公开(公告)号：CN118420240A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410509671.4

申请日：2024-04-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 尹伊 ,  竺易文 ,  陈治霖 ,  罗馨怡 ,  李春

IPC: C03C17/34 ,  C03C17/245 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开一种WO3纳米锥体阵列电致变色薄膜的制备方法，应用于电致变色材料与器件领域。鉴于现有磁控溅射方法制备的薄膜结构过于致密平滑，导致与电解液的有效接触面积有限，进而限制了电致变色器件性能的进一步提升，本发明提出了针对性的解决方案；本发明以表面镀有氧化铟锡(ITO)的玻璃为基片，将银靶和钨靶分别放置在直流靶位和射频靶位，利用共溅射镀膜技术，通过掺杂金属银诱导生长出WO3纳米颗粒种子层；利用反应溅射镀膜技术，通过铕掺杂在WO3纳米颗粒种子层上生长出WO3纳米锥体阵列结构。WO3纳米锥体结构薄膜相比WO3致密薄膜明显改善了电致变色性能。

公开(公告)号：CN118420240B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202410509671.4

申请日：2024-04-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 尹伊 ,  竺易文 ,  陈治霖 ,  罗馨怡 ,  李春

IPC: C03C17/34 ,  C03C17/245 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开一种WO3纳米锥体阵列电致变色薄膜的制备方法，应用于电致变色材料与器件领域。鉴于现有磁控溅射方法制备的薄膜结构过于致密平滑，导致与电解液的有效接触面积有限，进而限制了电致变色器件性能的进一步提升，本发明提出了针对性的解决方案；本发明以表面镀有氧化铟锡(ITO)的玻璃为基片，将银靶和钨靶分别放置在直流靶位和射频靶位，利用共溅射镀膜技术，通过掺杂金属银诱导生长出WO3纳米颗粒种子层；利用反应溅射镀膜技术，通过铕掺杂在WO3纳米颗粒种子层上生长出WO3纳米锥体阵列结构。WO3纳米锥体结构薄膜相比WO3致密薄膜明显改善了电致变色性能。

公开(公告)号：CN119899514A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202510209117.9

申请日：2025-02-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 尹伊 ,  袁潇毅 ,  蔡佳恒 ,  罗馨怡 ,  兰长勇 ,  李春

IPC: C08L71/02 ,  C08J5/18 ,  C08K7/18 ,  C08K9/04

Abstract: 本发明公开了一种基于聚乙烯吡咯烷酮(PVP)修饰的光子晶体胶体薄膜及其制备方法。该光子晶体胶体薄膜由经PVP表面修饰的二氧化硅微球(SiO2)在以聚乙二醇苯醚丙烯酸酯(PEGPEA)和二乙二醇乙醚丙烯酸酯(DEGEEA)为主要成分的弹性胶体内部自组装，并通过光引发剂1173进行紫外固化而形成。与传统光子晶体薄膜相比，本发明的光子晶体胶体薄膜有效抑制了角度依赖性，实现了光子晶体结构色的稳定表征。同时，该薄膜具备柔性良好、灵敏度高、环境友好以及工艺简单的特点，在大批量工业化生产中展现出极高的生产效率，具有显著的技术优势和应用潜力。