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公开(公告)号：CN109638467A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910067442.0
申请日：2019-01-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
CPC classification number: H01Q15/0086
Abstract: 本发明公开了一种宽带低色散的高折射率超材料，包括若干阵列分布的高折射率单元，每个所述高折射率单元包括由上至下设置的上金属层、介质层和下金属层，所述上金属层和下金属层分别贴合在所述介质层的两面上，所述上金属层和下金属层的结构相同，所述上金属层包括环形金属贴片和双工字型金属贴片，所述双工字型金属贴片设置在所述环形金属贴片内部。通过改变相邻两个高折射率单元之间间隔的大小、双工字型金属贴片的结构参数以及环形金属贴片的结构参数，可以调节等效折射率的值、带宽以及平坦度，使本发明的应用领域更宽，实用性更强。
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公开(公告)号：CN109634348A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811517848.6
申请日：2018-12-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/67
CPC classification number: G05F1/67
Abstract: 本发明公开一种适用于双源能量收集系统的最大功率同步追踪电路，包括上升沿检测器A1‑A2，SR锁存器A3，比较器A4‑A5，开关控制电路A6，缓冲器A7‑A9，功率源P1‑P2，最大功率点电压采样电路A10‑A11，电容Cin1‑Cin2，NMOS管NM1‑NM3，电感L1，PMOS管PM1，以及过零比较器A12。本发明通过同时对两个输入能量源的最大功率点电压进行追踪，减小了控制电路的功耗，并提高了追踪效率，追踪效率最大可以达到99.98％，提高了能量的利用率；自适应延时生成电路，升压电源管理电路能适应具有不同的功率大小的双源输入，在两个能量源的输入功率差距过大时，升压电源管理电路仍能高效的升压，系统验证表明当输入能量源的输入功率分别为5uW和1mW时，电路的能量转换效率最大能达到85.59％。
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公开(公告)号：CN105070681B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201510522304.9
申请日：2015-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/306 , H01L21/265 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法，针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离，提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法，即首先去除表面高掺杂层，再进行离子注入隔离，有效提高了离子注入的注入效果，进而提高了有源区之间的隔离效果；在同等条件下，离子注入和台面腐蚀相结合的隔离方法，具有电学隔离效果好、工艺兼容性强、对后续工艺影响较小、具有良好的重复性和便于实现等特点，并有效地避免了单独采用台面腐蚀和离子注入的弊端，对半导体制造工艺有很好的使用价值。
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公开(公告)号：CN109100331A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810704120.8
申请日：2018-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本发明提供一种正六边形晶格结构的金属孔阵列等离激元光纤传感器，主要是在光纤体端面上设置高灵敏度的传感体，其中传感体包括衬底介质和金属孔阵列组成，而金属孔阵列N个正六边形晶格结构均匀排布金属膜上，这些多个圆孔狭缝贯通开设在金属膜上下表面；每个圆孔狭缝单元尺寸和形状完全相同且内部均填满了外界介质。所述金属薄膜、衬底介质层以及金属孔阵列构成统一整体传感结构。本发明的光纤传感器结构在近红外频段内具有较良好灵敏度性能，并且通过改变传感体相关结构参数可以有效调整光谱的带宽和共振峰的位置。结果表明，该传感器的灵敏度可达到486±6nm/RIU。其中该传感器结构简单、检测精度高及兼容性好等优点，能为环境检测和食品安全等领域提供了一个新的传感器件。
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公开(公告)号：CN108821331A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201811035848.2
申请日：2018-09-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓纳米棒的制备方法及产品，属于纳米材料技术领域，该方法主要利用化学气相沉积法，通过控制各工艺条件，最终制得直径均匀的氧化镓纳米棒。该方法制备工艺简单，易操作，不需要添加催化剂，且原料成本低廉，对设备要求不高，便于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108550628A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810399461.9
申请日：2018-04-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种具有表面电荷区结构的功率器件，包括由下至上依次设置的P衬底I(1)、浮空等位层(4)、P衬底II(2)和漂移区(5)；所述漂移区(5)上设置有N+漏区、漏电极(10)、栅电极(12)、源电极(11)、N+接触区、P阱(7)以及P+源区；所述漂移区(5)的顶部且位于漂移区内设置有一系列横向且等距离分布的N+电荷区(6)而形成表面电荷区。本发明由于在漂移区表面设置一系列等间距的N+电荷区表面电荷区结构，表面电荷区产生界面电荷，增强了电荷区内电场，提高了器件横向耐压；界面电荷同时增强埋层纵向电场和纵向耐压，降低了漏极附近电场，防止器件表面过早击穿；由于采用等间距N+的表面电荷区结构，工艺简单可行，工艺容差较好，与常规CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN105070656B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201510414120.0
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种降低GaAs背孔工艺中等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括以下步骤：在衬底正面匀涂电子束光刻胶；用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上；将粘有衬底的石英托粘贴在减薄玻璃片上；进行减薄工艺；将石英托连同衬底从减薄玻璃片上取下；匀涂光刻胶并烘片；形成背孔图形；形成背孔；去光刻胶和液态蜡，使衬底片和石英托分离；其中，液态蜡是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明采用液态蜡替代传统的高温蜡，既不会产生互溶问题，还具备优良的粘附性，并解决由于等离子体轰击而溅射的高温蜡和金属污染等离子体刻蚀机腔体内壁的问题。
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公开(公告)号：CN108231902A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810010047.4
申请日：2018-01-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种能够提高器件耐压，降低比导通电阻的具有串联槽栅结构的多叠层功率器件；该结构的栅极采用了槽型结构，槽栅一直延伸到埋氧层，与p阱形成了纵向导电沟道，同时，槽栅与漂移区形成了纵向电子积累层，使电流传导区域在纵向得到显著扩展，降低了器件比导通电阻；漂移区包含多个与纵栅相连接P型的埋层，器件上部采用表面多晶硅氧化层结构，形成级联栅多个器件并联结构；采用该具有串联槽栅结构的多叠层功率器件,有效提高了器件的击穿电压和降低比导通电阻,使得电场分布更加均匀，形成多个级联导通电流。
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公开(公告)号：CN108231870A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810010042.1
申请日：2018-01-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种能够产生界面电荷，增强了表面横向电场，提高了表面横向耐压的具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件。该具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件包括由上至下依次设置的漂移区、埋层一、衬底；所述漂移区的上方设置有埋层二，所述埋层二上方设置有表面结构；所述埋层二上设置有延伸到漂移区内的介质槽二，所述介质槽二沿横向均匀分布。采用该具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件击穿电压能够达到427V,传统槽栅结构击穿电压为258V，提升了65.5％。采用具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件等势线分布均匀，电荷屏蔽效应使得表面高压对漂移区的作用降低，大幅提高漂移区浓度，降低电阻，提高击穿电压。
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公开(公告)号：CN107315440A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710758434.1
申请日：2017-08-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/561
Abstract: 本发明公开一种高速宽频带频率电压转换电路，采用检测输入信号进行两次上升沿检测，控制两个开关状态的转换，使得两个开关共同导通时，偏置电流源为电容充电时间仅为输入信号的一个周期，从而实现电路由频率信号到电压信号的快速转换，减少输出建立时间，提高整体电路系统的工作效率和响应速度。此外，本发明在简化电路结构的同时，提升了电路对输入信号的处理速度，降低了功耗，未使用电阻，仅使用一个电容，不需要外部施加控制信号，有效地减小了寄生电容效应、由温度变化引起的热噪声影响并减小版图面积，完全与标准CMOS工艺兼容，降低了生产成本。电路仅需要一个输入信号周期，就可以完成从频率到电压的转换，减少输出建立时间，提高整体电路系统的工作效率和响应速度。
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