公开(公告)号：CN113549882B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202110616860.8

申请日：2021-06-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 尹伊 ,  朱皓宇 ,  吴涛

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  G02F1/1523

Abstract: 本发明公开一种WO3纳米线电致变色薄膜的制备方法，应用于电致变色材料与器件领域，针对现有磁控溅射方法制备的薄膜结构致密平滑，与电解液有效接触面积小，使得电致变色器件性能难以进一步提高的问题；本发明以氧化铟锡(ITO)覆盖的玻璃为基片，将银靶和钨靶分别放置在直流靶位和射频靶位，利用共溅射镀膜技术，通过银诱导生长出WO3纳米颗粒；利用反应溅射镀膜技术，通过钆掺杂在WO3纳米颗粒上生长出纳米线结构。WO3纳米线结构薄膜相比WO3致密薄膜明显改善了电致变色性能。

公开(公告)号：CN111273497A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202010090340.3

申请日：2020-02-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 尹伊 ,  陈琪 ,  曹刚强 ,  何天应 ,  许庆凡 ,  高天 ,  朱皓宇 ,  李春

IPC: G02F1/161 ,  G02F1/15

Abstract: 本发明公开一种电沉积电致变色器件的封装方法，应用于电致变色材料与器件领域。针对现有封装电解液注入孔时直接使用紫外胶，存在紫外胶能够被电解液腐蚀，使得封装的电致变色器件发生漏液，性能急剧下降的问题；本发明在电解液和密封材料引入隔绝材料聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)，在电解液注入孔中起到阻隔作用，避免了电解液与密封材料直接接触导致的腐蚀现象，提高了封装效果，增加了使用寿命，明显地改善了器件性能。

公开(公告)号：CN113549882A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110616860.8

申请日：2021-06-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 尹伊 ,  朱皓宇 ,  吴涛

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  G02F1/1523

Abstract: 本发明公开一种WO3纳米线电致变色薄膜的制备方法，应用于电致变色材料与器件领域，针对现有磁控溅射方法制备的薄膜结构致密平滑，与电解液有效接触面积小，使得电致变色器件性能难以进一步提高的问题；本发明以氧化铟锡(ITO)覆盖的玻璃为基片，将银靶和钨靶分别放置在直流靶位和射频靶位，利用共溅射镀膜技术，通过银诱导生长出WO3纳米颗粒；利用反应溅射镀膜技术，通过钆掺杂在WO3纳米颗粒上生长出纳米线结构。WO3纳米线结构薄膜相比WO3致密薄膜明显改善了电致变色性能。