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公开(公告)号：CN104465339B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201310757104.2
申请日：2013-12-27
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L21/04
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L21/02104 , H01L21/0475 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/7813
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：在n+型碳化硅衬底的第一表面上顺序地形成n‑型外延层、p‑型外延层、以及n+区域；在n+区域形成缓冲层；在缓冲层的一部分上形成光敏薄膜图案；利用光敏薄膜图案作为掩模对缓冲层蚀刻以形成缓冲层图案，缓冲层图案布置在光敏薄膜图案下方并露出n+区域的一部分；在n+区域的露出部分和光敏薄膜图案上顺序地形成第一金属层和第二金属层；去除缓冲层图案、光敏薄膜图案、第一金属层的第二部分、以及第二金属层的第二部分；利用第一金属层的第一部分和第二金属层的第一部分作为掩模对n+区域的露出部分蚀刻以形成沟槽，其中沟槽穿过n+区域和p‑型外延层，形成在n‑型外延层上。
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公开(公告)号：CN106876461A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610474194.8
申请日：2016-06-24
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7806 , H01L21/047 , H01L21/0495 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/66666
Abstract: 本申请公开了半导体器件及半导体器件的制造方法，该半导体器件包括设置在n+型碳化硅基板的第一表面上的n‑型层，设置在所述n‑型层上且彼此隔开的第一沟槽和第二沟槽，包围所述第一沟槽的侧面和拐角的p型区域，设置在所述p型区域和所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述n‑型层上的n+型区域，设置在所述第二沟槽内的栅绝缘层，设置在所述栅绝缘层上的栅电极，设置在所述栅电极上的氧化层，设置在所述氧化层和所述n+型区域上且设置在所述第一沟槽内的源电极以及设置在所述n+型碳化硅基板的第二表面上的漏电极，其中所述源电极与所述n‑型层接触。
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公开(公告)号：CN104752505A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410415577.9
申请日：2014-08-21
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L29/0619 , H01L29/0661 , H01L29/086 , H01L29/1608 , H01L29/4238 , H01L29/66068 , H01L29/7813 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/66477 , H01L29/7825
Abstract: 一种半导体器件，包括：布置在包括载流区和位于载流区两侧的终端区的n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一n-型外延层；布置在第一n-型外延层上的p型外延层；布置在p型外延层上的第二n-型外延层；布置在载流区中的第一沟槽；布置在各个终端区中的第二沟槽；布置在第一沟槽中的栅极绝缘层；布置在栅极绝缘层上的栅电极；以及布置在第二沟槽中的终端绝缘层，其中终端绝缘层的一侧接触p型外延层和第二n-型外延层。
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公开(公告)号：CN114695537A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111403740.6
申请日：2021-11-24
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件，包括：在衬底的第一表面上的n‑型层、在n‑型层的一部分上的p型区、在n‑型层和p型区上的栅极、在栅极上的第一栅极保护层和在第一栅极保护层上的第二栅极保护层、在第二栅极保护层和p型区上的源极，以及在衬底的第二表面上的漏极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114079198A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110130046.5
申请日：2021-01-29
IPC: H01R13/629 , H01R24/00
Abstract: 本公开涉及一种连接器系统，该连接器系统包括：第一连接器，被配置为电连接到需要排出空气的特定装置，并且将从特定装置排出的空气引入到第一连接器中；第一连接线，包覆电连接到第一连接器的第一电缆，第一连接线的一侧连接到第一连接器；以及第二连接器，连接到第一连接线的相对侧并电连接到第一电缆，其中第一连接器、第一连接线和第二连接器被配置为彼此连通，使得被引入到第一连接器中的空气在经过第一连接线之后通过第二连接器排出。
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公开(公告)号：CN107579109B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201611031572.1
申请日：2016-11-22
Applicant: 现代自动车株式会社
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包含：n‑型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，形成在n‑型层中并且彼此分离；n+型区，布置在第一沟槽的侧面与第二沟槽的侧面之间并且布置在n‑型层上；栅极绝缘层，布置在第一沟槽内；源极绝缘层，布置在第二沟槽内；栅极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅极上；源极，布置在氧化层、n+型区、及源极绝缘层上；以及漏极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。
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公开(公告)号：CN108615758B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201710622691.2
申请日：2017-07-27
IPC: H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，可包括：n‑型层，依次布置在n+型碳化硅衬底的第一表面处；p型区域，布置在n‑型层中；辅助n+型区域，布置在p型区域上或p型区域中；n+型区域，布置在p型区域中；辅助电极，布置在辅助n+型区域和p型区域上；栅电极，与辅助电极分离并布置在n‑型层上；源电极，与辅助电极和栅电极分离；以及漏电极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面处，其中，辅助n+型区域与n+型区域彼此分离，并且源电极与n+型区域接触。
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公开(公告)号：CN110388504A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201811191983.6
申请日：2018-10-12
IPC: F16K47/02 , F16K47/04 , F16K1/20 , F16K7/20 , H01M8/04746
Abstract: 本公开提供一种阀装置，包括：阀壳体，其具有与气流通道连接的阀通道；阀盘，其通过阀驱动器可旋转地设置在阀壳体内并改变阀通道的气流截面积；以及多孔构件，其安装在阀盘上并设置在阀盘和阀通道之间的开放区段中。
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