-
公开(公告)号：CN113549882B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110616860.8
申请日：2021-06-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/08 , G02F1/1523
Abstract: 本发明公开一种WO3纳米线电致变色薄膜的制备方法，应用于电致变色材料与器件领域，针对现有磁控溅射方法制备的薄膜结构致密平滑，与电解液有效接触面积小，使得电致变色器件性能难以进一步提高的问题；本发明以氧化铟锡(ITO)覆盖的玻璃为基片，将银靶和钨靶分别放置在直流靶位和射频靶位，利用共溅射镀膜技术，通过银诱导生长出WO3纳米颗粒；利用反应溅射镀膜技术，通过钆掺杂在WO3纳米颗粒上生长出纳米线结构。WO3纳米线结构薄膜相比WO3致密薄膜明显改善了电致变色性能。
-
公开(公告)号：CN111273497A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010090340.3
申请日：2020-02-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种电沉积电致变色器件的封装方法，应用于电致变色材料与器件领域。针对现有封装电解液注入孔时直接使用紫外胶，存在紫外胶能够被电解液腐蚀，使得封装的电致变色器件发生漏液，性能急剧下降的问题；本发明在电解液和密封材料引入隔绝材料聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)，在电解液注入孔中起到阻隔作用，避免了电解液与密封材料直接接触导致的腐蚀现象，提高了封装效果，增加了使用寿命，明显地改善了器件性能。
-
公开(公告)号：CN103311071A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310234637.2
申请日：2013-06-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种PDP用铝掺杂类立方体状氧化镁粉末材料的制备方法，属于电子材料技术领域。主要步骤包括：将醋酸镁、氯化铝和尿素按比例溶解于去离子水中，形成反应体系；将反应体系转入反应釜中，在160℃温度下反应不低于3小时；将反应所生成固体产物分离、洗涤、干燥；将固体产物于不低于800℃的温度下煅烧。本发明制备的铝掺杂类立方体氧化镁粉末，形状规则、粒径分布均匀、有更高的二次电子发射系数，应用于PDP能改善PDP性能，降低PDP着火电压及维持电压。本发明同时具有反应简单、成本低廉和环境有好的特点。
-
公开(公告)号：CN119050160A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411145415.8
申请日：2024-08-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/792 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及一种基于二维半导体的浮栅晶体管及其制备方法。该浮栅晶体管通过优化材料选择和结构工艺，采用铬金复合电极作为底部栅极，利用原子层沉积技术形成栅极介质层(Al2O3)、电荷捕获层(HfO2)和电荷隧穿层(Al2O3)，并在电荷隧穿层上转移PdPS纳米片，最终在PdPS纳米片上沉积源极和漏极并进行封装。所述器件具有良好的电荷保持时间、循环耐久性和多级存储能力，用于模拟人工突触时，所述器件具有良好的可编辑特性和非易失特性。本发明为提高基于二维材料的存储器以及神经形态器件的性能提供了一种新的途径。
-
公开(公告)号：CN118420240A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410509671.4
申请日：2024-04-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: C03C17/34 , C03C17/245 , B82Y40/00 , C23C14/35 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开一种WO3纳米锥体阵列电致变色薄膜的制备方法，应用于电致变色材料与器件领域。鉴于现有磁控溅射方法制备的薄膜结构过于致密平滑，导致与电解液的有效接触面积有限，进而限制了电致变色器件性能的进一步提升，本发明提出了针对性的解决方案；本发明以表面镀有氧化铟锡(ITO)的玻璃为基片，将银靶和钨靶分别放置在直流靶位和射频靶位，利用共溅射镀膜技术，通过掺杂金属银诱导生长出WO3纳米颗粒种子层；利用反应溅射镀膜技术，通过铕掺杂在WO3纳米颗粒种子层上生长出WO3纳米锥体阵列结构。WO3纳米锥体结构薄膜相比WO3致密薄膜明显改善了电致变色性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110133934B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910469351.X
申请日：2019-05-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/153
Abstract: 本发明公开一种双稳态电致变色器件及其制备方法，器件从上至下依次包括第一ITO透明导电玻璃、电解液、WO3岛状纳米颗粒粗糙层和第二ITO透明导电玻璃；第一ITO透明导电玻璃和第二ITO透明导电玻璃的两个相对面为导电面，在导电面上，与电解液相邻的区域分别涂覆一层有MPTMs；第二ITO透明导电玻璃的MPTMs层上沉积有WO3岛状纳米颗粒粗糙层，WO3岛状纳米颗粒粗糙层为W、O和Ag的混合颗粒结构；电解液的周围设有绝缘垫片，绝缘垫片的上下两端分别粘合在第一ITO透明导电玻璃和第二ITO透明导电玻璃上。本发明的双稳态电致变色器件不仅能在透明态、镜态和黑态之间进行可逆变化，还能在去除电场或电流作用时维持良好的电化学和光学性能，比传统的电致变色器件更加节能。
-
公开(公告)号：CN103065914A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210576895.4
申请日：2012-12-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种PDP前玻璃板的保护层结构，属于光电材料及器件技术领域。所述保护层结构，位于PDP前玻璃板的透明介质（3）表面，为少量掺有LaB6的MgO材料或MgO保护层和位于MgO保护层表面的不连续LaB6薄膜形成的复合保护层结构。所述保护层结构可采用丝网印刷或喷涂工艺实现。本发明在不显著降低前玻璃板透光率的基础上，通过增加具有低逸出功特点的LaB6，从而使得PDP显示器能够降低PDP显示器着火电压和寻址时间，从而降低PDP显示器的总的功耗。
-
公开(公告)号：CN118420240B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202410509671.4
申请日：2024-04-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: C03C17/34 , C03C17/245 , B82Y40/00 , C23C14/35 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开一种WO3纳米锥体阵列电致变色薄膜的制备方法，应用于电致变色材料与器件领域。鉴于现有磁控溅射方法制备的薄膜结构过于致密平滑，导致与电解液的有效接触面积有限，进而限制了电致变色器件性能的进一步提升，本发明提出了针对性的解决方案；本发明以表面镀有氧化铟锡(ITO)的玻璃为基片，将银靶和钨靶分别放置在直流靶位和射频靶位，利用共溅射镀膜技术，通过掺杂金属银诱导生长出WO3纳米颗粒种子层；利用反应溅射镀膜技术，通过铕掺杂在WO3纳米颗粒种子层上生长出WO3纳米锥体阵列结构。WO3纳米锥体结构薄膜相比WO3致密薄膜明显改善了电致变色性能。
-
公开(公告)号：CN118795688A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411178631.2
申请日：2024-08-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及液晶光电子器件技术领域，尤其涉及一种透/反射率可调的电控液晶光电子器件及其调控装置与调控方法。本发明所述的透/反射率可调的电控液晶光电子器件及其调控装置，包括偏振器1、透/反射率可调的电控液晶光电子器件2、透/反射率控制装置3以及有效折射率控制装置4，光束经过偏振器1变为偏振光，所述偏振光经过透/反射率可调的电控液晶光电子器件2后光强、相位受到调制。透/反射率控制装置3及有效折射率控制装置4通过驱动电路调控驱动参数对透/反射率可调的电控液晶光电子器件2进行控制。本发明通过电控方式对光束实现即时、高效、精准的调控，具有系统稳定、结构简单、体积小、可多功能切换、适用场景广泛等优点。
-
公开(公告)号：CN118605089A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410761179.6
申请日：2024-06-13
Applicant: 电子科技大学 , 东莞泽攸精密仪器有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于二维振镜的DMD无掩膜光刻系统及拼接光刻方法，该系统包括依次设置的光源系统、DMD、偏转系统、投影系统、观察系统和样品台；曝光光源匀光准直整形照射在物面DMD上，DMD生成数字掩膜并反射携带图形信息的光束进入偏转系统，由二维振镜与F‑Theta场镜进行偏转，最后通过套筒透镜和物镜组成的投影系统成像在样品台上涂有光刻胶的基片上，实现光刻曝光，其中DMD平面与像平面共轭成像；本发明通过二维振镜的快速响应，在X轴和Y轴上偏转光束，配合F‑Theta场镜将振镜对光束方向的改变转换成焦点在中间像平面上位置的改变，协同振镜实现像差校正，补偿系统的场曲和畸变。F‑Theta场镜能够提供平场像平面，具有高透过率、大扫描范围、低像差和低F‑Theta畸变的特点；经过套筒透镜与物镜组成的投影系统成像，最终实现在基片上的阵列拼接光刻曝光；该系统无需多轴精密电动位移台也能实现无掩膜拼接光刻，且效率高，结构简单，抗机械干扰能力强，误差小，能准确的进行高精度的拼接光刻。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.018 seconds)
