公开(公告)号：CN117012626A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202311104873.2

申请日：2023-08-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 兰长勇 ,  贾欣宇 ,  李春

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/772

Abstract: 发明名称一种二维材料晶体管的封装方法摘要本发明公开了一种二维材料晶体管的封装方法。采用原子层沉积技术，通过四二甲氨基铪做铪源，沉积了氧化铪封装层，针对二维材料晶体管进行封装。本发明采用氧化铪作为封装层，使二维材料同大气隔离，阻止空气中的气体分子吸附在二维材料上，保证了沟道材料的长期稳定性，实现了二维材料晶体管在大气环境下的应用。该封装工艺可控性好、工艺简单。

公开(公告)号：CN119384020A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202310911343.2

申请日：2023-07-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李春 ,  张秋松 ,  贾欣宇 ,  兰长勇

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D62/80 ,  H10D64/68

Abstract: 本发明公开了一种高迁移率的薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管包括二氧化硅/硅(SiO2/Si)基片、底栅电极、高K介质层、单层二硫化钨(WS2)薄膜和源漏电极。WS2具有高场效应迁移率、低关态电流、高漏极电流以及合适的能带结构等优异特性，但是大气环境中的气态吸附物等杂质会导致其晶体管载流子迁移率大幅降低，以SiO2为介质层的底栅WS2薄膜晶体管在大气环境下平均载流子迁移率仅有0.05cm2v‑1s‑1。本发明的优点是将SiO2介质层替换为高K介质层，制备的底栅WS2薄膜晶体管在大气环境下便表现出优异的晶体管性能，平均载流子迁移率最高可达15cm2v‑1s‑1。