同时具有光响应度高、响应速度快的特点，对可见光的响应度优于普通的硅光探测器件，光探测响应时间为微妙量级。
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公开(公告)号：CN107326441A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710514753.8
申请日：2017-06-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种常压下制备二维TMDC原子晶体材料的装置及方法，该装置包括：具有内嵌式双管结构的高温管式炉，高温管式炉上设有主输运管和次输运管，次输运管内嵌于主输运管内；主输运管内设有载物舟一，次输运管内设有载物舟二；次输运管出口处设有支撑架，支撑架上放有衬底；高温管式炉外壁上设有用于加热载物舟一内物质的加热器一和用于加热载物舟二内物质的加热器二；高温管式炉出口处设有废气处理装置。利用该装置可制备非连续TMDC单晶片或单层、多层连续TMDC薄膜，且重复性好，节省源材料。
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公开(公告)号：CN119894122A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202311382326.0
申请日：2023-10-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本专利公开了一种基于碲纳米网与硅异质结的光电探测器。器件制备步骤是先使用光刻和反应离子刻蚀工艺将SiO2/n‑Si衬底上一个区域的硅裸露出来，然后使用热蒸发等工艺制作金顶部电极，最后使用气相生长的方法生长碲纳米网，制备成具有垂直结构的异质结光电探测器。本专利通过碲原子链间的范德华键和准范德华界面处的自发失配弛豫克服了化学键对材料合成和晶格失配异质外延的限制，100℃低温下在硅表面横向生长由自焊接碲纳米线组成的碲纳米网。本专利的优点是一维碲纳米材料的生长可控性好，工艺简单，原料成本低，器件光响应好。
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