公开(公告)号：CN119980176A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510209118.3

申请日：2025-02-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李春 ,  张立娟 ,  龚毅敏 ,  兰长勇

IPC: C23C16/01 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/56 ,  C30B29/46 ,  C30B29/64 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明提供了一种基于亲水性氧化铝辅助层的无褶皱二维原子晶体薄膜转移方法，具体步骤为：利用标准半导体工艺中原子层沉积在目标衬底上沉积一层氧化铝薄膜；在生长有二维材料的衬底上旋涂聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)；腐蚀溶液刻蚀基底，使PMMA/二维材料与基底分离漂浮在溶液上；清洗多次，用目标衬底捞起，晾干、抽气、烘烤；丙酮去除PMMA获得无褶皱的二维材料/目标基底。该方法中氧化铝层的存在使目标衬底表面具有高亲水性，转移时薄膜更加贴合衬底，且可以有效防止薄膜折叠，实现了薄膜的大面积无褶皱转移。

公开(公告)号：CN116354307A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310321370.4

申请日：2023-03-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李春 ,  龚毅敏 ,  刘力文 ,  兰长勇

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度微机械系统(MEMS)压差传感器件及其制备方法，所述压差传感器件包括带刻蚀窗口的氮化硅(SiNx)薄膜、硅(Si)基片、SiNx悬浮结构自支撑膜、PdSe2多晶超薄膜、金属电极及表面钝化层。超薄PdSe2显著的压阻效应和超薄悬浮SiNx使得器件具有较高的压差应力传感特性，而高杨氏模量的SiNx保证器件压差传感的可靠性。优化设计的金属电极结构形成的惠斯通电桥能抑制温漂，确保了压差测量的准确性。本发明的优点是硅基半导体工艺兼容，成品率高，可重复性强，稳定性好，器件灵敏度高的压差传感器件。